IGBT Modul 1200V

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

337

200

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

400

A

P D

Maksimal quvvat J = 175 O C

1162

W

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V RRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1200

V

Ман F

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

200

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

400

A

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V RRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1200

V

Ман F

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

200

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

400

A

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

O C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

O C

T STG

Saqlanish harorati Diapazon

-40 dan +125 gacha

O C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C =200A,V GE =15V, T J =25 O C

1.70

2.15

V

Ман C =200A,V GE =15V, T J = 125 O C

1.95

Ман C =200A,V GE =15V, T J = 150 O C

2.00

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C =5.0 mA ,V CE = V GE , T J =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V,

T J =25 O C

1.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

4.0

Ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

20.7

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

0.58

NF

Q g

Darvoza zaryadi

V GE =- 15...+15V

1.55

μC

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =200A, R g = 1. 1Ω,V GE =±15V, T J =25 O C

150

ns

T R

O'sish vaqti

32

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

330

ns

T F

Pasayish vaqti

93

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

11.2

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

11.3

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =200A, R g = 1. 1Ω,V GE =±15V, T J = 125O C

161

ns

T R

O'sish vaqti

37

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

412

ns

T F

Pasayish vaqti

165

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

19.8

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

17.0

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =200A, R g = 1. 1Ω,V GE =±15V, T J = 150O C

161

ns

T R

O'sish vaqti

43

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

433

ns

T F

Pasayish vaqti

185

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

21.9

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

19.1

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs,V GE =15V,

T J = 150 O C,V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

800

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F =200A,V GE =0V,T J =25 O C

1.65

2.10

V

Ман F =200A,V GE =0V,T J = 125O C

1.65

Ман F =200A,V GE =0V,T J = 150O C

1.65

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T J =25 O C

17.6

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

228

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

7.7

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T J = 125 O C

31.8

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

238

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

13.8

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T J = 150 O C

36.6

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

247

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

15.2

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F =200A,V GE =0V,T J =25 O C

1.65

2.10

V

Ман F =200A,V GE =0V,T J = 125O C

1.65

Ман F =200A,V GE =0V,T J = 150O C

1.65

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T J =25 O C

17.6

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

228

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

7.7

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T J = 125 O C

31.8

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

238

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

13.8

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T J = 150 O C

36.6

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

247

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

15.2

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

ΔR/R

Og'ish из R 100

T C = 100 O C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

BIT

R tJC

Ko'paytiruvchi-qabarga (T ning boshlang'ichiga ko'ra) 1-T4 IGBT)

Ko'paytiruvchi-qabarga (D1-D4 Di odamiga qaraganda) oʻqilgan)

Ko'paytiruvchi-qabarga (D5,D6 Di odamiga qaraganda de)

0.129

0.237

0.232

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har T1-T4 IGBT)

Qabarga-issiq o'tkazgichga (D1-D4 boshlang'ichiga qaraganda) Diod)

Korpus-Garmoq (D5, D6 bo'yicha) Diod)

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

0.073

0.134

0.131

0.010

K/W

M

terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub

2.5

3.0

5.0

5.0

g

Og'irlik из Modul

340

g