GD200HFU120C2S, IGBT Moduli, STARPOWER

Simvol

Tavsif

Qiymat

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 o C

@ T C =65 o C

262

200

A

Ман M

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

400

A

P D

Maksimal quvvat = 150 o C

1315

W

Simvol

Tavsif

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1200

V

Ман F

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

200

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

400

A

Simvol

Tavsif

Qiymat

Бирлик

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

150

o C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +125 gacha

o C

T STG

Saqlanish harorati Diapazon

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C =200A,V GE =15V, T j =25 o C

3.00

3.45

V

Ман C =200A,V GE =15V, T j = 125 o C

3.80

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

Ман C =2.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

4.5

5.4

6.5

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

1.3

ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

13.0

nF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

0.85

nF

Q G

Darvoza zaryadi

V GE =- 15...+15V

2.10

μC

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, T j =25 o C

87

ns

t r

O'sish vaqti

40

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

451

ns

t f

Pasayish vaqti

63

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

6.8

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

11.9

mJ

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

88

ns

t r

O'sish vaqti

44

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

483

ns

t f

Pasayish vaqti

78

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

11.4

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

13.5

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

t P ≤ 10 μs,V GE =15V,

T j = 125 o C,V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

1300

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod

Voltaj

Ман F =200A,V GE =0V,T j =25 o C

1.95

2.40

V

Ман F =200A,V GE =0V,T j = 125 o C

2.00

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =200A,

-di⁄dt=4600A⁄μs,V GE =- 15V T j =25 o C

13.3

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

236

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

6.6

mJ

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =200A,

-di⁄dt=4600A⁄μs,V GE =- 15V T j = 125 o C

23.0

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

269

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

10.5

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

30

nH

R CC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

0.35

mΩ

R tJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

0.095

0.202

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT)

Issiqlik sinkiga boʻlgan qoʻllanma (p) er Diod)

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

0.029

0.063

0.010

K/W

M

Terminalga ulanish vringli kuchi, Screw M5 Montaj vringli kuch M6 shrub

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Og'irlik из Modul

300

g