GD300FFA120C6S, IGBT Moduli, STARPOWER

Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli ,ishlab chiqarilgan STARPOWER . 1200V 300A. Oʻrtacha

Xususiyatlari

Past VCE (sat) trench IGBT texnologiyasi
6μs qisqa uzilish qobiliyati
VCE(sat) bilan ijobiy Harorat Koeffitsiyenti
Eng yuqori bog'lanish harorati 175oC
Past induktivlik bilan qoplangan
Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
DBC texnologiyasi yordamida izolyatsiya qilingan mis po'stlang'ich

Oddiy qoʻllanmalar

Motorli harakatlantiruvchi inverter
AC va DC servo harakatlantiruvchi kuchaytirgich
Айрмасиз куcych таminоти

Absolyut Maksimal Baholashlar T F =25 O C agar boshqa belgilangan

IGBT

Simvol	Tavsif	Qiymatlari	BIT
V CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	1200	V
V GES	Chiqargichning kuchlanishi	±20	V
Ман C	Kollektor oqimi @ T C =25 O C @ T C =100 O C	320 300	A
Ман m	Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms	600	A
P D	Maksimal quvvat J = 175 O C	1063	W

Diod

Simvol	Tavsif	Qiymatlari	BIT
V RRM	Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi	1200	V
Ман F	Diod Davomiy Oldinga Cu rrent	300	A
Ман Fm	Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms	600	A

Modul

Simvol	Tavsif	Qiymatlari	BIT
T jmax	Maksimal bogʻlanish harorati	175	O C
T joʻp	Ishlanish boʻgʻinlari harorati	-40 dan +150 gacha	O C
T STG	Saqlash temperaturasi diapazoni	-40 dan +125 gacha	O C
V ISO	Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C = 300A,V GE =15V, T J =25 O C		1.40	1.85	V
		Ман C = 300A,V GE =15V, T J = 125 O C		1.60
		Ман C = 300A,V GE =15V, T J = 175 O C		1.60
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi Voltaj	Ман C = 8 mA ,V CE = V GE , T J =25 O C	5.5	6.3	7.0	V
Ман CES	Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov	V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 O C			1.0	mA
Ман GES	Darvoza emittorining oqishi Jorov	V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C			400	nA
R Gint	Ichki darvoza qarshiligi oʻtish			1.5		Ω
C ies	Kirish sig'imi	V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V		51.5		NF
C res	Orqaga oʻtish Kalitlik	V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V		0.36		NF
Q g	Darvoza zaryadi	V GE = - 15 …+15V		4.50		μC
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C = 300A, R g =1.5Ω, Ls=32nH, V GE =±15V, T J =25 O C		405		ns
T R	O'sish vaqti			83		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			586		ns
T F	Pasayish vaqti			129		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			34.3		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			19.3		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C = 300A, R g =1.5Ω, Ls=32nH, V GE =±15V, T J = 125 O C		461		ns
T R	O'sish vaqti			107		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			676		ns
T F	Pasayish vaqti			214		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			48.0		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			26.6		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C = 300A, R g =1.5Ω, Ls=32nH, V GE =±15V, T J = 175 O C		518		ns
T R	O'sish vaqti			124		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			738		ns
T F	Pasayish vaqti			264		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			58.1		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			31.7		mJ
Ман SC	SC ma'lumotlari	T P ≤7μs, V GE =15V, T J = 150 O C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V		1150		A
Ман SC	SC ma'lumotlari	T P ≤6μs, V GE =15V, T J = 175 O C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V		1110		A

Diod Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Birliklar
V F	Oldinga chiquvchi diod Voltaj	Ман F = 300A,V GE =0V,T J =25 O C		1.60	2.00	V
		Ман F = 300A,V GE =0V,T J = 1 25O C		1.60
		Ман F = 300A,V GE =0V,T J = 1 75O C		1.50
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 600V,I F = 300A, -di/dt=3135A/μs, V GE = 15V, Ls=32nH, T J =25 O C		19.1		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			140		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			4.92		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 600V,I F = 300A, -di/dt=2516A/μs, V GE = 15V Ls=32nH, T J = 125 O C		33.7		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			159		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			9.35		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 600V,I F = 300A, -di/dt=2204A/μs, V GE = 15V Ls=32nH, T J = 175 O C		46.8		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			171		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			13.7		mJ

NTC Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
R 25	Reyting qarshiligi			5.0		kΩ
∆R/R	Og'ish из R 100	T C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Quvvat Bo'shilish				20.0	mW
B 25/50	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Min.	Tip.	Max.	BIT
L CE	Yolgʻizlik induktansiyasi		21		nH
R CC+EE	Modulning oʻzlashtirilishi nce, Kontakt chipga		1.80		mΩ
R tJC	Junction -ga -vakalik (perIGBT ) Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)			0.141 0.243	K/W
R tCH	vakalik -ga -Issiqlik sinki (perIGBT )Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)		0.085 0.147 0.009		K/W
M	O'rnatish viski:M6	3.0		6.0	N.M
g	Og'irlik из Modul		300		g