GD2400SGX170C4S, IGBT Moduli, Yuqori jarayonli igbt moduli, STARPOWER

Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli ,ishlab chiqarilgan STARPOWER tomonidan. 1 700V 2400A ,C4 .

Xususiyatlari

Past VCE (sat) trench IGBT texnologiyasi
10 μs qisqa uzilish qobiliyati
VCE (sat) musbat harorat koeffitsiyenti bilan
Eng katta junction temperaturi 175 ℃
Past induktivlik bilan qoplangan
Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
DBC texnologiyasi yordamida izolyatsiya qilingan mis po'stlang'ich

Oddiy qoʻllanmalar

Yuqori quvvatli konverterlar
Motor drayverlari

Absolyut Maksimal Baholashlar T C =25 O C agar boshqa belgilangan

IGBT

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
V CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	1700	V
V GES	Chiqargichning kuchlanishi	±20	V
Ман C	Kollektor oqimi @ T C =100 O C	2400	A
Ман m	Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms	4800	A
P D	Maksimal quvvat J = 175 O C	15.8	кВт

Diod

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
V RRM	Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi	1700	V
Ман F	Diod Davomiy Oldinga Cu rrent	2400	A
Ман Fm	Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms	4800	A
Ман FSM	To'qimlik sur'i V R =0V,T P =10ms, @T J =25 O C @T J = 150 O C	18.65 15.25	kA
Ман 2T	Ман 2t-qiymati,V R =0V,T P =10m s,T J =25 O C Ман 2t-qiymati,V R =0V,T P = 10 ms ,t J = 150 O C	1739 1162	kA 2s

Modul

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
T jmax	Maksimal bogʻlanish harorati	175	O C
T joʻp	Ishlanish boʻgʻinlari harorati	-40 dan +150 gacha	O C
T STG	Saqlash temperaturasi diapazoni	-40 dan +125 gacha	O C
V ISO	Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C = 2400A,V GE =15V, T J =25 O C		1.85	2.30	V
		Ман C = 2400A,V GE =15V, T J = 125 O C		2.25
		Ман C = 2400A,V GE =15V, T J = 150 O C		2.35
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi Voltaj	Ман C = 96,0 mA ,V CE = V GE , T J =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Ман CES	Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov	V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 O C			5.0	mA
Ман GES	Darvoza emittorining oqishi Jorov	V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C			400	nA
R Gint	Ichki darvoza qarshiligi			0.6		Ω
C ies	Kirish sig'imi	V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V		285		NF
C res	Orqaga oʻtish Kalitlik	V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V		7.13		NF
Q g	Darvoza zaryadi	V GE =-15...+15V		23.5		μC
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 900V,I C = 2400A, R g =0.82Ω, L s =32 nH ,V GE =-9V/+15V, T J =25 O C		609		ns
T R	O'sish vaqti			232		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			1676		ns
T F	Pasayish vaqti			192		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			784		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			785		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 900V,I C = 2400A, R g =0.82Ω, L s =32 nH ,V GE =-9V/+15V, T J = 125 O C		732		ns
T R	O'sish vaqti			280		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			2171		ns
T F	Pasayish vaqti			243		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			1350		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			1083		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 900V,I C = 2400A, R g =0.82Ω, L s =32 nH ,V GE =-9V/+15V, T J = 150 O C		772		ns
T R	O'sish vaqti			298		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			2294		ns
T F	Pasayish vaqti			298		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			1533		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			1126		mJ
Ман SC	SC ma'lumotlari	T P ≤ 10 μs, V GE =15V, T J = 150 O C,V CC =1000V, V MET ≤ 1700V		10.5		kA

Diod Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V F	Oldinga chiquvchi diod Voltaj	Ман F = 2400A,V GE =0V,T J = 25O C		1.80	2.25	V
		Ман F = 2400A,V GE =0V,T J = 125 O C		1.90
		Ман F = 2400A,V GE =0V,T J = 150 O C		1.95
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 900V,I F = 2400A, -di/dt=9570A/μs,V GE =-9V, L s =32 nH ,T J =25 O C		243		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			1656		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			274		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 900V,I F = 2400A, -di/dt=7500A/μs,V GE =-9V, L s =32 nH ,T J = 125 O C		425		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			1692		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			438		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 900V,I F = 2400A, -di/dt=6990A/μs,V GE =-9V, L s =32 nH ,T J = 150 O C		534		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			1809		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			563		mJ

Modul Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Min.	Tip.	Max.	BIT
L CE	Yolgʻizlik induktansiyasi		6.0		nH
R CC+EE	Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish		0.10		mΩ
R tJC	Junction -ga -vakalik (perIGBT ) Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)			9.5 15.8	K/kW
R tCH	vakalik -ga -Issiqlik sinki (perIGBT )Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)		6.4 10.7 4.0		K/kW
D Yovuzlik	Terminal va issiq yotiri orasida Terminal va terminal orasida		32.2 32.2		mm
D aniq	Terminal va issiq yotiri orasida Terminal va terminal orasida		19.1 19.1		mm
M	terminalga ulanish vringli kuchi, Burg'u M4 terminalga ulanish vringli kuchi, Burg'u M8 Montaj vringli kuch M6 shrub	1.8 8.0 4.25		2.1 10 5.75	N.M
g	Og'irlik из Modul		2060		g