GD260HTA120P7H_T, IGBT Moduli, STARPOWER

Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli ,ishlab chiqarilgan STARPOWER . 1200V 260A. Oʻrtacha

Xususiyatlari

Past VCE (sat) trench IGBT texnologiyasi
Pastki o'zgarish yo'qotishlari
6μs qisqa uzilish qobiliyati
VCE (sat) musbat harorat koeffitsiyenti bilan
Eng yuqori bog'lanish harorati 175oC
Past induktivlik bilan qoplangan
Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
Изоляция DBC технологиясида фойдаланган куприй пинфин асоси

Oddiy qoʻllanmalar

Avtomobil sanoatida qo'llanmalar
Gibrid va elektr transport vositalari
Motorli harakatlantiruvchi inverter

Absolyut Maksimal Baholashlar T F =25 O C agar boshqa belgilangan

IGBT

Simvol	Tavsif	Qiymatlari	BIT
V CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	1200	V
V GES	Chiqargichning kuchlanishi	±20	V
Ман CN	Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent	260	A
Ман C	Kollektor oqimi @ T F = 125 O C	150	A
Ман m	Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms	520	A
P D	Maksimal Quvvat Yo'qotish атион @ T F =75 O C T vj = 175 O C	526	W

Diod

Simvol	Tavsif	Qiymatlari	BIT
V RRM	Takrorlanadigan yuqori voltada GE	1200	V
Ман ФН	Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent	260	A
Ман F	Diod Davomiy Oldinga Cu rrent	150	A
Ман Fm	Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms	520	A

Modul

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
T vjmax	Maksimal bogʻlanish harorati	175	O C
T vjop	Ishlanish boʻgʻinlari harorati uzluksiz 10s davomida 30s, yuz berish umr davomida maksimal 3000 marta men	-40 dan +150 gacha +150 dan +175 gacha	O C
T STG	Saqlash temperaturasi diapazoni	-40 dan +125 gacha	O C
V ISO	Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min	2500	V

IGBT Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C =150A,V GE =15V, T vj =25 O C		1.15	1.50	V
		Ман C =150A,V GE =15V, T vj = 125 O C		1.20
		Ман C =150A,V GE =15V, T vj = 150 O C		1.20
		Ман C =260A,V GE =15V, T vj =25 O C		1.35
		Ман C =260A,V GE =15V, T vj = 150 O C		1.55
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi Voltaj	Ман C =10.4 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C		6.4		V
Ман CES	Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C			1.0	mA
Ман GES	Darvoza emittorining oqishi Jorov	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C			400	nA
R Gint	Ichki darvoza qarshiligi			2.50		Ω
C ies	Kirish sig'imi	V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V		54.1		NF
C o'qish	Chiqarish quvvati			1.04		NF
C res	Orqaga oʻtish Kalitlik			0.35		NF
Q g	Darvoza zaryadi	V CE = 600V,I C =260A, V GE =-8... +15V		3.54		μC
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =150A, R g =3.3Ω, V GE =-8V/+15V, L s =35 nH ,T vj =25 O C		345		ns
T R	O'sish vaqti			61		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			933		ns
T F	Pasayish vaqti			105		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			19.6		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			11.0		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =150A, R g =3.3Ω, V GE =-8V/+15V, L s =35 nH ,T vj = 125 O C		376		ns
T R	O'sish vaqti			69		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			1052		ns
T F	Pasayish vaqti			164		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			25.3		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			14.3		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =150A, R g =3.3Ω, V GE =-8V/+15V, L s =35 nH ,T vj = 150 O C		382		ns
T R	O'sish vaqti			73		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			1085		ns
T F	Pasayish vaqti			185		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			27.6		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			15.7		mJ
Ман SC	SC ma'lumotlari	T P ≤6μs, V GE =15V, T vj = 150 O C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V		800		A

Diod Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V F	Oldinga chiquvchi diod Voltaj	Ман F =150A,V GE =0V,T vj = 2 5O C		1.45	1.80	V
		Ман F =150A,V GE =0V,T vj = 125 O C		1.40
		Ман F =150A,V GE =0V,T vj = 150 O C		1.35
		Ман F =260A,V GE =0V,T vj = 2 5O C		1.65
		Ман F =260A,V GE =0V,T vj = 150 O C		1.65
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 600V,I F =150A, -di⁄dt=2690A⁄μs,V GE = 8V L s =35 nH ,T vj =25 O C		14.2		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			123		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			3.79		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 600V,I F =150A, -di⁄dt=2210A⁄μs,V GE = 8V L s =35 nH ,T vj = 125 O C		24.3		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			137		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			6.30		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 600V,I F =150A, -di⁄dt=2130A⁄μs,V GE = 8V L s =35 nH ,T vj = 150 O C		27.3		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			142		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			7.08		mJ

NTC Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
R 25	Reyting qarshiligi			5.0		kΩ
∆R/R	Og'ish из R 100	T C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Quvvat Bo'shilish				20.0	mW
B 25/50	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Min.	Tip.	Max.	BIT
△ P	Bosim tushishi Sovutish Cir cuit Δ V/Δt=10.0dm³/min;TF=2 5 O C;Sovutish Suyuqlik=50% Suv/50% Etilen Glykol		50		mbar
P	Sovutish davridagi maksimal bosim cuit			2.0	ta
R thJF	Junction -ga -Тезиқлаштириш Suyuqlik (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (D bo'yicha yod) △ V/ △ t=10.0 dm 3/Min ,T F =75 O C		0.165 0.265	0.190 0.305	K/W
M	terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch Screw M5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.M
g	Og'irlik из Modul		685		g