GD225HFX120C6S, IGBT Moduli, STARPOWER

Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli ,ishlab chiqarilgan STARPOWER . 1200V 225A. Oʻrtacha

Xususiyatlari

Past VCE (sat) trench IGBT texnologiyasi
10 μs qisqa uzilish qobiliyati
VCE (sat) musbat harorat koeffitsiyenti bilan
Eng katta junction temperaturi 175 ℃
Past induktivlik bilan qoplangan
Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
DBC texnologiyasi yordamida izolyatsiya qilingan mis po'stlang'ich

Oddiy qoʻllanmalar

Motorli harakatlantiruvchi inverter
AC va DC servo harakatlantiruvchi kuchaytirgich
Айрмасиз куcych таminоти

Absolyut Maksimal Baholashlar T F =25 O C agar boshqa belgilangan

IGBT

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
V CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	1200	V
V GES	Chiqargichning kuchlanishi	±20	V
Ман C	Kollektor oqimi @ T C =25 O C @ T C =195 O C	338 225	A
Ман m	Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms	450	A
P D	Maksimal quvvat J = 175 O C	1071	W

Diod

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
V RRM	Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi	1200	V
Ман F	Diod Davomiy Oldinga Cu rrent	225	A
Ман Fm	Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms	450	A

Modul

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
T jmax	Maksimal bogʻlanish harorati	175	O C
T joʻp	Ishlanish boʻgʻinlari harorati	-40 dan +150 gacha	O C
T STG	Saqlash temperaturasi diapazoni	-40 dan +125 gacha	O C
V ISO	Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C =225A,V GE =15V, T J =25 O C		1.75	2.20	V
		Ман C =225A,V GE =15V, T J = 125 O C		2.00
		Ман C =225A,V GE =15V, T J = 150 O C		2.05
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi Voltaj	Ман C =8.16 mA ,V CE = V GE , T J =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Ман CES	Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov	V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 O C			1.0	mA
Ман GES	Darvoza emittorining oqishi Jorov	V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C			400	nA
R Gint	Ichki darvoza qarshiligi oʻtish			0.7		Ω
C ies	Kirish sig'imi	V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V		23.3		NF
C res	Orqaga oʻtish Kalitlik	V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V		0.65		NF
Q g	Darvoza zaryadi	V GE = - 15 …+15V		1.75		μC
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =225A, R g = 1,6Ω,V GE =±15V, T J =25 O C		136		ns
T R	O'sish vaqti			34		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			372		ns
T F	Pasayish vaqti			69		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			5.78		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			16.7		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =225A, R g = 1,6Ω,V GE =±15V, T J = 125 O C		145		ns
T R	O'sish vaqti			34		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			461		ns
T F	Pasayish vaqti			88		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			10.6		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			26.0		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =225A, R g = 1,6Ω,V GE =±15V, T J = 150 O C		153		ns
T R	O'sish vaqti			34		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			490		ns
T F	Pasayish vaqti			98		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			12.8		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			28.9		mJ
Ман SC	SC ma'lumotlari	T P ≤ 10 μs, V GE =15V, T J = 150 O C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V		900		A

Diod Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V F	Oldinga chiquvchi diod Voltaj	Ман F =225A,V GE =0V,T J =25 O C		1.85	2.30	V
		Ман F =225A,V GE =0V,T J = 1 25O C		1.90
		Ман F =225A,V GE =0V,T J = 1 50O C		1.95
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V CC = 600V,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V GE = 15V, T J =25 O C		25.9		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			345		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			11.8		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V CC = 600V,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V GE = 15V, T J = 125 O C		49.5		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			368		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			21.6		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V CC = 600V,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V GE = 15V, T J = 150 O C		56.4		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			391		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			24.5		mJ

NTC Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
R 25	Reyting qarshiligi			5.0		kΩ
∆R/R	Og'ish из R 100	T C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Quvvat Bo'shilish				20.0	mW
B 25/50	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Min.	Tip.	Max.	BIT
L CE	Yolgʻizlik induktansiyasi		20		nH
R CC+EE	Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish		1.10		mΩ
R tJC	Junction -ga -vakalik (perIGBT ) Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)			0.140 0.203	K/W
R tCH	vakalik -ga -Issiqlik sinki (perIGBT ) Issiqlik sinkiga o'xshash kassa (diod bo'yicha) Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)		0.030 0.044 0.009		K/W
M	terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch Screw M5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.M
g	Og'irlik из Modul		350		g