IGBT Modul 1200V

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 O C

@ T C =65 O C

262

200

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

400

A

P D

Maksimal quvvat J = 150 O C

1315

W

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V RRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1200

V

Ман F

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

200

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

400

A

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

150

O C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +125 gacha

O C

T STG

Saqlanish harorati Diapazon

-40 dan +125 gacha

O C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C =200A,V GE =15V, T J =25 O C

3.00

3.45

V

Ман C =200A,V GE =15V, T J = 125 O C

3.80

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C =2.0 mA ,V CE = V GE , T J =25 O C

4.4

5.3

6.0

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V,

T J =25 O C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

1.3

Ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

13.0

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

0.85

NF

Q g

Darvoza zaryadi

V GE =- 15...+15V

2.10

μC

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =200A, R g =4.7Ω,V GE =±15V, T J =25 O C

87

ns

T R

O'sish vaqti

40

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

451

ns

T F

Pasayish vaqti

63

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

6.8

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

11.9

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =200A, R g =4.7Ω,V GE =±15V, T J = 125O C

88

ns

T R

O'sish vaqti

44

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

483

ns

T F

Pasayish vaqti

78

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

11.4

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

13.5

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs,V GE =15V,

T J = 125 O C,V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

1300

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F =200A,V GE =0V,T J =25 O C

1.95

2.40

V

Ман F =200A,V GE =0V,T J = 125 O C

2.00

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =200A,

-di⁄dt=4600A⁄μs,V GE =- 15V T J =25 O C

13.3

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

236

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

6.6

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =200A,

-di⁄dt=4600A⁄μs,V GE =- 15V T J = 125 O C

23.0

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

269

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

10.5

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

BIT

R tJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

0.095

0.202

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT)

Issiqlik sinkiga boʻlgan qoʻllanma (p) er Diod)

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

0.135

0.288

0.046

K/W

M

terminalga ulanish vringli kuchi, Screw M5 Montaj vringli kuch M6 shrub

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Og'irlik из Modul

200

g