GD200HFF120C8S, IGBT Moduli, STARPOWER

Simvol

Tavsif

Qiymat

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 o C

@ T C = 85 o C

294

200

A

Ман M

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

400

A

P D

Maksimal quvvat j = 175 o C

1056

W

Simvol

Tavsif

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1200

V

Ман F

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

200

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

400

A

Simvol

Tavsif

Qiymat

Бирлик

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlanish harorati Diapazon

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C =200A,V GE =15V, T j =25 o C

1.90

2.35

V

Ман C =200A,V GE =15V, T j = 125o C

2.40

Ман C =200A,V GE =15V, T j = 150 o C

2.55

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

Ман C =5.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

1.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

100

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

3.75

ω

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =200A, R G =0.75Ω,V GE =±15V, T j =25 o C

374

ns

t r

O'sish vaqti

50

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

326

ns

t f

Pasayish vaqti

204

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

13.8

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

10.4

mJ

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =200A, R G =0.75Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

419

ns

t r

O'sish vaqti

63

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

383

ns

t f

Pasayish vaqti

218

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

20.8

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

11.9

mJ

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =200A, R G =0.75Ω,V GE =±15V, T j = 150o C

419

ns

t r

O'sish vaqti

65

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

388

ns

t f

Pasayish vaqti

222

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

22.9

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

11.9

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod

Voltaj

Ман F =200A,V GE =0V,T j =25 o C

1.90

2.35

V

Ман F =200A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

Ман F =200A,V GE =0V,T j = 150o C

1.90

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C

10.2

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

90

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

3.40

mJ

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

26.2

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

132

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

9.75

mJ

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

30.4

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

142

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

11.3

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

26

nH

R CC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

0.62

mΩ

R tJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

0.142

0.202

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT)

Issiqlik sinkiga boʻlgan qoʻllanma (p) er Diod)

Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)

0.157

0.223

0.046

K/W

M

Terminalga ulanish vringli kuchi, Screw M5 Montaj vringli kuch M6 shrub

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Og'irlik из Modul

200

g