GD400HTX120P4SD,IGBT Модуль,STARPOWER

Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli ,ishlab chiqarilgan STARPOWER . 1200V 400A. Oʻrtacha

Xususiyatlari

Past VCE (sat) trench IGBT texnologiyasi
Pastki o'zgarish yo'qotishlari
10 μs qisqa uzilish qobiliyati
VCE (sat) musbat harorat koeffitsiyenti bilan
Eng yuqori bog'lanish harorati 175oC
Past induktivlik bilan qoplangan
Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
Изоляция DBC технологиясида фойдаланган куприй пинфин асоси

Oddiy qoʻllanmalar

Gibrid va elektr transport vositalari
Motorli harakatlantiruvchi inverter
Айрмасиз куcych таminоти

Absolyut Maksimal Baholashlar T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
V CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	1200	V
V GES	Chiqargichning kuchlanishi	±20	V
Ман CN	Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent	400	A
Ман C	Kollektor oqimi @ T F =25 O C @ T F =75 O C	400 300	A
Ман m	Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms	800	A
P D	Maksimal quvvat J = 175 O C	1500	W

IGBT

Diod

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
V RRM	Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi	1200	V
Ман ФН	Амалга оширилган Forward Cu rrent	400	A
Ман F	Diod Davomiy Oldinga Cu rrent	300	A
Ман Fm	Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms	800	A

Modul

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
T jmax	Maksimal bogʻlanish harorati	175	O C
T joʻp	Ishlanish boʻgʻinlari harorati	-40 dan +150 gacha	O C
T STG	Saqlash temperaturasi diapazoni	-40 dan +125 gacha	O C
V ISO	Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C = 300A,V GE =15V, T J =25 O C		1.50	1.95	V
		Ман C = 300A,V GE =15V, T J = 125 O C		1.60
		Ман C = 300A,V GE =15V, T J = 150 O C		1.65
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi Voltaj	Ман C = 16,0 mA ,V CE = V GE , T J =25 O C	5.3	5.8	6.3	V
Ман CES	Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov	V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 O C			1.0	mA
Ман GES	Darvoza emittorining oqishi Jorov	V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C			400	nA
R Gint	Ichki darvoza qarshiligi			0.5		Ω
C ies	Kirish sig'imi	V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V		41.4		NF
C res	Orqaga oʻtish Kalitlik	V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V		1.16		NF
Q g	Darvoza zaryadi	V GE =15V		3.11		μC
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC =500V,I C = 300A, R g =1.5Ω,V GE =±15V, ls =25 nH ,T J =25 O C		223		ns
T R	O'sish vaqti			32		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			354		ns
T F	Pasayish vaqti			228		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			6.24		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			20.1		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC =500V,I C = 300A, R g =1.5Ω,V GE =±15V, Ls=25nH,T J = 125 O C		229		ns
T R	O'sish vaqti			36		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			411		ns
T F	Pasayish vaqti			344		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			11.0		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			28.6		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC =500V,I C = 300A, R g =1.5Ω,V GE =±15V, Ls=25nH,T J = 150 O C		231		ns
T R	O'sish vaqti			38		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			421		ns
T F	Pasayish vaqti			352		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			12.2		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			29.7		mJ
Ман SC	SC ma'lumotlari	T P ≤ 10 μs, V GE =15V, T J = 150 O C,V CC = 900V, V MET ≤ 1200V		1600		A

Diod Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V F	Oldinga chiquvchi diod Voltaj	Ман F = 300A,V GE =0V,T J =25 O C		1.35	1.80	V
		Ман F = 300A,V GE =0V,T J = 1 25O C		1.35
		Ман F = 300A,V GE =0V,T J = 1 50O C		1.35
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R =500V,I F = 300A, -di⁄dt=9700A⁄μs,V GE = 15V Ls=25nH,T J =25 O C		32.7		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			478		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			22.1		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R =500V,I F = 300A, -di⁄dt=8510A⁄μs,V GE = 15V Ls=25nH,T J = 125 O C		45.9		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			522		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			32.7		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R =500V,I F = 300A, -di⁄dt=8250A⁄μs,V GE = 15V Ls=25nH,T J = 150 O C		51.5		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			537		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			37.4		mJ

NTC Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
R 25	Reyting qarshiligi			5.0		kΩ
∆R/R	Og'ish из R 100	T C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Quvvat Bo'shilish				20.0	mW
B 25/50	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Min.	Tip.	Max.	BIT
△ P	Bosim tushishi Sovutish Cir cuit △ V/ △ t=10.0 dm 3/Min ;T F =25 O C ;Тезиқлаштириш Suyuqlik=50% Suv/50% Etilen Glykol		100		mbar
P	Sovutish davridagi maksimal bosim cuit			2.5	ta
L CE	Yolgʻizlik induktansiyasi		14		nH
R CC+EE	Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish		0.80		mΩ
R thJF	Junction -ga -Тезиқлаштириш Suyuqlik (perIGBT ) Kesi-uzatish suyuqligiga (per Di oʻqilgan)			0.100 0.125	K/W
M	terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub	2.5 3.0		5.0 6.0	N.M
g	Og'irlik из Modul		1340		g