GD200SGU120C2S, IGBT Moduli, STARPOWER

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli , STARPOWER tomonidan ishlab chiqilgan. 1200V 200A. Oʻrtacha

Xususiyatlari

Oddiy qoʻllanmalar

Absolyut Maksimal Baholashlar T C =25 ℃ agar boshqa belgilangan

Simvol	Tavsif	GD200SGU120C2S	Birliklar
V CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	1200	V
V GES	Chiqargichning kuchlanishi	±20	V
Ман C	Kollektor oqimi @ T C =25 ℃ @ T C =80 ℃	320 200	A
Ман M	Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms	400	A
Ман F	Diod doimiy oldinga oqim @ T C =80 ℃	200	A
Ман Fm	Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms	400	A
P D	Maksimal quvvat j = 1 50℃	1645	W
T jmax	Maksimal bogʻlanish harorati	150	℃
T STG	Saqlanish harorati Diapazon	-40 dan +125 gacha	℃
V ISO	Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 min	4000	V
O'rnatish Момент	Signal terminalining Varaq:M4	1.1 gacha 2.0
	Kuch terminalining viski:M6	2,5 gacha 5.0	N.M
	O'rnatish viski:M6	3,0 dan 5.0

Elektr Xususiyatlari из IGBT T C =25 ℃ agar boshqa belgilangan

Xususiyatlari

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Birliklar
V (BR )CES	Kollektor-tarqatuvchi Жорайвий чораларни босим	T j =25 ℃	1200			V
Ман CES	Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov	V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 ℃			5.0	mA
Ман GES	Darvoza emittorining oqishi Jorov	V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 ℃			400	nA

Xususiyatlar toʻgʻrisida

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Birliklar
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi Voltaj	Ман C =2.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 ℃	4.4	4.9	6.0	V
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C =200A,V GE =15V, T j =25 ℃		3.10	3.55	V
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C =200A,V GE =15V, T j = 125 ℃		3.45		V

Xususiyatlarni oʻzgartirish

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Birliklar
t d (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, T j =25 ℃		577		ns
t r	O'sish vaqti			120		ns
t d (o'chirilgan )	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			540		ns
t f	Pasayish vaqti			123		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			16.3		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			12.0		mJ
t d (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, T j = 125 ℃		609		ns
t r	O'sish vaqti			121		ns
t d (o'chirilgan )	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			574		ns
t f	Pasayish vaqti			132		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			22.0		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			16.2		mJ
C ies	Kirish sig'imi	V CE =30V,f=1MHz, V GE =0V		16.9		nF
C o'qish	Chiqarish quvvati			1.51		nF
C res	Orqaga oʻtish Kalitlik			0.61		nF
Ман SC	SC ma'lumotlari	t P ≤ 10 μs,V GE =15 V, T j = 125 °C, V CC = 900V, V MET ≤ 1200V		1800		A
L CE	Yolgʻizlik induktansiyasi				20	nH
R CC+EE	Modulning oʻrni Qarshilik, Chiptani terminalga oʻtkazish			0.18		mΩ

Elektr Xususiyatlari из Diod T C =25 ℃ agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari		Min.	Tip.	Max.	Birliklar
V F	Oldinga chiquvchi diod Voltaj	Ман F =200A	T j =25 ℃		1.82	2.25	V
V F	Oldinga chiquvchi diod Voltaj	Ман F =200A	T j = 125 ℃		1.92		V
Q r	Qayta tiklangan Muammaloq	Ман F =200A, V R = 600 V, R G =4.7Ω, V GE = 15V	T j =25 ℃		13.1		μC
Q r	Qayta tiklangan Muammaloq		T j = 125 ℃		26.1		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi		T j =25 ℃		123		A
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi		T j = 125 ℃		172		A
E rek	Qayta tiklanish Energiya		T j =25 ℃		7.0		mJ
E rek	Qayta tiklanish Energiya		T j = 125 ℃		12.9		mJ

Issiqlik xususiyati ics

Simvol	Parametr	Tip.	Max.	Birliklar
R θ JC	Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)		0.076	K/W
R θ JC	Qisqasi bilan bogʻlanish (har D Yod)		0.128	K/W
R θ CS	Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog 'ilovasi) yolgʻonchi)	0.035		K/W
Og'irlik	Og'irlik Modul	300		g