GD600HFX120C6SA,IGBT Moduli,STARPOWER

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 O C @ T C =100 O C

1108

600

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

1200

A

P D

Maksimal quvvat J = 175 O C

4054

W

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1200

V

Ман F

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

600

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

1200

A

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

O C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

O C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

O C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 600A,V GE =15V, T J =25 O C

1.70

2.15

V

Ман C = 600A,V GE =15V, T J = 125 O C

1.90

Ман C = 600A,V GE =15V, T J = 150 O C

1.95

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

Ман C =24.0 mA ,V CE = V GE , T J =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 O C

1.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

0.7

Ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V

62.1

NF

C res

Orqaga oʻtish Kalitlik

1.74

NF

Q g

Darvoza zaryadi

V GE =-15...+15V

4.62

μC

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 600A, R g = 1,2Ω, L s =34 nH , V GE =± 15V,T J =25 O C

266

ns

T R

O'sish vaqti

82

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

400

ns

T F

Pasayish vaqti

192

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

65.7

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

52.3

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 600A, R g = 1,2Ω, L s =34 nH , V GE =± 15V,T J = 125 O C

282

ns

T R

O'sish vaqti

94

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

448

ns

T F

Pasayish vaqti

290

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

96.2

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

67.3

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 600A, R g = 1,2Ω, L s =34 nH , V GE =± 15V,T J = 150 O C

286

ns

T R

O'sish vaqti

94

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

459

ns

T F

Pasayish vaqti

299

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

107

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

70.3

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T J = 150 O C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

2400

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

Ман F = 600A,V GE =0V,T J =25 O C

1.95

2.40

V

Ман F = 600A,V GE =0V,T J = 1 25O C

2.05

Ман F = 600A,V GE =0V,T J = 1 50O C

2.10

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 600A,

-di⁄dt=5500A⁄μs, L s =34nH, V GE =-15V,T J =25 O C

23.8

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

260

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

11.7

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 600A,

-di⁄dt=4700A⁄μs, L s =34nH, V GE =-15V,T J = 125 O C

65.1

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

293

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

26.4

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 600A,

-di⁄dt=4600A⁄μs, L s =34nH, V GE =-15V,T J = 150 O C

76.7

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

306

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

30.6

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

∆R/R

Og'ish из R 100

T C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

BIT

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha

0.80

mΩ

R tJC

Junction -ga -vakalik (perIGBT ) Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

0.037 0.065

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT) Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

0.028 0.050 0.009

K/W

M

terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch Screw M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

g

Og'irlik из Modul

350

g