IGBT Modul 1700V

GD50PIX170C6SA,IGBT Moduli,STARPOWER

1700V 50A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD50PIX170C6SA

Kirish
Koʻrinish
Ekvivalent sxemasi

Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli ,ishlab chiqarilgan STARPOWER . 1700V 50A. Oʻrtacha

Xususiyatlari

Past VCE (sat) trench IGBT texnologiyasi
10 μs qisqa uzilish qobiliyati
VCE (sat) musbat harorat koeffitsiyenti bilan
Eng katta junction temperaturi 175 ℃
Past induktivlik bilan qoplangan
Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
DBC texnologiyasi yordamida izolyatsiya qilingan mis po'stlang'ich

Oddiy qoʻllanmalar

Motorli harakatlantiruvchi inverter
AC va DC servo harakatlantiruvchi kuchaytirgich
Айрмасиз куcych таminоти

Absolyut Maksimal Baholashlar T F =25 O C agar boshqa belgilangan

IGBT-inverter

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
V CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	1700	V
V GES	Chiqargichning kuchlanishi	±20	V
Ман C	Kollektor oqimi @ T C =25 O C @ T C =100 O C	100 50	A
Ман m	Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms	100	A
P D	Maksimal quvvat J = 175 O C	384	W

Diod-inverter

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
V RRM	Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi	1700	V
Ман F	Diod Davomiy Oldinga Cu rrent	50	A
Ман Fm	Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms	100	A

Diod-pretseptor

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
V RRM	Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi	1600	V
Ман O	O'rta chiqish to'kchasi 5 0Hz/60Hz, sinusoidal dalona	50	A
Ман FSM	To'qimlik sur'i V R =0V,T P =10ms,T J = 45 O C	850	A
Ман 2T	Ман 2t-qiymati,V R =0V,T P =10m s,T J = 45 O C	3610	A 2s

IGBT-tormoz

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
V CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	1700	V
V GES	Chiqargichning kuchlanishi	±20	V
Ман C	Kollektor oqimi @ T C =25 O C @ T C =100 O C	100 50	A
Ман m	Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms	100	A
P D	Maksimal quvvat J = 175 O C	384	W

Diod -Tormoz

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
V RRM	Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi	1700	V
Ман F	Diod Davomiy Oldinga Cu rrent	50	A
Ман Fm	Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms	100	A

Modul

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
T jmax	Maksimal qo'shilish temperaturasi(inverter,tormoz) Maksimal qo'shma temperaturasi (pretseptor)	175 150	O C
T joʻp	Ishlanish boʻgʻinlari harorati	-40 dan +150 gacha	O C
T STG	Saqlash temperaturasi diapazoni	-40 dan +125 gacha	O C
V ISO	Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT -Inverter Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C =50A,V GE =15V, T J =25 O C		1.85	2.20	V
		Ман C =50A,V GE =15V, T J = 125 O C		2.25
		Ман C =50A,V GE =15V, T J = 150 O C		2.35
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi Voltaj	Ман C =2.0 mA ,V CE = V GE , T J =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Ман CES	Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov	V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 O C			5.0	mA
Ман GES	Darvoza emittorining oqishi Jorov	V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C			400	nA
R Gint	Ichki Darvozali Qarshilik tansiq			9.5		Ω
C ies	Kirish sig'imi	V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V		6.02		NF
C res	Orqaga oʻtish Kalitlik	V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V		0.15		NF
Q g	Darvoza zaryadi	V GE = - 15 …+15V		0.47		μC
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 900V,I C =50A, R g =9.6Ω,V GE =±15V, T J =25 O C		163		ns
T R	O'sish vaqti			44		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			290		ns
T F	Pasayish vaqti			347		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			12.7		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			7.28		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 900V,I C =50A, R g =9.6Ω,V GE =±15V, T J = 125 O C		186		ns
T R	O'sish vaqti			51		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			361		ns
T F	Pasayish vaqti			535		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			17.9		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			11.1		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 900V,I C =50A, R g =9.6Ω,V GE =±15V, T J = 150 O C		192		ns
T R	O'sish vaqti			52		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			374		ns
T F	Pasayish vaqti			566		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			20.0		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			12.0		mJ
Ман SC	SC ma'lumotlari	T P ≤ 10 μs, V GE =15V, T J = 150 O C,V CC =1000V, V MET ≤ 1700V		200		A

