GD800HFA120C2S_B20 ,IGBT Moduli,STARPOWER

Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli ,ishlab chiqarilgan STARPOWER . 1200V 800A. Oʻrtacha

Xususiyatlari

Past VCE (sat) trench IGBT texnologiyasi
VCE (sat) musbat harorat koeffitsiyenti bilan
Eng yuqori bog'lanish harorati 175oC
Past induktivlik bilan qoplangan
Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
DBC texnologiyasi yordamida izolyatsiya qilingan mis po'stlang'ich

Oddiy qoʻllanmalar

Motorli harakatlantiruvchi inverter
AC va DC servo harakatlantiruvchi kuchaytirgich
Айрмасиз куcych таminоти

Absolyut Maksimal Baholashlar T F =25 O C agar boshqa belgilangan

IGBT

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
V CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	1200	V
V GES	Chiqargichning kuchlanishi O'tkazuvchan Gate-Emitter Kuchlanishi	±20 ±30	V
Ман C	Kollektor oqimi @ T C =25 O C @ T C = 95 O C	1280 800	A
Ман m	Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms	1600	A
P D	Maksimal quvvat vj = 175 O C	3191	W

Diod

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
V RRM	Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi	1200	V
Ман F	Diod Tuzilgan Oldindan Joriy element	800	A
Ман Fm	Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms	1600	A

Modul

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
T vjmax	Maksimal bogʻlanish harorati	175	O C
T vjop	Ishlanish boʻgʻinlari harorati	-40 dan +175 gacha	O C
T STG	Saqlash temperaturasi diapazoni	-40 dan +125 gacha	O C
V ISO	Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C =800A,V GE =15V, T vj =25 O C		1.30	1.75	V
		Ман C =800A,V GE =15V, T vj = 125 O C		1.45
		Ман C =800A,V GE =15V, T vj = 150 O C		1.50
		Ман C =800A,V GE =15V, T vj = 175 O C		1.55
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi Voltaj	Ман C =32.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C	5.5	6.1	7.0	V
Ман CES	Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C			1.0	mA
Ман GES	Darvoza emittorining oqishi Jorov	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C			400	nA
R Gint	Ichki darvoza qarshiligi			0.38		Ω
C ies	Kirish sig'imi	V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V		156		NF
C res	Orqaga oʻtish Kalitlik	V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V		1.10		NF
Q g	Darvoza zaryadi	V GE =-8... +15V		10.3		μC
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =800A, R g = 1,2Ω, V GE =-8V/+15V, T vj =25 O C		338		ns
T R	O'sish vaqti			174		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			1020		ns
T F	Pasayish vaqti			100		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			65.2		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			88.8		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =800A, R g = 1,2Ω, V GE =-8V/+15V, T vj = 125 O C		398		ns
T R	O'sish vaqti			203		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			1140		ns
T F	Pasayish vaqti			183		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			96.6		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			109		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =800A, R g = 1,2Ω, V GE =-8V/+15V, T vj = 150 O C		413		ns
T R	O'sish vaqti			213		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			1140		ns
T F	Pasayish vaqti			195		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			105		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			113		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =800A, R g = 1,2Ω, V GE =-8V/+15V, T vj = 175 O C		419		ns
T R	O'sish vaqti			223		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			1142		ns
T F	Pasayish vaqti			205		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			110		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			115		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish
Ман SC	SC ma'lumotlari	T P ≤8μs, V GE =15V, T vj = 150 O C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V		3300		A
Ман SC	SC ma'lumotlari	T P ≤6μs, V GE =15V, T vj = 175 O C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V		3000		A

Diod Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V F	Oldinga chiquvchi diod Voltaj	Ман F =800A,V GE =0V,T vj = 2 5O C		1.85	2.30	V
		Ман F =800A,V GE =0V,T vj = 125 O C		1.85
		Ман F =800A,V GE =0V,T vj = 150 O C		1.85
		Ман F =800A,V GE =0V,T vj = 175 O C		1.85
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 600V,I F =800A, -di\/dt=5510A\/μs,V GE =-8V, T vj =25 O C		28.6		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			311		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			13.9		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 600V,I F =800A, -di\/dt=4990A\/μs,V GE =-8V, T vj = 125 O C		56.8		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			378		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			23.7		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 600V,I F =800A, -di\/dt=4860A\/μs,V GE =-8V, T vj = 150 O C		66.3		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			395		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			26.7		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 600V,I F =800A, -di\/dt=4790A\/μs,V GE =-8V, T vj = 175 O C		72.1		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			403		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			28.6		mJ

Modul Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Min.	Tip.	Max.	BIT
L CE	Yolgʻizlik induktansiyasi		20		nH
R CC+EE	Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha		0.42		mΩ
R tJC	Junction -ga -vakalik (perIGBT ) Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)			0.047 0.083	K/W
R tCH	Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT) Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)		0.031 0.055 0.010		K/W
M	terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
g	Og'irlik из Modul		320		g