GD150HFU120C2SD, IGBT Moduli, STARPOWER

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 O C @ T C = 85 O C

241

150

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

300

A

P D

Maksimal quvvat vj = 150 O C

1262

W

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1200

V

Ман F

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

150

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

300

A

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

T vjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

150

O C

T vjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +125 gacha

O C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

O C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C =150A,V GE =15V, T vj =25 O C

2.90

3.35

V

Ман C =150A,V GE =15V, T vj = 125 O C

3.60

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

Ман C =3.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C

5.0

6.1

7.0

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

1.50

Ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =30V,f=1MHz, V GE =0V

19.2

NF

C res

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.60

NF

Q g

Darvoza zaryadi

V GE =-15...+15V

1.83

μC

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =150A, R g =6.8Ω,Ls=48nH, V GE =± 15V,T vj =25 O C

74

ns

T R

O'sish vaqti

92

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

401

ns

T F

Pasayish vaqti

31

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

19.0

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

3.09

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =150A, R g =6.8Ω, Ls=48nH, V GE =± 15V,T vj = 125 O C

61

ns

T R

O'sish vaqti

95

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

444

ns

T F

Pasayish vaqti

47

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

22.5

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

3.99

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj = 125 O C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

975

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

Ман F =150A,V GE =0V,T vj = 2 5O C

1.85

2.30

V

Ман F =150A,V GE =0V,T vj = 125 O C

1.90

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =150A,

-di/dt=1480A/μs,V GE = 15V, ls = 48 nH ,T vj =25 O C

13.7

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

91

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

4.01

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =150A,

-di/dt=1560A/μs,V GE = 15V, ls = 48 nH ,T vj = 125 O C

22.1

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

111

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

6.65

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

BIT

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

30

nH

R CC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

0.35

mΩ

R tJC

Junction -ga -vakalik (perIGBT ) Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

0.099 0.259

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT) Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)

0.028 0.072 0.010

K/W

M

terminalga ulanish vringli kuchi, Screw M5 Montaj vringli kuch M6 shrub

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

g

Og'irlik из Modul

300

g