GD3600SGX170C4S,IGBT Moduli,Katta to'kilotli igbt moduli,STARPOWER

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1700

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =100 O C

3600

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

7200

A

P D

Maksimal quvvat J = 175 O C

21.4

кВт

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1700

V

Ман F

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

3600

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

7200

A

Ман FSM

To'qimlik sur'i V R =0V,T P =10ms, @T J =25 O C @T J = 150 O C

23.22 19.95

kA

Ман 2T

Ман 2t-qiymati,V R =0V,T P =10m s,T J =25 O C Ман 2t-qiymati,V R =0V,T P = 10 ms ,t J = 150 O C

2695

1990

kA 2s

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

O C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

O C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

O C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 3600A,V GE =15V, T J =25 O C

1.85

2.30

V

Ман C = 3600A,V GE =15V, T J = 125 O C

2.25

Ман C = 3600A,V GE =15V, T J = 150 O C

2.30

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

Ман C =144.0 mA ,V CE = V GE , T J =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 O C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

0.7

Ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

427

NF

C res

Orqaga oʻtish Kalitlik

10.7

NF

Q g

Darvoza zaryadi

V GE =-15...+15V

35.3

μC

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C = 3600A, R Gon = 1,2Ω, R Goff =0.9Ω, V GE =-9V/+15V,

L s =65 nH ,T J =25 O C

1161

ns

T R

O'sish vaqti

413

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

4761

ns

T F

Pasayish vaqti

430

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

1734

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

2580

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C = 3600A, R Gon = 1,2Ω, R Goff =0.9Ω, V GE =-9V/+15V,

L s =65 nH ,T J = 125 O C

1370

ns

T R

O'sish vaqti

547

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

5303

ns

T F

Pasayish vaqti

457

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

2679

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

2881

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C = 3600A, R Gon = 1,2Ω, R Goff =0.9Ω, V GE =-9V/+15V,

L s =65 nH ,T J = 150 O C

1413

ns

T R

O'sish vaqti

585

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

5490

ns

T F

Pasayish vaqti

473

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

2863

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

2960

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T J = 150 O C,V CC =1000V, V MET ≤ 1700V

14.0

kA

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

Ман F = 3600A,V GE =0V,T J = 25O C

1.80

2.25

V

Ман F = 3600A,V GE =0V,T J = 125 O C

1.90

Ман F = 3600A,V GE =0V,T J = 150 O C

1.95

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 3600A,

-di/dt=7000A/μs,V GE =-9V, L s =65 nH ,T J =25 O C

207

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

1030

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

199

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 3600A,

-di/dt=5700/μs,V GE =-9V, L s =65 nH ,T J = 125 O C

288

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

1020

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

339

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 3600A,

-di/dt=5200A/μs,V GE =-9V, L s =65 nH ,T J = 150 O C

391

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

996

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

341

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

BIT

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

6.0

nH

R CC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

0.085

mΩ

R tJC

Junction -ga -vakalik (perIGBT ) Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

7.0 12.8

K/kW

R tCH

vakalik -ga -Issiqlik sinki (perIGBT )Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)

6.2 11.3 4.0

K/kW

D Yovuzlik

Terminal va issiq yotiri orasida Terminal va terminal orasida

32.2 32.2

mm

D aniq

Terminal va issiq yotiri orasida Terminal va terminal orasida

19.1 19.1

mm

M

terminalga ulanish vringli kuchi, Burg'u M4 terminalga ulanish vringli kuchi, Burg'u M8 Montaj vringli kuch M6 shrub

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

g

Og'irlik из Modul

2060

g