IGBT Modul 1700V

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1700

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

493

300

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

600

A

P D

Maksimal quvvatni yoʻq qilish T = 175 O C

1829

W

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 300A,V GE =15V, T J =25 O C

1.85

2.20

V

Ман C = 300A,V GE =15V, T J = 125 O C

2.25

Ман C = 300A,V GE =15V, T J = 150 O C

2.35

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C = 12,0 mA,V CE =V GE , T J =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V,

T J =25 O C

1.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

2.5

Ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

36.1

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

0.88

NF

Q g

Darvoza zaryadi

V GE =- 15...+15V

2.83

μC

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C = 300A, R g = 2,4Ω,

V GE =±15V, T J =25 O C

204

ns

T R

O'sish vaqti

48

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

595

ns

T F

Pasayish vaqti

100

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

69.3

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

63.3

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C = 300A, R g = 2,4Ω

V GE =±15V, T J = 125O C

224

ns

T R

O'sish vaqti

55

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

611

ns

T F

Pasayish vaqti

159

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

96.8

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

99.0

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C = 300A, R g = 2,4Ω

V GE =±15V, T J = 150O C

240

ns

T R

O'sish vaqti

55

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

624

ns

T F

Pasayish vaqti

180

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

107

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

105

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs,V GE =15V,

T J = 150 O C,V CC = 1000 V, V MET ≤ 1700V

1200

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F = 300A,V GE =0V,T J =25 O C

1.80

2.25

V

Ман F = 300A,V GE =0V,T J = 125O C

1.90

Ман F = 300A,V GE =0V,T J = 150O C

1.95

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T J =25 O C

55

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

297

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

32.2

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T J = 125 O C

116

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

357

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

68.2

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T J = 150 O C

396

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

120

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

81.6

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

BIT

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modulning oʻzlashtirilishi nce, terminaldan chipga

0.35

mΩ

R tJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

0.082

0.129

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT)

Issiqlik sinkiga boʻlgan qoʻllanma (p) er Diod)

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

0.033

0.051

0.010

K/W

M

terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Og'irlik из Modul

300

g