IGBT Modul 1200V

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 O C

@ T C = 70 O C

830

600

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

1200

A

P D

Maksimal quvvat J = 150 O C

4032

W

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V RRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1200

V

Ман F

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

600

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

1200

A

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

150

O C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +125 gacha

O C

T STG

Saqlanish harorati Diapazon

-40 dan +125 gacha

O C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 600A,V GE =15V, T J =25 O C

2.90

3.35

V

Ман C = 600A,V GE =15V, T J = 125 O C

3.60

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C =6.0 mA ,V CE = V GE , T J =25 O C

5.0

5.8

6.6

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V,

T J =25 O C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

0.25

Ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

39.0

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

2.55

NF

Q g

Darvoza zaryadi

V GE =- 15...+15V

6.30

μC

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 600A, R g = 1. 1Ω,

V GE =±15V, T J =25 O C

205

ns

T R

O'sish vaqti

50

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

265

ns

T F

Pasayish vaqti

140

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

50.4

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

20.0

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 600A, R g = 1. 1Ω,

V GE =±15V, T J = 125O C

210

ns

T R

O'sish vaqti

55

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

275

ns

T F

Pasayish vaqti

175

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

66.0

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

28.9

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs,V GE =15V,

T J = 125 O C,V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

3900

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F = 600A,V GE =0V,T J =25 O C

2.25

2.70

V

Ман F = 600A,V GE =0V,T J = 125O C

2.35

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 600A,

-di/dt= 12kA/μs,V GE =±15V, T J =25 O C

42.0

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

492

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

16.6

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 600A,

-di/dt= 12kA/μs,V GE =±15V, T J = 125O C

80.4

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

672

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

37.9

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

BIT

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

0.18

mΩ

R tJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

0.031

0.070

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT)

Issiqlik sinkiga boʻlgan qoʻllanma (p) er Diod)

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

0.051

0.114

0.035

K/W

M

terminalga ulanish vringli kuchi, Burg'u M4 Terminal ulashishi Moment, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

N.M

g

Og'irlik из Modul

300

g