GD150HFU120C8SD, IGBT Moduli, STARPOWER

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 O C @ T C = 85 O C

238

150

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

300

A

P D

Maksimal quvvat vj = 150 O C

1237

W

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1200

V

Ман F

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

150

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

300

A

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

T vjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

150

O C

T vjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +125 gacha

O C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

O C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C =150A,V GE =15V, T vj =25 O C

2.90

3.35

V

Ман C =150A,V GE =15V, T vj = 125 O C

3.60

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

Ман C =3.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C

5.0

6.1

7.0

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

1.50

Ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =30V,f=1MHz, V GE =0V

19.2

NF

C res

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.60

NF

Q g

Darvoza zaryadi

V GE =-15...+15V

1.83

μC

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =150A, R g =6.8Ω,Ls=35nH, V GE =± 15V,T vj =25 O C

183

ns

T R

O'sish vaqti

73.8

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

438

ns

T F

Pasayish vaqti

33.0

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

12.8

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

5.31

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =150A, R g =6.8Ω,Ls=35nH, V GE =± 15V,T vj = 125 O C

185

ns

T R

O'sish vaqti

74

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

476

ns

T F

Pasayish vaqti

44.5

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

15.5

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

7.74

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj = 125 O C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

975

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

Ман F =150A,V GE =0V,T vj = 2 5O C

1.85

2.30

V

Ман F =150A,V GE =0V,T vj = 125 O C

1.90

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =150A,

-di⁄dt=2232A⁄μs,Ls=35nH, V GE = 15V, T vj =25 O C

11.9

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

113

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

4.02

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =150A,

-di⁄dt=2118A⁄μs,Ls=35nH, V GE = 15V, T vj = 125 O C

22.5

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

139

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

8.58

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

BIT

R tJC

Junction -ga -vakalik (perIGBT ) Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

0.101 0.257

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT) Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)

0.028 0.071 0.010

K/W

M

terminalga ulanish vringli kuchi, Screw M5 Montaj vringli kuch M6 shrub

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

g

Og'irlik из Modul

300

g