Diod -Inverter Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V F	Oldinga chiquvchi diod Voltaj	Ман F =50A,V GE =0V,T J =25 O C		1.80	2.25	V
		Ман F =50A,V GE =0V,T J = 125 O C		1.95
		Ман F =50A,V GE =0V,T J = 150 O C		1.90
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 900V,I F =50A, -di⁄dt=850A⁄μs,V GE = 15V T J =25 O C		11.8		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			48		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			6.08		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 900V,I F =50A, -di⁄dt=850A⁄μs,V GE = 15V T J = 125 O C		20.7		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			52		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			11.4		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 900V,I F =50A, -di⁄dt=850A⁄μs,V GE = 15V T J = 150 O C		23.7		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			54		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			13.1		mJ

Diod -toʻgʻrilash Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V F	Oldinga chiquvchi diod Voltaj	Ман F =50A, V GE =0V, T J = 150 O C		1.14		V
Ман R	Aylana toki	T J = 150 O C,V R =1600V			3.0	mA

IGBT -Tormoz Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C =50A,V GE =15V, T J =25 O C		1.85	2.20	V
		Ман C =50A,V GE =15V, T J = 125 O C		2.25
		Ман C =50A,V GE =15V, T J = 150 O C		2.35
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi Voltaj	Ман C =2.0 mA ,V CE = V GE , T J =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Ман CES	Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov	V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 O C			5.0	mA
Ман GES	Darvoza emittorining oqishi Jorov	V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C			400	nA
R Gint	Ichki darvoza qarshiligi			9.5		Ω
C ies	Kirish sig'imi	V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V		6.02		NF
C res	Orqaga oʻtish Kalitlik	V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V		0.15		NF
Q g	Darvoza zaryadi	V GE = - 15 …+15V		0.47		μC
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 900V,I C =50A, R g =9.6Ω,V GE =±15V, T J =25 O C		163		ns
T R	O'sish vaqti			44		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			290		ns
T F	Pasayish vaqti			347		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			12.7		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			7.28		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 900V,I C =50A, R g =9.6Ω,V GE =±15V, T J = 125 O C		186		ns
T R	O'sish vaqti			51		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			361		ns
T F	Pasayish vaqti			535		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			17.9		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			11.1		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 900V,I C =50A, R g =9.6Ω,V GE =±15V, T J = 150 O C		192		ns
T R	O'sish vaqti			52		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			374		ns
T F	Pasayish vaqti			566		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			20.0		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			12.0		mJ
Ман SC	SC ma'lumotlari	T P ≤ 10 μs, V GE =15V, T J = 150 O C,V CC =1000V, V MET ≤ 1700V		200		A

Diod -Tormoz Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V F	Oldinga chiquvchi diod Voltaj	Ман F =50A,V GE =0V,T J =25 O C		1.80	2.25	V
		Ман F =50A,V GE =0V,T J = 125 O C		1.95
		Ман F =50A,V GE =0V,T J = 150 O C		1.90
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 900V,I F =50A, -di⁄dt=850A⁄μs,V GE = 15V T J =25 O C		11.8		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			48		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			6.08		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 900V,I F =50A, -di⁄dt=850A⁄μs,V GE = 15V T J = 125 O C		20.7		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			52		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			11.4		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 900V,I F =50A, -di⁄dt=850A⁄μs,V GE = 15V T J = 150 O C		23.7		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			54		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			13.1		mJ

NTC Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
R 25	Reyting qarshiligi			5.0		kΩ
∆R/R	Og'ish из R 100	T C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Quvvat Bo'shilish				20.0	mW
B 25/50	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Min.	Tip.	Max.	BIT
L CE	Yolgʻizlik induktansiyasi		60		nH
R CC+EE R AA + CC ’	Modulning oʻzlashtirilishi nce, Kontakt chipga		4.00 2.00		mΩ
R tJC	Junction -ga -vakalik (perIGBT -Inverter ) Junction-to-Case (DIODE-inverter uchun ter) Junction-to-Case (har bir Diode-rectif ier) Junction -ga -vakalik (perIGBT -Tormoz ) Junction-to-Case (diode uchun-br ake)			0.390 0.554 0.565 0.390 0.554	K/W
R tCH	vakalik -ga -Issiqlik sinki (perIGBT -Inverter )Case-to-Heatsink (har bir Diode-i nverter) Case-to-Heatsink (har bir Diode-re ctifier) vakalik -ga -Issiqlik sinki (perIGBT -Tormoz ) Case-to-Heatsink (diode uchun-br ake) Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)		0.145 0.205 0.210 0.145 0.205 0.009		K/W
M	Montaj vringli kuch Varaq:M5	3.0		6.0	N.M
g	Og'irlik из Modul		300		g