GD600HFX120C2SAD_B20 , IGBT Moduli, STARPOWER

Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli ,ishlab chiqarilgan STARPOWER . 1200V 600A. Oʻrtacha

Xususiyatlari

Past VCE (sat) trench IGBT texnologiyasi
10 μs qisqa uzilish qobiliyati
VCE (sat) musbat harorat koeffitsiyenti bilan
Eng yuqori bog'lanish harorati 175oC
Past induktivlik bilan qoplangan
Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
Izolyatsiyali qurush asosida HPS DBC texnologiyasi

Oddiy qoʻllanmalar

Motorli harakatlantiruvchi inverter
AC va DC servo harakatlantiruvchi kuchaytirgich
Айрмасиз куcych таminоти

Absolyut Maksimal Baholashlar T F =25 O C agar boshqa belgilangan

IGBT

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
V CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	1200	V
V GES	Chiqargichning kuchlanishi O'tkazuvchan Gate-Emitter Kuchlanishi	±20 ±30	V
Ман C	Kollektor oqimi @ T C =25 O C @ T C =100 O C	1096 600	A
Ман m	Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms	1200	A
P D	Maksimal quvvat vj = 175 O C	3947	W

Diod

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
V RRM	Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi	1200	V
Ман F	Diod Tuzilgan Oldindan Joriy element	600	A
Ман Fm	Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms	1200	A

Modul

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
T vjmax	Maksimal bogʻlanish harorati	175	O C
T vjop	Ishlanish boʻgʻinlari harorati	-40 dan +150 gacha	O C
T STG	Saqlash temperaturasi diapazoni	-40 dan +125 gacha	O C
V ISO	Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C = 600A,V GE =15V, T vj =25 O C		1.70	2.15	V
		Ман C = 600A,V GE =15V, T vj = 125 O C		2.05
		Ман C = 600A,V GE =15V, T vj = 150 O C		2.15
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi Voltaj	Ман C =24.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Ман CES	Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C			1.0	mA
Ман GES	Darvoza emittorining oqishi Jorov	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C			400	nA
R Gint	Ichki darvoza qarshiligi			1.25		Ω
C ies	Kirish sig'imi	V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V		64.7		NF
C res	Orqaga oʻtish Kalitlik	V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V		1.88		NF
Q g	Darvoza zaryadi	V GE =-15...+15V		5.38		μC
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C = 600A, R g =1.5Ω, L s =50 nH , V GE =± 15V,T vj =25 O C		314		ns
T R	O'sish vaqti			105		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			527		ns
T F	Pasayish vaqti			151		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			63.7		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			53.3		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C = 600A, R g =1.5Ω, L s =50 nH , V GE =± 15V,T vj = 125 O C		350		ns
T R	O'sish vaqti			117		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			591		ns
T F	Pasayish vaqti			315		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			96.5		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			72.2		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C = 600A, R g =1.5Ω, L s =50 nH , V GE =± 15V,T vj = 150 O C		359		ns
T R	O'sish vaqti			120		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			604		ns
T F	Pasayish vaqti			328		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			105		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			75.6		mJ
Ман SC	SC ma'lumotlari	T P ≤ 10 μs, V GE =15V, T vj = 150 O C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V		2400		A

Diod Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V F	Oldinga chiquvchi diod Voltaj	Ман F = 600A,V GE =0V,T vj = 2 5O C		1.65	2.10	V
		Ман F = 600A,V GE =0V,T vj = 125 O C		1.65
		Ман F = 600A,V GE =0V,T vj = 150 O C		1.60
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 600V,I F = 600A, -di⁄dt=5130A⁄μs, L s =50nH, V GE =-15V,T vj =25 O C		38.6		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			313		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			10.8		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 600V,I F = 600A, -di/dt=4440A/μs, L s =50nH, V GE =-15V,T vj = 125 O C		76.1		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			368		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			22.5		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 600V,I F = 600A, -di/dt=4240A/μs, L s =50nH, V GE =-15V,T vj = 150 O C		88.9		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			387		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			26.2		mJ

Modul Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Min.	Tip.	Max.	BIT
L CE	Yolgʻizlik induktansiyasi		20		nH
R CC+EE	Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha		0.42		mΩ
R tJC	Junction -ga -vakalik (perIGBT ) Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)			0.038 0.068	K/W
R tCH	Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT) Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)		0.031 0.056 0.010		K/W
M	terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
g	Og'irlik из Modul		320		g