GD200HFY120C8SN ,IGBT Moduli,STARPOWER

IGBT Modul 1200V

GD200HFY120C8SN ,IGBT Moduli,STARPOWER

1200V 200A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD200HFY120C8SN

Kirish
Koʻrinish
Ekvivalent sxemasi

Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli , STARPOWER tomonidan ishlab chiqilgan. 1200V 200A. Oʻrtacha

Xususiyatlar

Past VCE (sat) trench IGBT texnologiyasi
10 μs qisqa uzilish qobiliyati
VCE (sat) musbat harorat koeffitsiyenti bilan
Eng yuqori bog'lanish harorati 175oC
Past induktivlik bilan qoplangan
Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
DBC texnologiyasi yordamida izolyatsiya qilingan mis po'stlang'ich

Oddiy qoʻllanmalar

Ман motor drayv uchun inverterni
AC va DC servo harakatlantiruvchi kuchaytirgich
Айрмасиз куcych таminоти

Absolyut Maksimal Baholashlar T C =25 O C agar boshqa belgilangan

IGBT

Simvol	Tavsif	Qiymatlari	BIT
V CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	1200	V
V GES	Chiqargichning kuchlanishi	±20	V
Ман C	Kollektor oqimi @ T C =25 O C @ T C = 100O C	400 200	A
Ман m	Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms	400	A
P D	Maksimal quvvat = 175 O C	1578	W

Diod

Simvol	Tavsif	Qiymatlari	BIT
V RRM	Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi	1200	V
Ман F	Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara	200	A
Ман Fm	Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms	400	A

Modul

Simvol	Tavsif	Qiymatlari	BIT
T jmax	Maksimal bogʻlanish harorati	175	O C
T joʻp	Ishlanish boʻgʻinlari harorati	-40 dan +150 gacha	O C
T STG	Saqlanish harorati Diapazon	-40 dan +125 gacha	O C
V ISO	Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min	2500	V

IGBT Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C =200A,V GE =15V, T J =25 O C		1.70	2.15	V
		Ман C =200A,V GE =15V, T J = 125 O C		1.95
		Ман C =200A,V GE =15V, T J = 150 O C		2.00
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch	Ман C =5.0 mA ,V CE = V GE , T J =25 O C	5.2	6.0	6.8	V
Ман CES	Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov	V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 O C			1.0	mA
Ман GES	Darvoza emittorining oqishi Jorov	V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C			400	nA
R Gint	Ichki darvoza qarshiligi oʻtish			3.8		Ω
C ies	Kirish sig'imi	V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V		20.7		NF
C res	Orqaga oʻtish Kalitlik	V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V		0.58		NF
Q g	Darvoza zaryadi	V GE =- 15...+15V		1.55		μC
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =200A, R g = 1. 1Ω,V GE =±15V, T J =25 O C		150		ns
T R	O'sish vaqti			32		ns
T D (o'chirilgan )	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			330		ns
T F	Pasayish vaqti			93		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			11.2		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			11.3		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =200A, R g = 1. 1Ω,V GE =±15V, T J = 125O C		161		ns
T R	O'sish vaqti			37		ns
T D (o'chirilgan )	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			412		ns
T F	Pasayish vaqti			165		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			19.8		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			17.0		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =200A, R g = 1. 1Ω,V GE =±15V, T J = 150O C		161		ns
T R	O'sish vaqti			43		ns
T D (o'chirilgan )	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			433		ns
T F	Pasayish vaqti			185		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			21.9		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			19.1		mJ
Ман SC	SC ma'lumotlari	T P ≤ 10 μs,V GE =15V, T J = 150 O C,V CC = 900V, V MET ≤ 1200V		800		A

Diod Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Birliklar
V F	Oldinga chiquvchi diod kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch	Ман F =200A,V GE =0V,T J =25 O C		1.65	2.10	V
		Ман F =200A,V GE =0V,T J = 125O C		1.65
		Ман F =200A,V GE =0V,T J = 150O C		1.65
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T J =25 O C		17.6		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			228		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			7.7		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T J = 125 O C		31.8		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			238		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			13.8		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T J = 150 O C		36.6		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			247		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			15.2		mJ

Modul Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Min.	Tip.	Max.	BIT
L CE	Yolgʻizlik induktansiyasi			22	nH
R CC+EE	Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish		0.65		mΩ
R tJC	Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T) Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)			0.095 0.161	K/W
R tCH	Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT) Issiqlik sinkiga boʻlgan qoʻllanma (p) er Diod) Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)		0.146 0.248 0.046		K/W
M	terminalga ulanish vringli kuchi, Screw M5 Montaj vringli kuch Screw M5	2.5 2.5		3.5 3.5	N.M
g	Og'irlik из Modul		200		g