IGBT Modul 1200V

Simvol

Tavsif

GD3600SGT120C4S

Birliklar

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

± 20

V

Ман C

@ T C =25 °C

@ T C =80 °C

4800

A

3600

Ман m (1)

Pulsli kollektor oqimi t P = 1ms

7200

A

Ман F

Diod doimiy oldinga oqim

3600

A

Ман Fm

Diodning maksimal oldinga burilishi ijara

7200

A

P D

Maksimal quvvat J = 17 5°C

16.7

кВт

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

°C

T STG

Saqlanish harorat oraliqi

-40 dan +125 gacha

°C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

O'rnatish

Signal terminalining Varaq:M4

1.8 gacha 2.1

Kuch terminalining viski:M8

8.0 dan 10

N.M

Момент

O'rnatish Varaq:M6

4.25 dan 5.75

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V (BR )CES

Kollektor-tarqatuvchi

Жорайвий чораларни босим

T J =25 °C

1200

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 °C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi

Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 °C

400

nA

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C =145 mA ,V CE = V GE ,T J =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 3600A,V GE =15V, T J =25 °C

1.70

2.15

V

Ман C = 3600A,V GE =15V, T J = 125 °C

2.00

2.45

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

Q g

Darvoza zaryadi

V GE =- 15...+15V

35.0

μC

R Gint

Ichki Gate Rezistor

T J =25 °C

0.5

Ω

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 3600A, R Gon = 0,8Ω,

R Goff = 0,2Ω,

V GE = ± 15V,T J =25 °C

600

ns

T R

O'sish vaqti

235

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

825

ns

T F

Pasayish vaqti

145

ns

E включено

Oʻchirish Oʻzgaruvchan yoʻqotish

/

mJ

E o'chirilgan

O'chirishni o'chirish yo'qotilishi

/

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 3600A, R Gon = 0,8Ω,

R Goff = 0,2Ω,

V GE = ± 15V,T J = 125 °C

665

ns

T R

O'sish vaqti

215

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

970

ns

T F

Pasayish vaqti

180

ns

E включено

Oʻchirish Oʻzgaruvchan yoʻqotish

736

mJ

E o'chirilgan

O'chirishni o'chirish yo'qotilishi

569

mJ

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V

258

NF

C o'qish

Chiqarish quvvati

13.5

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

11.7

NF

Ман SC

SC ma'lumotlari

T s C ≤ 10 μs, V GE =15V, T J = 125 °C V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

14000

A

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

10

nH

R CC + EE ’

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

0.12

M Ω

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F = 3600A

T J =25 °C

1.65

2.15

V

T J = 125 °C

1.65

2.15

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

Ман F = 3600A,

V R = 600 V,

R Gon = 0,8Ω,

V GE =- 15V

T J =25 °C

360

μC

T J = 125 °C

670

Ман RM

Qayta tiklanish Jorov

T J =25 °C

2500

A

T J = 125 °C

3200

E rek

Qayta tiklanish energiya

T J =25 °C

97

mJ

T J = 125 °C

180

Simvol

Parametr

Tip.

Max.

Birliklar

R θ JC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

9.0

K/kW

R θ JC

Qatlamga bog'lanish (dion uchun) de)

15.6

K/kW

R θ CS

Qopqoqdan cho'kishgacha

(Tashlab berilgan o'tkazuvchan yog'(M) ga (oʻqilgan)

4

K/kW

Og'irlik

Og'irlik из Modul

2250

g