GD600SGU120C2SD,IGBT Moduli,STARPOWER

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 O C @ T C = 70 O C

857

600

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

1200

A

P D

Maksimal quvvat vj = 150 O C

4310

W

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1200

V

Ман F

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

600

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

1200

A

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

T vjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

150

O C

T vjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +125 gacha

O C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

O C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 600A,V GE =15V, T vj =25 O C

3.00

3.45

V

Ман C = 600A,V GE =15V, T vj = 125 O C

3.80

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

Ман C =12 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C

4.8

5.8

6.8

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

0.31

Ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V

43.6

NF

C res

Orqaga oʻtish Kalitlik

2.72

NF

Q g

Darvoza zaryadi

V GE =-15V…+15V

8.32

μC

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 600A, R g =1.5Ω, V GE =±15V, ls =50 nH ,T vj =25 O C

317

ns

T R

O'sish vaqti

76

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

548

ns

T F

Pasayish vaqti

55

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

20.2

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

34.2

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 600A, R g =1.5Ω, V GE =±15V, ls =50 nH ,T vj = 125 O C

325

ns

T R

O'sish vaqti

79

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

595

ns

T F

Pasayish vaqti

59

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

27.2

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

38.4

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj = 125 O C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

3000

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

Ман F = 600A,V GE =0V,T vj = 2 5O C

1.85

2.30

V

Ман F = 600A,V GE =0V,T vj = 125 O C

1.90

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F = 600A,

-di/dt=7745A/μs,V GE = 15V, ls =50 nH ,T vj =25 O C

58.0

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

489

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

28.1

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F = 600A,

-di/dt=7355A/μs,V GE = 15V, ls =50 nH ,T vj =25 O C

100

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

563

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

48.2

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

BIT

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

0.35

mΩ

R tJC

Junction -ga -vakalik (perIGBT ) Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

0.029 0.069

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT) Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)

0.014 0.034 0.010

K/W

M

terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

g

Og'irlik из Modul

300

g