GD720HTA120P6HT,IGBT Moduli,STARPOWER

Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli ,ishlab chiqarilgan STARPOWER . 1200V 720A. Oʻrtacha

Xususiyatlari

Past VCE (sat) trench IGBT texnologiyasi
Pastki o'zgarish yo'qotishlari
4μs singan marta yopiq devor qabul qiladi
VCE (sat) musbat harorat koeffitsiyenti bilan
Eng yuqori bog'lanish harorati 175oC
Past induktivlik bilan qoplangan
Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
Si3N4AMB texnologiyasi orqali ajratilgan koporqa pinfin asosli izolatsiya

Oddiy qoʻllanmalar

Avtomobil sanoatida qo'llanmalar
Gibrid va elektr transport vositalari
Motorli harakatlantiruvchi inverter

Absolyut Maksimal Baholashlar T F =25 O C agar boshqa belgilangan

IGBT

Simvol	Tavsif	Qiymatlari	BIT
V CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	1200	V
V GES	Chiqargichning kuchlanishi	±20	V
Ман CN	Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent	720	A
Ман C	Kollektor oqimi @ T F =65 O C	600	A
Ман m	Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms	1440	A
P D	Maksimal Quvvat Yo'qotish атион @ T F =75 O C T vj = 175 O C	1204	W

Diod

Simvol	Tavsif	Qiymatlari	BIT
V RRM	Takrorlanadigan yuqori voltada GE	1200	V
Ман ФН	Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent	720	A
Ман F	Diod Davomiy Oldinga Cu rrent	600	A
Ман Fm	Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms	1440	A

Modul

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
T vjmax	Maksimal bogʻlanish harorati	175	O C
T vjop	Ishlanish boʻgʻinlari harorati uzluksiz 10s davomida 30s, yuz berish umr davomida maksimal 3000 marta men	-40 dan +150 gacha +150 dan +175 gacha	O C
T STG	Saqlash temperaturasi diapazoni	-40 dan +125 gacha	O C
V ISO	Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min	3000	V

IGBT Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C = 600A,V GE =15V, T vj =25 O C		1.50		V
		Ман C = 600A,V GE =15V, T vj = 150 O C		1.80
		Ман C = 600A,V GE =15V, T vj = 175 O C		1.85
		Ман C =720A,V GE =15V, T vj =25 O C		1.60
		Ман C =720A,V GE =15V, T vj = 175 O C		2.05
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi Voltaj	Ман C = 15,6 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C		6.0		V
Ман CES	Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C			1.0	mA
Ман GES	Darvoza emittorining oqishi Jorov	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C			400	nA
R Gint	Ichki darvoza qarshiligi			1.67		Ω
C ies	Kirish sig'imi	V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V		48.7		NF
C o'qish	Chiqarish quvvati			1.55		NF
C res	Orqaga oʻtish Kalitlik			0.26		NF
Q g	Darvoza zaryadi	V CE =800V,I C = 600A, V GE =-8... +15V		3.52		μC
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC =800V,I C = 600A, R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L s =24nH, V GE =-8V/+15V, T vj =25 O C		208		ns
T R	O'sish vaqti			65		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			505		ns
T F	Pasayish vaqti			104		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			77.7		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			62.2		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC =800V,I C = 600A, R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L s =24nH, V GE =-8V/+15V, T vj = 150 O C		225		ns
T R	O'sish vaqti			75		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			567		ns
T F	Pasayish vaqti			191		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			110		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			83.4		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC =800V,I C = 600A, R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L s =24nH, V GE =-8V/+15V, T vj = 175 O C		226		ns
T R	O'sish vaqti			77		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			583		ns
T F	Pasayish vaqti			203		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			118		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			85.9		mJ
Ман SC	SC ma'lumotlari	T P ≤4μs, V GE =15V, T vj = 175 O C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V		2600		A

Diod Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V F	Oldinga chiquvchi diod Voltaj	Ман F = 600A,V GE =0V,T vj = 2 5O C		1.95		V
		Ман F = 600A,V GE =0V,T vj = 150 O C		1.95
		Ман F = 600A,V GE =0V,T vj = 175 O C		1.90
		Ман F =720A,V GE =0V,T vj = 2 5O C		2.05
		Ман F =720A,V GE =0V,T vj = 175 O C		2.05
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R =800V,I F = 600A, -di⁄dt=8281A⁄μs, L s =24n H, V GE =-8V, T vj =25 O C		44.3		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			346		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			16.2		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R =800V,I F = 600A, -di/dt=6954A/μs, L s =24n H, V GE =-8V, T vj = 150 O C		73.4		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			385		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			27.8		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R =800V,I F = 600A, -di/dt=6679A/μs, L s =24n H, V GE =-8V, T vj = 175 O C		80.7		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			392		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			30.7		mJ

NTC Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
R 25	Reyting qarshiligi			5.0		kΩ
∆R/R	Og'ish из R 100	T C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Quvvat Bo'shilish				20.0	mW
B 25/50	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Min.	Tip.	Max.	BIT
L CE	Yolgʻizlik induktansiyasi		8		nH
R CC+EE	Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish		0.75		mΩ
P	Sovutish davridagi maksimal bosim cuit T asos <40 O C T asos >40 O C (nisbiy bosim)			2.5 2.0	ta
R thJF	Junction -ga -Тезиқлаштириш Suyuqlik (perIGBT )Kesi-uzatish suyuqligiga (per Di oʻqilgan) △ V/ △ t=10.0 dm 3/Min ,T F =75 O C		0.072 0.104	0.083 0.120	K/W
M	terminalga ulanish vringli kuchi, Screw M5 Montaj vringli kuch Burg'u M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.M
g	Og'irlik из Modul		750		g