GD300HFX120C6SA, IGBT Moduli, STARPOWER

Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli ,ishlab chiqarilgan STARPOWER . 1200V 300A. Oʻrtacha

Xususiyatlari

Past V Oʻzbekiston Respublikasi Trench IGB T texnologiyasi

10 μs qisqa uzilish Capability

V CE (sat ) bilan ijobiy Harorat Koeffitsiyenti

Maksimal Junction harorati 175O C

Past induktivlik bilan qoplangan

Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD

Izolyatsionlangan mayak asosiy ploskosti DBC texnologiyasi orqali ishlatilgan

Oddiy qoʻllanmalar

Motorli harakatlantiruvchi inverter

AC va DC servo Dastur kuchaytirgich oʻtish

To'xtovsiz quvvat ta'minoti

Absolyut Maksimal Baholashlar T F =25 O C agar boshqa belgilangan

IGBT

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
V CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	1200	V
V GES	Chiqargichning kuchlanishi	±20	V
Ман C	Kollektor oqimi @ T C =25 O C @ T C =100 O C	496 300	A
Ман m	Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms	600	A
P D	Maksimal quvvat J = 175 O C	1685	W

Diod

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
V RRM	Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi	1200	V
Ман F	Diod Davomiy Oldinga Cu rrent	300	A
Ман Fm	Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms	600	A

Modul

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
T jmax	Maksimal bogʻlanish harorati	175	O C
T joʻp	Ishlanish boʻgʻinlari harorati	-40 dan +150 gacha	O C
T STG	Saqlash temperaturasi diapazoni	-40 dan +125 gacha	O C
V ISO	Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C = 300A,V GE =15V, T J =25 O C		1.70	2.15	V
		Ман C = 300A,V GE =15V, T J = 125 O C		1.95
		Ман C = 300A,V GE =15V, T J = 150 O C		2.00
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi Voltaj	Ман C =12.0 mA ,V CE = V GE , T J =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Ман CES	Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov	V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 O C			1.0	mA
Ман GES	Darvoza emittorining oqishi Jorov	V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C			400	nA
R Gint	Ichki darvoza qarshiligi oʻtish			2.5		Ω
C ies	Kirish sig'imi	V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V		31.1		NF
C res	Orqaga oʻtish Kalitlik	V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V		0.87		NF
Q g	Darvoza zaryadi	V GE = - 15 …+15V		2.33		μC
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C = 300A, R g =1.5Ω,V GE =±15V, T J =25 O C		313		ns
T R	O'sish vaqti			57		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			464		ns
T F	Pasayish vaqti			206		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			9.97		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			28.6		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C = 300A, R g =1.5Ω,V GE =±15V, T J = 125 O C		336		ns
T R	O'sish vaqti			66		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			528		ns
T F	Pasayish vaqti			299		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			21.1		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			36.6		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C = 300A, R g =1.5Ω,V GE =±15V, T J = 150 O C		345		ns
T R	O'sish vaqti			68		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			539		ns
T F	Pasayish vaqti			309		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			25.6		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			37.8		mJ
Ман SC	SC ma'lumotlari	T P ≤ 10 μs, V GE =15V, T J = 150 O C,V CC = 900V, V MET ≤ 1200V		1200		A

Diod Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Birliklar
V F	Oldinga chiquvchi diod Voltaj	Ман F = 300A,V GE =0V,T J =25 O C		1.85	2.30	V
		Ман F = 300A,V GE =0V,T J = 1 25O C		1.90
		Ман F = 300A,V GE =0V,T J = 1 50O C		1.95
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V CC = 600V,I F = 300A, -di⁄dt=6950A⁄μs,V GE = 15V, T J =25 O C		10.8		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			272		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			9.53		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V CC = 600V,I F = 300A, -di⁄dt=6090A⁄μs,V GE = 15V, T J = 125 O C		24.2		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			276		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			18.4		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V CC = 600V,I F = 300A, -di⁄dt=5440A⁄μs,V GE = 15V, T J = 150 O C		33.6		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			278		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			20.6		mJ

NTC Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
R 25	Reyting qarshiligi			5.0		kΩ
∆R/R	Og'ish из R 100	T C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Quvvat Bo'shilish				20.0	mW
B 25/50	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Min.	Tip.	Max.	BIT
L CE	Yolgʻizlik induktansiyasi		20		nH
R CC+EE	Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish		1.10		mΩ
R tJC	Junction -ga -vakalik (perIGBT ) Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)			0.089 0.150	K/W
R tCH	vakalik -ga -Issiqlik sinki (perIGBT ) Issiqlik sinkiga o'xshash kassa (diod bo'yicha) Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)		0.029 0.048 0.009		K/W
M	terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch Screw M5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.M
g	Og'irlik из Modul		350		g