GD75HFX170C1S, IGBT Moduli, STARPOWER

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1700

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 O C @ T C =100 O C

136

75

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

150

A

P D

Maksimal Quvvat Bo'shilish @ T vj = 175 O C

539

W

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1700

V

Ман F

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

75

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

150

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 75A,V GE =15V, T vj =25 O C

1.85

2.20

V

Ман C = 75A,V GE =15V, T vj = 125 O C

2.25

Ман C = 75A,V GE =15V, T vj = 150 O C

2.35

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

Ман C =3.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

8.5

Ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V

9.03

NF

C res

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.22

NF

Q g

Darvoza zaryadi

V GE = - 15 …+15V

0.71

μC

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C = 75A, R g =6.8Ω,V GE =±15V, ls = 60 nH ,T vj =25 O C

237

ns

T R

O'sish vaqti

59

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

314

ns

T F

Pasayish vaqti

361

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

25.0

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

9.5

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C = 75A, R g =6.8Ω,V GE =±15V, ls = 60 nH ,T vj = 125 O C

254

ns

T R

O'sish vaqti

70

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

383

ns

T F

Pasayish vaqti

524

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

33.3

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

15.1

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C = 75A, R g =6.8Ω,V GE =±15V, ls = 60 nH ,T vj = 150 O C

257

ns

T R

O'sish vaqti

75

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

396

ns

T F

Pasayish vaqti

588

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

36.9

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

16.6

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj = 150 O C ,V CC =1000V

V MET ≤ 1700V

300

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

Ман F = 75A,V GE =0V,T vj = 2 5O C

1.80

2.25

V

Ман F = 75A,V GE =0V,T vj =12 5O C

1.90

Ман F = 75A,V GE =0V,T vj =15 0O C

1.95

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 75A,

-di/dt=700A/μs,V GE = 15V ls = 60 nH ,T vj =25 O C

16.4

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

58

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

7.2

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 75A,

-di/dt=600A/μs,V GE = 15V ls = 60 nH ,T vj = 125 O C

30.8

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

64

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

15.8

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 75A,

-di/dt=600A/μs,V GE = 15V ls = 60 nH ,T vj = 150 O C

31.4

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

64

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

18.2

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

BIT

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

30

nH

R CC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

0.65

mΩ

R tJC

Junction -ga -vakalik (perIGBT ) Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

0.278 0.467

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT) Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)

0.160 0.268 0.050

K/W

M

terminalga ulanish vringli kuchi, Screw M5 Montaj vringli kuch M6 shrub

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

g

Og'irlik из Modul

150

g