GD150PFX170C6SG, IGBT Moduli, STARPOWER

Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli ,ishlab chiqarilgan STARPOWER . 1700V 150A. Oʻrtacha

Xususiyatlari

Past VCE (sat) trench IGBT texnologiyasi
10 μs qisqa uzilish qobiliyati
VCE (sat) musbat harorat koeffitsiyenti bilan
Eng yuqori bog'lanish harorati 175oC
Past induktivlik bilan qoplangan
Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
DBC texnologiyasi yordamida izolyatsiya qilingan mis po'stlang'ich

Oddiy qoʻllanmalar

Motorli harakatlantiruvchi inverter
AC va DC servo harakatlantiruvchi kuchaytirgich
Айрмасиз куcych таminоти

Absolyut Maksimal Baholashlar T F =25 O C agar boshqa belgilangan

IGBT-inverter

Simvol	Tavsif	Qiymatlari	BIT
V CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	1700	V
V GES	Chiqargichning kuchlanishi	±20	V
Ман C	Kollektor oqimi @ T C =25 O C @ T C = 95 O C	232 150	A
Ман m	Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms	300	A
P D	Maksimal quvvat J = 175 O C	828	W

Diod-inverter

Simvol	Tavsif	Qiymatlari	BIT
V RRM	Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi	1700	V
Ман F	Diod Davomiy Oldinga Cu rrent	150	A
Ман Fm	Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms	300	A

Diod-pretseptor

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
V RRM	Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi	1800	V
Ман O	O'rta chiqish to'kchasi 5 0Hz/60Hz, sinusoidal dalona	150	A
Ман FSM	Oldinga surish joriy t P =10ms @ T J = 25O C @ T J = 150 O C	1600 1400	A
Ман 2T	Ман 2t-qiymati,t P =10ms @ T J =25 O C @ T J = 150 O C	13000 9800	A 2s

Modul

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
T jmax	Maksimal qo'shma temperaturasi (invertor) Maksimal qo'shma temperaturasi (pretseptor)	175 150	O C
T joʻp	Ishlanish boʻgʻinlari harorati	-40 dan +150 gacha	O C
T STG	Saqlash temperaturasi diapazoni	-40 dan +125 gacha	O C
V ISO	Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT -Inverter Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C =150A,V GE =15V, T J =25 O C		1.85	2.20	V
		Ман C =150A,V GE =15V, T J = 125 O C		2.25
		Ман C =150A,V GE =15V, T J = 150 O C		2.35
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi Voltaj	Ман C =6.00 mA ,V CE = V GE , T J =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Ман CES	Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov	V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 O C			5.0	mA
Ман GES	Darvoza emittorining oqishi Jorov	V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C			400	nA
R Gint	Ichki darvoza qarshiligi oʻtish			4.3		Ω
C ies	Kirish sig'imi	V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V		18.1		NF
C res	Orqaga oʻtish Kalitlik	V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V		0.44		NF
Q g	Darvoza zaryadi	V GE = - 15 …+15V		1.41		μC
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 900V,I C =150A, R g =4.7Ω,V GE =±15V, L s =46 nH ,T J =25 O C		292		ns
T R	O'sish vaqti			55		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			458		ns
T F	Pasayish vaqti			392		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			33.6		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			26.3		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 900V,I C =150A, R g =4.7Ω,V GE =±15V, L s =46 nH ,T J = 125 O C		342		ns
T R	O'sish vaqti			67		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			520		ns
T F	Pasayish vaqti			568		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			50.5		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			35.7		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 900V,I C =150A, R g =4.7Ω,V GE =±15V, L s =46 nH ,T J = 150 O C		352		ns
T R	O'sish vaqti			68		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			535		ns
T F	Pasayish vaqti			589		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			53.3		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			36.3		mJ
Ман SC	SC ma'lumotlari	T P ≤ 10 μs, V GE =15V, T J = 150 O C,V CC =1000V, V MET ≤ 1700V		600		A

Diod -Inverter Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V F	Oldinga chiquvchi diod Voltaj	Ман F =150A,V GE =0V,T J =25 O C		1.80	2.25	V
		Ман F =150A,V GE =0V,T J = 1 25O C		1.90
		Ман F =150A,V GE =0V,T J = 1 50O C		1.95
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 900V,I F =150A, -di/dt=2340A/μs,V GE = 15V L s =46 nH ,T J =25 O C		21.3		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			183		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			20.4		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 900V,I F =150A, -di/dt=2000A/μs,V GE = 15V L s =46 nH ,T J = 125 O C		36.2		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			196		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			33.9		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 900V,I F =150A, -di/dt=1830A/μs,V GE = 15V L s =46 nH ,T J = 150 O C		41.2		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			199		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			36.3		mJ

Diod -toʻgʻrilash Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V F	Oldinga chiquvchi diod Voltaj	Ман C =150A, T J = 150 O C		0.90		V
Ман R	Aylana toki	T J = 150 O C,V R =1800V			3.0	mA

NTC Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
R 25	Reyting qarshiligi			5.0		kΩ
∆R/R	Og'ish из R 100	T C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Quvvat Bo'shilish				20.0	mW
B 25/50	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Min.	Tip.	Max.	BIT
R tJC	Junction -ga -vakalik (perIGBT -Inverter ) Junction-to-Case (DIODE-inverter uchun ter) Junction-to-Case (har bir Diode-rectif ier)			0.181 0.300 0.289	K/W
R tCH	vakalik -ga -Issiqlik sinki (perIGBT -Inverter )Case-to-Heatsink (har bir Diode-i nverter) Case-to-Heatsink (har bir Diode-re ctifier) Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)		0.092 0.152 0.146 0.009		K/W
M	Montaj vringli kuch Varaq:M5	3.0		6.0	N.M
g	Og'irlik из Modul		300		g