GD150PIY120C6SN, IGBT Moduli, STARPOWER

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 O C @ T C =100 O C

292

150

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

300

A

P D

Maksimal quvvat J = 175 O C

1111

W

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

BIT

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1200

V

Ман F

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

150

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

300

A

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1600

V

Ман O

O'rta chiqish to'kchasi 5 0Hz/60Hz, sinusoidal dalona

150

A

Ман FSM

Oldinga surish joriy t P =10ms @ T J = 2 5O C @ T J = 150 O C

1600

1400

A

Ман 2T

Ман 2t-qiymati,t P =10ms @ T J =25 O C @ T J = 150 O C

13000

9800

A 2s

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 O C @ T C =100 O C

200

100

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

200

A

P D

Maksimal quvvat J = 175 O C

833

W

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1200

V

Ман F

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

50

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

100

A

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

T jmax

Maksimal qo'shilish temperaturasi(inverter,tormoz) Maksimal qo'shma temperaturasi (pretseptor)

175

150

O C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

O C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

O C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C =150A,V GE =15V, T J =25 O C

1.70

2.15

V

Ман C =150A,V GE =15V, T J = 125 O C

1.95

Ман C =150A,V GE =15V, T J = 150 O C

2.00

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

Ман C =6.00 mA ,V CE = V GE , T J =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 O C

1.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

2.0

Ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V

15.5

NF

C res

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.44

NF

Q g

Darvoza zaryadi

V GE = - 15 …+15V

1.17

μC

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =150A, R g =1. 1Ω,V GE =±15V, T J =25 O C

96

ns

T R

O'sish vaqti

30

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

255

ns

T F

Pasayish vaqti

269

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

8.59

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

12.3

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =150A, R g =1. 1Ω,V GE =±15V, T J = 125 O C

117

ns

T R

O'sish vaqti

37

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

307

ns

T F

Pasayish vaqti

371

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

13.2

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

16.8

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =150A, R g =1. 1Ω,V GE =±15V, T J = 150 O C

122

ns

T R

O'sish vaqti

38

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

315

ns

T F

Pasayish vaqti

425

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

14.8

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

18.1

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T J = 150 O C,V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

600

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

Ман F =150A,V GE =0V,T J =25 O C

1.85

2.25

V

Ман F =150A,V GE =0V,T J = 1 25O C

1.90

Ман F =150A,V GE =0V,T J = 1 50O C

1.95

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =150A,

-di⁄dt=4750A⁄μs,V GE = 15V T J =25 O C

8.62

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

177

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

5.68

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =150A,

-di⁄dt=3950A⁄μs,V GE = 15V T J = 125 O C

16.7

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

191

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

10.2

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =150A,

-di⁄dt=3750A⁄μs,V GE = 15V T J = 150 O C

19.4

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

196

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

12.1

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

Ман C =150A, T J = 150 O C

1.00

V

Ман R

Aylana toki

T J = 150 O C,V R =1600V

3.0

mA

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C =100A,V GE =15V, T J =25 O C

1.70

2.15

V

Ман C =100A,V GE =15V, T J = 125 O C

1.95

Ман C =100A,V GE =15V, T J = 150 O C

2.00

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

Ман C =4.00 mA ,V CE = V GE , T J =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 O C

1.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

7.5

Ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V

10.4

NF

C res

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.29

NF

Q g

Darvoza zaryadi

V GE = - 15 …+15V

0.08

μC

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =100A, R g = 1,6Ω,V GE =±15V, T J =25 O C

170

ns

T R

O'sish vaqti

32

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

360

ns

T F

Pasayish vaqti

86

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

5.90

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

6.05

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =100A, R g = 1,6Ω,V GE =±15V, T J = 125 O C

180

ns

T R

O'sish vaqti

42

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

470

ns

T F

Pasayish vaqti

165

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

9.10

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

9.35

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =100A, R g = 1,6Ω,V GE =±15V, T J = 150 O C

181

ns

T R

O'sish vaqti

43

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

480

ns

T F

Pasayish vaqti

186

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

10.0

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

10.5

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T J = 150 O C,V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

400

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

Ман F =50A,V GE =0V,T J =25 O C

1.85

2.30

V

Ман F =50A,V GE =0V,T J = 125 O C

1.90

Ман F =50A,V GE =0V,T J = 150 O C

1.95

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =50A,

-di⁄dt=1400A⁄μs,V GE = 15V T J =25 O C

6.3

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

62

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

1.67

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =50A,

-di⁄dt=1400A⁄μs,V GE = 15V T J = 125 O C

10.1

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

69

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

2.94

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =50A,

-di⁄dt=1400A⁄μs,V GE = 15V T J = 150 O C

11.5

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

72

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

3.63

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

∆R/R

Og'ish из R 100

T C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

BIT

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

40

nH

R CC+EE R AA + CC ’

Modulning oʻzlashtirilishi nce, Kontakt chipga

4.00 3.00

mΩ

R tJC

Junction -ga -vakalik (perIGBT -Inverter ) Junction-to-Case (DIODE-inverter uchun ter) Junction-to-Case (har bir Diode-rectif ier) Junction -ga -vakalik (perIGBT -Tormoz )

Junction-to-Case (diode uchun-br ake)

0.135 0.300 0.238 0.180 0.472

K/W

R tCH

vakalik -ga -Issiqlik sinki (perIGBT -Inverter )Case-to-Heatsink (har bir Diode-i nverter) Case-to-Heatsink (har bir Diode-re ctifier) vakalik -ga -Issiqlik sinki (perIGBT -Tormoz )

Case-to-Heatsink (diode uchun-br ake) Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

0.118 0.263 0.208 0.158 0.413 0.009

K/W

M

Montaj vringli kuch Varaq:M5

3.0

6.0

N.M