GD300HFX170C6SA,IGBT Moduli,STARPOWER

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1700

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 O C @ T C =100 O C

493

300

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

600

A

P D

Maksimal quvvat J = 175 O C

1829

W

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1700

V

Ман F

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

300

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

600

A

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

O C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

O C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

O C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 300A,V GE =15V, T J =25 O C

1.85

2.20

V

Ман C = 300A,V GE =15V, T J = 125 O C

2.25

Ман C = 300A,V GE =15V, T J = 150 O C

2.35

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

Ман C =12.0 mA ,V CE = V GE , T J =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 O C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

2.5

Ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V

36.1

NF

C res

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.88

NF

Q g

Darvoza zaryadi

V GE = - 15 …+15V

2.83

μC

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C = 300A,

R Gon =3.3Ω, R Goff =4.7Ω, L s =66nH,V GE =±15V, T J =25 O C

265

ns

T R

O'sish vaqti

94

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

565

ns

T F

Pasayish vaqti

326

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

77.6

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

52.8

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C = 300A,

R Gon =3.3Ω, R Goff =4.7Ω, L s =66nH,V GE =±15V, T J = 125 O C

302

ns

T R

O'sish vaqti

104

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

631

ns

T F

Pasayish vaqti

521

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

108

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

72.8

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C = 300A,

R Gon =3.3Ω, R Goff =4.7Ω, L s =66nH,V GE =±15V, T J = 150 O C

313

ns

T R

O'sish vaqti

108

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

645

ns

T F

Pasayish vaqti

545

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

119

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

78.4

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T J = 150 O C ,V CC =1000V, V MET ≤ 1700V

1200

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

Ман F = 300A,V GE =0V,T J =25 O C

1.80

2.25

V

Ман F = 300A,V GE =0V,T J = 1 25O C

1.95

Ман F = 300A,V GE =0V,T J = 1 50O C

1.90

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 300A,

-di⁄dt=2650A⁄μs,V GE = 15V L s =66 nH ,T J =25 O C

56.3

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

228

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

38.4

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 300A,

-di⁄dt=2300A⁄μs,V GE = 15V L s =66 nH ,T J = 125 O C

89.6

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

262

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

60.2

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 300A,

-di⁄dt=2250A⁄μs,V GE = 15V L s =66 nH ,T J = 150 O C

102

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

272

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

69.6

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

∆R/R

Og'ish из R 100

T C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

BIT

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

1.10

mΩ

R tJC

Junction -ga -vakalik (perIGBT ) Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

0.082 0.121

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT) Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)

0.030 0.045 0.009

K/W

M

terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch Screw M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

g

Og'irlik из Modul

350

g