GD400HTX120P6HFL, IGBT Moduli, STARPOWER

Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli ,ishlab chiqarilgan STARPOWER . 1200V 400A. Oʻrtacha

Xususiyatlari

Past VCE (sat) trench IGBT texnologiyasi
Pastki o'zgarish yo'qotishlari
6μs qisqa uzilish qobiliyati
VCE (sat) musbat harorat koeffitsiyenti bilan
Eng katta junction temperaturi 175 ℃
Past induktivlik bilan qoplangan
Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
Izolyatsiyali kopor fin asosiy plita Si orqali ishlatiladi ₃N ₄AMB texnologiya

Oddiy qoʻllanmalar

Avtomobil sanoatida qo'llanmalar
Gibrid va elektr transport vositalari
Motorli harakatlantiruvchi inverter

Absolyut Maksimal Baholashlar T F =25 O C agar boshqa belgilangan

IGBT

Simvol	Tavsif	Qiymatlari	BIT
V CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	1200	V
V GES	Chiqargichning kuchlanishi	±20	V
Ман CN	Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent	400	A
Ман C	Kollektor oqimi @ T F =100 O C	250	A
Ман m	Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms	800	A
P D	Maksimal Quvvat Yo'qotish атион @ T F =75 O C T J = 175 O C	862	W

Diod

Simvol	Tavsif	Qiymatlari	BIT
V RRM	Takrorlanadigan yuqori voltada GE	1200	V
Ман ФН	Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent	400	A
Ман F	Diod Davomiy Oldinga Cu rrent	250	A
Ман Fm	Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms	800	A
Ман 2T	Ман 2t-qiymati,t P =10ms @ T J = 125 O C @ T J = 150 O C	17860 15664	A 2s

Modul

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
T jmax	Maksimal bogʻlanish harorati	175	O C
T joʻp	Ishlanish boʻgʻinlari harorati uzluksiz 10s davomida 30s, yuz berish umr davomida maksimal 3000 marta men	-40 dan +150 gacha +150 dan +175 gacha	O C
T STG	Saqlash temperaturasi diapazoni	-40 dan +125 gacha	O C
V ISO	Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min	3000	V

IGBT Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C =250A,V GE =15V, T J =25 O C		1.45	1.80	V
		Ман C =250A,V GE =15V, T J = 125 O C		1.65
		Ман C =250A,V GE =15V, T J = 150 O C		1.70
		Ман C =380A,V GE =15V, T J =25 O C		1.70
		Ман C =380A,V GE =15V, T J = 150 O C		2.15
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi Voltaj	Ман C =9.75 mA ,V CE = V GE , T J =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Ман CES	Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov	V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 O C			1.0	mA
Ман GES	Darvoza emittorining oqishi Jorov	V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C			400	nA
R Gint	Ichki darvoza qarshiligi			2.4		Ω
C ies	Kirish sig'imi	V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V		33.6		NF
C o'qish	Chiqarish quvvati			1.43		NF
C res	Orqaga oʻtish Kalitlik			0.82		NF
Q g	Darvoza zaryadi	V CE = 600V,I C =250A, V GE =-8... +15V		1.98		μC
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =250A, R g = 2,2Ω, L s = 24 nH ,V GE =-8V/+15V, T J =25 O C		231		ns
T R	O'sish vaqti			50		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			545		ns
T F	Pasayish vaqti			172		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			19.6		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			23.2		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =250A, R g = 2,2Ω, L s = 24 nH ,V GE =-8V/+15V, T J = 125 O C		241		ns
T R	O'sish vaqti			57		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			619		ns
T F	Pasayish vaqti			247		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			26.6		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			28.7		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =250A, R g = 2,2Ω, L s = 24 nH ,V GE =-8V/+15V, T J = 150 O C		245		ns
T R	O'sish vaqti			57		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			641		ns
T F	Pasayish vaqti			269		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			30.1		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			30.9		mJ
Ман SC	SC ma'lumotlari	T P ≤6μs, V GE =15V, T J = 150 O C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V		1200		A

Diod Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V F	Oldinga chiquvchi diod Voltaj	Ман F =250A,V GE =0V,T J =25 O C		1.50	1.90	V
		Ман F =250A,V GE =0V,T J = 1 25O C		1.45
		Ман F =250A,V GE =0V,T J = 1 50O C		1.40
		Ман F =380A,V GE =0V,T J =25 O C		1.65
		Ман F =380A,V GE =0V,T J = 1 50O C		1.60
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 600V,I F =250A, -di\/dt=4860A\/μs,V GE = 8V L s = 24 nH ,T J =25 O C		9.10		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			160		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			4.39		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 600V,I F =250A, -di/dt=4300A/μs,V GE = 8V L s = 24 nH ,T J = 125 O C		21.4		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			192		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			8.43		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 600V,I F =250A, -di⁄dt=4120A⁄μs,V GE = 8V L s = 24 nH ,T J = 150 O C		25.7		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			203		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			9.97		mJ

NTC Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
R 25	Reyting qarshiligi			5.0		kΩ
∆R/R	Og'ish из R 100	T C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Quvvat Bo'shilish				20.0	mW
B 25/50	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Min.	Tip.	Max.	BIT
L CE	Yolgʻizlik induktansiyasi		8		nH
R CC+EE	Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish		0.75		mΩ
△ P	△ V/ △ t=10.0 dm 3/Min ,T F =75 O C		64		mbar
P	Sovutish davridagi maksimal bosim cuit			2.5	ta
R thJF	Junction -ga -Тезиқлаштириш Suyuqlik (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (D bo'yicha yod)		0.098 0.128	0.116 0.150	K/W
M	terminalga ulanish vringli kuchi, Screw M5 Montaj vringli kuch Burg'u M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.M
g	Og'irlik из Modul		750		g