GD75PFX170C6SG, IGBT Moduli, STARPOWER

Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli ,ishlab chiqarilgan STARPOWER . 1700V 75A. Oʻrtacha

Xususiyatlari

Past VCE (sat) trench IGBT texnologiyasi
10 μs qisqa uzilish qobiliyati
VCE (sat) musbat harorat koeffitsiyenti bilan
Eng katta junction temperaturi 175 ℃
Past induktivlik bilan qoplangan
Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
DBC texnologiyasi yordamida izolyatsiya qilingan mis po'stlang'ich

Oddiy qoʻllanmalar

Motorli harakatlantiruvchi inverter
AC va DC servo harakatlantiruvchi kuchaytirgich
Айрмасиз куcych таminоти

Absolyut Maksimal Baholashlar T F =25 O C agar boshqa belgilangan

IGBT-inverter

Simvol	Tavsif	Qiymatlari	BIT
V CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	1700	V
V GES	Chiqargichning kuchlanishi	±20	V
Ман C	Kollektor oqimi @ T C =25 O C @ T C =100 O C	139 75	A
Ман m	Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms	150	A
P D	Maksimal quvvat vj = 175 O C	559	W

Diod-inverter

Simvol	Tavsif	Qiymatlari	BIT
V RRM	Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi	1700	V
Ман F	Diod Davomiy Oldinga Cu rrent	75	A
Ман Fm	Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms	150	A

Diod-pretseptor

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
V RRM	Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi	2000	V
Ман O	O'rta chiqish to'kchasi 5 0Hz/60Hz, sinusoidal dalona	75	A
Ман FSM	Oldinga surish joriy t P =10ms @ T vj = 25O C @ T vj = 150 O C	1440 1206	A
Ман 2T	Ман 2t-qiymati,t P =10ms @ T vj =25 O C @ T vj = 150 O C	10368 7272	A 2s

Modul

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
T vjmax	Maksimal qo'shma temperaturasi (invertor) Maksimal qo'shma temperaturasi (pretseptor)	175 150	O C
T vjop	Ishlanish boʻgʻinlari harorati	-40 dan +150 gacha	O C
T STG	Saqlash temperaturasi diapazoni	-40 dan +125 gacha	O C
V ISO	Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT -Inverter Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C = 75A,V GE =15V, T vj =25 O C		1.85	2.20	V
		Ман C = 75A,V GE =15V, T vj = 125 O C		2.25
		Ман C = 75A,V GE =15V, T vj = 150 O C		2.35
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi Voltaj	Ман C =3.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Ман CES	Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C			5.0	mA
Ман GES	Darvoza emittorining oqishi Jorov	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C			400	nA
R Gint	Ichki darvoza qarshiligi			8.5		Ω
C ies	Kirish sig'imi	V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V		9.03		NF
C res	Orqaga oʻtish Kalitlik	V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V		0.22		NF
Q g	Darvoza zaryadi	V GE = - 15 …+15V		0.71		μC
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 900V,I C = 75A, R g =6.8Ω,V GE =±15V, L s =46 nH ,T vj =25 O C		236		ns
T R	O'sish vaqti			42		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			356		ns
T F	Pasayish vaqti			363		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			17.3		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			11.7		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 900V,I C = 75A, R g =6.8Ω,V GE =±15V, L s =46 nH ,T vj = 125 O C		252		ns
T R	O'sish vaqti			48		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			420		ns
T F	Pasayish vaqti			485		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			27.1		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			16.6		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 900V,I C = 75A, R g =6.8Ω,V GE =±15V, L s =46 nH ,T vj = 150 O C		275		ns
T R	O'sish vaqti			50		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			432		ns
T F	Pasayish vaqti			524		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			27.9		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			17.7		mJ
Ман SC	SC ma'lumotlari	T P ≤ 10 μs, V GE =15V, T vj = 150 O C ,V CC =1000V , V MET ≤ 1700V		300		A

Diod -Inverter Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V F	Oldinga chiquvchi diod Voltaj	Ман F = 75A,V GE =0V,T vj = 2 5O C		1.80	2.25	V
		Ман F = 75A,V GE =0V,T vj =12 5O C		1.90
		Ман F = 75A,V GE =0V,T vj =15 0O C		1.95
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 900V,I F = 75A, -di⁄dt=1290A⁄μs,V GE = 15V L s =46 nH ,T vj =25 O C		10.3		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			84		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			7.44		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 900V,I F = 75A, -di⁄dt=1100A⁄μs,V GE =- 15V L s =46 nH ,T vj = 125 O C		20.5		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			87		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			16.1		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 900V,I F = 75A, -di/dt=1060A/μs,V GE = 15V L s =46 nH ,T vj = 150 O C		22.5		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			97		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			19.2		mJ

Diod -toʻgʻrilash Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V F	Oldinga chiquvchi diod Voltaj	Ман C = 75A, T vj = 150 O C		0.95		V
Ман R	Aylana toki	T vj = 150 O C ,V R =2000V			3.0	mA

NTC Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
R 25	Reyting qarshiligi			5.0		kΩ
∆R/R	Og'ish из R 100	T C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Quvvat Bo'shilish				20.0	mW
B 25/50	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Min.	Tip.	Max.	BIT
R tJC	Junction -ga -vakalik (perIGBT -Inverter ) Junction-to-Case (DIODE-inverter uchun ter) Junction-to-Case (har bir Diode-rectif ier)			0.268 0.481 0.289	K/W
R tCH	vakalik -ga -Issiqlik sinki (perIGBT -Inverter )Case-to-Heatsink (har bir Diode-i nverter) Case-to-Heatsink (har bir Diode-re ctifier) Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)		0.106 0.190 0.114 0.009		K/W
M	Montaj vringli kuch Varaq:M5	3.0		6.0	N.M
g	Og'irlik из Modul		300		g