GD200HFX120C2S, IGBT Moduli, STARPOWER

IGBT Modul 1200V

GD200HFX120C2S, IGBT Moduli, STARPOWER

1200V 200A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD200HFX120C2S

Kirish
Koʻrinish
Ekvivalent sxemasi

Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli ,STARPOWER tomonidan ishlab chiqilgan. 1200V 200A. Oʻrtacha

Xususiyatlar

Past VCE (sat) trench IGBT texnologiyasi
10 μs qisqa uzilish qobiliyati
VCE (sat) musbat harorat koeffitsiyenti bilan
Eng katta junction temperaturi 175 °C
Past induktivlik bilan qoplangan
Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
DBC texnologiyasi yordamida izolyatsiya qilingan mis po'stlang'ich

Oddiy qoʻllanmalar

Motorli harakatlantiruvchi inverter
AC va DC servo harakatlantiruvchi kuchaytirgich
Айрмасиз куcych таminоти

Absolyut Maksimal Baholashlar T C =25 O C agar boshqa belgilangan

IGBT

Simvol	Tavsif	Qiymatlari	BIT
V CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	1200	V
V GES	Chiqargichning kuchlanishi	±20	V
Ман C	Kollektor oqimi @ T C =25 O C @ T C =90 O C	297 200	A
Ман m	Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms	400	A
P D	Maksimal quvvat J = 175 O C	937	W

Diod

Simvol	Tavsif	Qiymatlari	BIT
V RRM	Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi	1200	V
Ман F	Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara	200	A
Ман Fm	Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms	400	A

Modul

Simvol	Tavsif	Qiymatlari	BIT
T jmax	Maksimal bogʻlanish harorati	175	O C
T joʻp	Ishlanish boʻgʻinlari harorati	-40 dan +150 gacha	O C
T STG	Saqlanish harorati Diapazon	-40 dan +125 gacha	O C
V ISO	Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min	2500	V

IGBT Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C =200A,V GE =15V, T J =25 O C		1.75	2.20	V
		Ман C =200A,V GE =15V, T J = 125 O C		2.00
		Ман C =200A,V GE =15V, T J = 150 O C		2.05
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch	Ман C =5.0 mA ,V CE = V GE , T J =25 O C	5.2	6.0	6.8	V
Ман CES	Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov	V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 O C			5.0	mA
Ман GES	Darvoza emittorining oqishi Jorov	V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C			400	nA
R Gint	Ichki darvoza qarshiligi oʻtish			1.0		Ω
C ies	Kirish sig'imi	V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V		18.6		NF
C res	Orqaga oʻtish Kalitlik	V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V		0.52		NF
Q g	Darvoza zaryadi	V GE =- 15...+15V		1.40		μC
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =200A, R g = 1. 1Ω,V GE =±15V, T J =25 O C		120		ns
T R	O'sish vaqti			26		ns
T D (o'chirilgan )	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			313		ns
T F	Pasayish vaqti			88		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			8.96		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			10.7		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =200A, R g = 1. 1Ω,V GE =±15V, T J = 125O C		129		ns
T R	O'sish vaqti			30		ns
T D (o'chirilgan )	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			391		ns
T F	Pasayish vaqti			157		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			15.8		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			16.1		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =200A, R g = 1. 1Ω,V GE =±15V, T J = 150O C		129		ns
T R	O'sish vaqti			34		ns
T D (o'chirilgan )	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			411		ns
T F	Pasayish vaqti			175		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			17.5		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			18.1		mJ
Ман SC	SC ma'lumotlari	T P ≤ 10 μs,V GE =15V, T J = 150 O C,V CC = 900V, V MET ≤ 1200V		720		A

Diod Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Birliklar
V F	Oldinga chiquvchi diod kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch	Ман F =200A,V GE =0V,T J =25 O C		1.75	2.15	V
		Ман F =200A,V GE =0V,T J = 125O C		1.65
		Ман F =200A,V GE =0V,T J = 150O C		1.65
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T J =25 O C		18.5		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			239		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			8.08		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T J = 125 O C		33.1		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			250		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			14.5		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T J = 150 O C		38.4		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			259		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			15.9		mJ

Modul Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Min.	Tip.	Max.	BIT
L CE	Yolgʻizlik induktansiyasi		15		nH
R CC+EE	Modulning oʻzlashtirilishi nce, terminaldan chipga		0.25		mΩ
R tJC	Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T) Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)			0.160 0.206	K/W
R tCH	Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT) Issiqlik sinkiga boʻlgan qoʻllanma (p) er Diod) Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)		0.036 0.046 0.010		K/W
M	terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
g	Og'irlik из Modul		300		g