GD300MPX120C6SA, IGBT Moduli, STARPOWER

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 O C @ T C =100 O C

468

300

A

Ман CRM

Takroriy Pik Kollektor Jorov tp cheklangan tomonidan T vjop

600

A

P D

Maksimal quvvat vj = 175 O C

1530

W

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1200

V

Ман F

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

300

A

Ман FRM

Takroriy Pik Oldinga Jorov tp cheklangan tomonidan T vjop

600

A

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1200

V

Ман F

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

300

A

Ман FRM

Takroriy Pik Oldinga Jorov tp cheklangan tomonidan T vjop

600

A

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

T vjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

O C

T vjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

O C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

O C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 300A,V GE =15V, T vj =25 O C

1.70

2.15

V

Ман C = 300A,V GE =15V, T vj = 125 O C

1.95

Ман C = 300A,V GE =15V, T vj = 150 O C

2.00

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

Ман C =12.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C

1.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

2.5

Ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V

31.1

NF

C res

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.87

NF

Q g

Darvoza zaryadi

V GE = - 15 …+15V

2.33

μC

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 300A, R g =2.4Ω,Ls=35nH, V GE =± 15V,T vj =25 O C

215

ns

T R

O'sish vaqti

53

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

334

ns

T F

Pasayish vaqti

205

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

21.5

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

20.7

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 300A, R g =2.4Ω,Ls=35nH, V GE =± 15V,T vj = 125 O C

231

ns

T R

O'sish vaqti

59

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

361

ns

T F

Pasayish vaqti

296

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

30.1

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

28.1

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 300A, R g =2.4Ω,Ls=35nH, V GE =± 15V,T vj = 150 O C

240

ns

T R

O'sish vaqti

62

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

376

ns

T F

Pasayish vaqti

311

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

32.9

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

29.9

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj = 150 O C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

1200

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

Ман F = 300A,V GE =0V,T vj = 2 5O C

1.85

2.30

V

Ман F = 300A,V GE =0V,T vj = 125 O C

1.90

Ман F = 300A,V GE =0V,T vj = 150 O C

1.95

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 300A,

-di⁄dt=2937A⁄μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T vj =25 O C

36.3

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

235

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

15.7

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 300A,

-di⁄dt=2720A⁄μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T vj = 125 O C

61.3

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

257

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

27.5

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 300A,

-di⁄dt=2616A⁄μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T vj = 150 O C

68.8

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

262

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

30.8

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

Ман F = 300A,V GE =0V,T vj = 2 5O C

1.85

2.30

V

Ман F = 300A,V GE =0V,T vj = 125 O C

1.90

Ман F = 300A,V GE =0V,T vj = 150 O C

1.95

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 300A,

-di⁄dt=5683A⁄μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T vj =25 O C

36.2

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

290

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

13.4

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 300A,

-di/dt=4958A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T vj = 125 O C

56.6

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

301

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

22.2

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 300A,

-di/dt=4673A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T vj = 150 O C

65.9

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

306

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

26.3

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

∆R/R

Og'ish из R 100

T C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

BIT

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

35

nH

R CC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

1.45

mΩ

R tJC

Junction -ga -vakalik (perIGBT -Inverter ) Ko'paytirgichga qarama-qarshi junction (har bir diod-invert er) Ko'paytirgichga qarama-qarshi junction (har bir diod-3-st ep)

0.098 0.176 0.176

K/W

R tCH

Ko'paytirgich bilan sink (har bir IGBT-in verter) Ko'paytirgich bilan sink (har bir diod-i nverter) Ko'paytirgich bilan sink (har bir diod-3- daraja) Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

0.033 0.059 0.059 0.009

K/W

M

terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch Screw M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

g

Og'irlik из Modul

350

g