GD200CEX120C8SN, IGBT Moduli, STARPOWER

Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli ,ishlab chiqarilgan STARPOWER . 1200V 200A. Oʻrtacha

Xususiyatlari

Past VCE (sat) trench IGBT texnologiyasi
10 μs qisqa uzilish qobiliyati
VCE (sat) musbat harorat koeffitsiyenti bilan
Eng katta junction temperaturi 175 ℃
Past induktivlik bilan qoplangan
Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
DBC texnologiyasi yordamida izolyatsiya qilingan mis po'stlang'ich

Oddiy qoʻllanmalar

Motorli harakatlantiruvchi inverter
AC va DC servo harakatlantiruvchi kuchaytirgich
Айрмасиз куcych таminоти

Absolyut Maksimal Baholashlar T F =25 O C agar boshqa belgilangan

IGBT

Simvol	Tavsif	Qiymatlari	BIT
V CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	1200	V
V GES	Chiqargichning kuchlanishi	±20	V
Ман C	Kollektor oqimi @ T C =25 O C @ T C =100 O C	363 200	A
Ман CRM	Takroriy Pik Kollektor Jorov tp cheklangan tomonidan T vjop	400	A
P D	Maksimal quvvat vj = 175 O C	1293	W

Diod

Simvol	Tavsif	Qiymatlari	BIT
V RRM	Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi	1200	V
Ман F	Diod Tuzilgan Oldindan Joriy element	200	A
Ман FRM	Takroriy Pik Oldinga Jorov tp cheklangan tomonidan T vjop	400	A

Modul

Simvol	Tavsif	Qiymatlari	BIT
T vjmax	Maksimal bogʻlanish harorati	175	O C
T vjop	Ishlanish boʻgʻinlari harorati	-40 dan +150 gacha	O C
T STG	Saqlash temperaturasi diapazoni	-40 dan +125 gacha	O C
V ISO	Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C =200A,V GE =15V, T vj =25 O C		1.75	2.20	V
		Ман C =200A,V GE =15V, T vj = 125 O C		2.00
		Ман C =200A,V GE =15V, T vj = 150 O C		2.05
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi Voltaj	Ман C =8.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Ман CES	Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C			1.0	mA
Ман GES	Darvoza emittorining oqishi Jorov	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C			400	nA
R Gint	Ichki darvoza qarshiligi oʻtish			1.0		Ω
C ies	Kirish sig'imi	V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V		18.6		NF
C res	Orqaga oʻtish Kalitlik	V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V		0.52		NF
Q g	Darvoza zaryadi	V GE = - 15 …+15V		1.40		μC
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =200A, R g =2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj =25 O C		140		ns
T R	O'sish vaqti			31		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			239		ns
T F	Pasayish vaqti			188		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			11.2		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			13.4		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =200A, R g =2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj = 125 O C		146		ns
T R	O'sish vaqti			36		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			284		ns
T F	Pasayish vaqti			284		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			19.4		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			18.9		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =200A, R g =2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj = 150 O C		148		ns
T R	O'sish vaqti			37		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			294		ns
T F	Pasayish vaqti			303		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			21.7		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			19.8		mJ
Ман SC	SC ma'lumotlari	T P ≤ 10 μs, V GE =15V, T vj = 150 O C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V		800		A

Diod Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Birliklar
V F	Oldinga chiquvchi diod Voltaj	Ман F =200A,V GE =0V,T vj = 2 5O C		1.85	2.30	V
		Ман F =200A,V GE =0V,T vj = 125 O C		1.90
		Ман F =200A,V GE =0V,T vj = 150 O C		1.95
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 600V,I F =200A, -di⁄dt=5710A⁄μs, Ls=50nH, V GE = 15V, T vj =25 O C		20.0		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			220		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			7.5		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 600V,I F =200A, -di⁄dt=4740A⁄μs, Ls=50nH, V GE = 15V, T vj = 125 O C		34.3		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			209		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			12.9		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 600V,I F =200A, -di⁄dt=4400A⁄μs, Ls=50nH, V GE = 15V, T vj = 150 O C		38.7		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			204		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			14.6		mJ

Modul Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Min.	Tip.	Max.	BIT
R tJC	Junction -ga -vakalik (perIGBT ) Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)			0.116 0.185	K/W
R tCH	Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT) Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)		0.150 0.239 0.046		K/W
M	terminalga ulanish vringli kuchi, Screw M5 Montaj vringli kuch Screw M5	2.5 2.5		3.5 3.5	N.M
g	Og'irlik из Modul		200		g