GD600HTA120P6HT, IGBT Moduli, STARPOWER

Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli ,ishlab chiqarilgan STARPOWER . 1200V 600A. Oʻrtacha

Xususiyatlari

Past VCE (sat) trench IGBT texnologiyasi
Pastki o'zgarish yo'qotishlari
6μs qisqa uzilish qobiliyati
VCE (sat) musbat harorat koeffitsiyenti bilan
Eng yuqori bog'lanish harorati 175oC
Past induktivlik bilan qoplangan
Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
Si3N4AMB texnologiyasi orqali ajratilgan koporqa pinfin asosli izolatsiya

Oddiy qoʻllanmalar

Avtomobil sanoatida qo'llanmalar
Gibrid va elektr transport vositalari
Motorli harakatlantiruvchi inverter

Absolyut Maksimal Baholashlar T F =25 O C agar boshqa belgilangan

IGBT

Simvol	Tavsif	Qiymatlari	BIT
V CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	1200	V
V GES	Chiqargichning kuchlanishi	±20	V
Ман CN	Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent	600	A
Ман C	Kollektor oqimi @ T F =90 O C	450	A
Ман m	Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms	1200	A
P D	Maksimal Quvvat Yo'qotish атион @ T F =75 O C T J = 175 O C	1075	W

Diod

Simvol	Tavsif	Qiymatlari	BIT
V RRM	Takrorlanadigan yuqori voltada GE	1200	V
Ман ФН	Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent	600	A
Ман F	Diod Davomiy Oldinga Cu rrent	450	A
Ман Fm	Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms	1200	A

Modul

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
T jmax	Maksimal bogʻlanish harorati	175	O C
T joʻp	Ishlanish boʻgʻinlari harorati uzluksiz 10s davomida 30s, yuz berish umr davomida maksimal 3000 marta men	-40 dan +150 gacha +150 dan +175 gacha	O C
T STG	Saqlash temperaturasi diapazoni	-40 dan +125 gacha	O C
V ISO	Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min	2500	V
D Yovuzlik	Issiqlik sinkiga terminal Terminaldan terminalga	9.0 9.0	mm
D aniq	Issiqlik sinkiga terminal Terminaldan terminalga	4.5 4.5	mm

IGBT Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C = 450A,V GE =15V, T J =25 O C		1.40		V
		Ман C = 450A,V GE =15V, T J = 150 O C		1.65
		Ман C = 450A,V GE =15V, T J = 175 O C		1.70
		Ман C = 600A,V GE =15V, T J =25 O C		1.60
		Ман C = 600A,V GE =15V, T J = 150 O C		1.90
		Ман C = 600A,V GE =15V, T J = 175 O C		2.00
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi Voltaj	Ман C = 15,6 mA ,V CE = V GE , T J =25 O C		6.4		V
Ман CES	Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov	V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 O C			1.0	mA
Ман GES	Darvoza emittorining oqishi Jorov	V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C			400	nA
R Gint	Ichki darvoza qarshiligi			1.67		Ω
C ies	Kirish sig'imi	V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V		81.2		NF
C o'qish	Chiqarish quvvati			1.56		NF
C res	Orqaga oʻtish Kalitlik			0.53		NF
Q g	Darvoza zaryadi	V CE = 600V,I C = 600A, V GE =-8... +15V		5.34		μC
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C = 600A, R Gon =1,0Ω, R Goff = 2,2Ω, L s = 22nH, V GE =-8V/+15V, T J =25 O C		290		ns
T R	O'sish vaqti			81		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			895		ns
T F	Pasayish vaqti			87		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			53.5		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			47.5		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C = 600A, R Gon =1,0Ω, R Goff = 2,2Ω, L s = 22nH, V GE =-8V/+15V, T J = 150 O C		322		ns
T R	O'sish vaqti			103		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			1017		ns
T F	Pasayish vaqti			171		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			84.2		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			63.7		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C = 600A, R Gon =1,0Ω, R Goff = 2,2Ω, L s = 22nH, V GE =-8V/+15V, T J = 175 O C		334		ns
T R	O'sish vaqti			104		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			1048		ns
T F	Pasayish vaqti			187		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			89.8		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			65.4		mJ
Ман SC	SC ma'lumotlari	T P ≤6μs, V GE =15V,		2000		A
		T J = 175 O C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

Diod Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V F	Oldinga chiquvchi diod Voltaj	Ман F = 450A,V GE =0V,T J =25 O C		1.80		V
		Ман F = 450A,V GE =0V,T J = 1 50O C		1.75
		Ман F = 450A,V GE =0V,T J = 1 75O C		1.70
		Ман F = 600A,V GE =0V,T J =25 O C		1.95
		Ман F = 600A,V GE =0V,T J = 1 50O C		1.95
		Ман F = 600A,V GE =0V,T J = 1 75O C		1.90
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 600V,I F = 600A, -di/dt=7040A/μs,V GE = 8V L s = 22 nH ,T J =25 O C		22.5		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			304		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			10.8		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 600V,I F = 600A, -di/dt=5790A/μs,V GE = 8V L s = 22 nH ,T J = 150 O C		46.6		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			336		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			18.2		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 600V,I F = 600A, -di/dt=5520A/μs,V GE = 8V L s = 22 nH ,T J = 175 O C		49.8		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			346		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			19.8		mJ

NTC Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
R 25	Reyting qarshiligi			5.0		kΩ
∆R/R	Og'ish из R 100	T C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Quvvat Bo'shilish				20.0	mW
B 25/50	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Min.	Tip.	Max.	BIT
L CE	Yolgʻizlik induktansiyasi		8		nH
R CC+EE	Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish		0.75		mΩ
P	Sozlamo ajoyibdagi eng katta bosim da			2.5	ta
R thJF	Junction -ga -Тезиқлаштириш Suyuqlik (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (D bo'yicha yod) △ V/ △ t=10.0 dm 3/Min ,T F =75 O C		0.081 0.118	0.093 0.136	K/W
M	terminalga ulanish vringli kuchi, Screw M5 Montaj vringli kuch Burg'u M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.M
g	Og'irlik из Modul		750		g