Barcha kategoriyalar

IGBT Modul 1200V

IGBT Modul 1200V

Bosh sahifa /  Mahsulotlar /  IGBT moduli /  IGBT Modul 1200V

GD300CUX120C2SA, IGBT Moduli, STARPOWER

IGBT Moduli, 1200V 300A, Paket:C2

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300CUX120C2SA
  • Kirish
  • Koʻrinish
  • Ekvivalent sxemasi
Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli ,ishlab chiqarilgan STARPOWER . 1200V 300A. Oʻrtacha

Xususiyatlari

  • Past VCE (sat) Trench IGBT texnologiyasi
  • 10 μs qisqa uzilish qobiliyati
  • VCE(sat) bilan ijobiy harorat koeffitsiyenti
  • Eng yuqori bog'lanish harorati 175oC
  • Past induktivlik bilan qoplangan
  • Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
  • DBC texnologiyasi yordamida izolyatsiya qilingan mis po'stlang'ich

Oddiy qoʻllanmalar

  • Oʻzgaruvchan rejimli quvvat taʼminoti
  • Induktiv isitish
  • Elektron payvandlash

Absolyut Maksimal Baholashlar T F =25 o C agar boshqa belgilangan

IGBT

Simvol

Tavsif

Qiymat

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 o C @ T C =100 o C

477

300

A

Ман M

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

600

A

P D

Maksimal quvvat vj = 175 o C

1578

W

Diod

Simvol

Tavsif

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1200

V

Ман F

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

300

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

600

A

Modul

Simvol

Tavsif

Qiymat

Бирлик

T vjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T vjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

IGBT Xususiyatlari T C =25 o C agar boshqa belgilangan

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 300A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.70

2.15

V

Ман C = 300A,V GE =15V, T vj = 125 o C

1.95

Ман C = 300A,V GE =15V, T vj = 150 o C

2.00

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

Ман C =12.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

1.0

ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V

31.1

nF

C res

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.87

nF

Q G

Darvoza zaryadi

V GE = - 15 …+15V

2.33

μC

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 300A, R G =1.3Ω, Ls=43nH, V GE =± 15V,T vj =25 o C

181

ns

t r

O'sish vaqti

39

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

305

ns

t f

Pasayish vaqti

199

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

22.7

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

21.0

mJ

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 300A, R G =1.3Ω, Ls=43nH, V GE =± 15V,T vj = 125 o C

191

ns

t r

O'sish vaqti

45

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

357

ns

t f

Pasayish vaqti

313

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

39.8

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

30.7

mJ

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 300A, R G =1.3Ω, Ls=43nH, V GE =± 15V,T vj = 150 o C

193

ns

t r

O'sish vaqti

47

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

368

ns

t f

Pasayish vaqti

336

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

44.2

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

32.3

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj = 150 o C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

1200

A

Diod Xususiyatlari T C =25 o C agar boshqa belgilangan

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

Ман F = 300A,V GE =0V,T vj = 2 5o C

1.85

2.30

V

Ман F = 300A,V GE =0V,T vj = 125 o C

1.90

Ман F = 300A,V GE =0V,T vj = 150 o C

1.95

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F = 300A,

-di⁄dt=7400A⁄μs, Ls=43nH, V GE =-15V,T vj =25 o C

59.7

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

397

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

24.9

mJ

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F = 300A,

-di⁄dt=6300A⁄μs, Ls=43nH, V GE =-15V,T vj = 125 o C

91.8

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

383

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

36.5

mJ

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F = 300A,

-di⁄dt=6100A⁄μs, Ls=43nH, V GE =-15V,T vj = 150 o C

99.6

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

380

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

39.1

mJ

Modul Xususiyatlari T C =25 o C agar boshqa belgilangan

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha

0.35

R tJC

Junction -ga -Shartnomalar (perIGBT ) Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

0.095 0.163

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT) Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)

0.022 0.037 0.010

K/W

M

Terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Og'irlik из Modul

300

g

Koʻrinish

image(c3756b8d25).png

Ekvivalent sxemasi

Bezbosh xabar yuboring

Bizning ifodachisi tez orada siz bilan bog'lanadi.
Email
0/100
Ism
0/100
Kompaniya nomi
0/200
Xabar
0/1000

QO'ShMA mahsuloti

Bezbosh xabar yuboring

Bizning ifodachisi tez orada siz bilan bog'lanadi.
Email
0/100
Ism
0/100
Kompaniya nomi
0/200
Xabar
0/1000