GD100PIX120C6SNA,IGBT Moduli,STARPOWER

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 O C @ T C =100 O C

155

100

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

200

A

P D

Maksimal quvvat J = 175 O C

511

W

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1200

V

Ман F

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

100

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

200

A

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1600

V

Ман O

O'rta chiqish to'kchasi 5 0Hz/60Hz, sinusoidal dalona

100

A

Ман FSM

Oldinga surish joriy t P =10ms @ T J = 25O C @ T J = 150 O C

1150

880

A

Ман 2T

Ман 2t-qiymati,t P =10ms @ T J =25 O C @ T J = 150 O C

6600

3850

A 2s

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 O C @ T C =100 O C

87

50

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

100

A

P D

Maksimal quvvat J = 175 O C

308

W

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1200

V

Ман F

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

25

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

50

A

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

T jmax

Maksimal qo'shilish temperaturasi(inverter,tormoz) Maksimal qo'shma temperaturasi (pretseptor)

175

150

O C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

O C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

O C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C =100A,V GE =15V, T J =25 O C

1.70

2.15

V

Ман C =100A,V GE =15V, T J = 125 O C

1.95

Ман C =100A,V GE =15V, T J = 150 O C

2.00

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

Ман C =4.00 mA ,V CE = V GE , T J =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 O C

1.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

7.5

Ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V

10.4

NF

C res

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.29

NF

Q g

Darvoza zaryadi

V GE = - 15 …+15V

0.78

μC

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =100A, R g = 1,6Ω,V GE =±15V, T J =25 O C

218

ns

T R

O'sish vaqti

35

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

287

ns

T F

Pasayish vaqti

212

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

9.23

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

6.85

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =100A, R g = 1,6Ω,V GE =±15V, T J = 125 O C

242

ns

T R

O'sish vaqti

41

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

352

ns

T F

Pasayish vaqti

323

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

13.6

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

9.95

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =100A, R g = 1,6Ω,V GE =±15V, T J = 150 O C

248

ns

T R

O'sish vaqti

43

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

365

ns

T F

Pasayish vaqti

333

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

14.9

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

10.5

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T J = 150 O C,V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

400

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

Ман F =100A,V GE =0V,T J =25 O C

1.85

2.30

V

Ман F =100A,V GE =0V,T J = 1 25O C

1.90

Ман F =100A,V GE =0V,T J = 1 50O C

1.95

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =100A,

-di⁄dt=2500A⁄μs,V GE = 15V T J =25 O C

5.89

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

103

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

3.85

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =100A,

-di⁄dt=2100A⁄μs,V GE = 15V T J = 125 O C

13.7

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

109

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

6.64

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =100A,

-di⁄dt=1950A⁄μs,V GE = 15V T J = 150 O C

15.6

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

109

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

7.39

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

Ман F =100A, T J = 150 O C

0.95

V

Ман R

Aylana toki

T J = 150 O C,V R =1600V

2.0

mA

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C =50A,V GE =15V, T J =25 O C

1.70

2.15

V

Ман C =50A,V GE =15V, T J = 125 O C

1.95

Ман C =50A,V GE =15V, T J = 150 O C

2.00

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

Ман C =2.00 mA ,V CE = V GE , T J =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 O C

1.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

0

Ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V

5.18

NF

C res

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.15

NF

Q g

Darvoza zaryadi

V GE = - 15 …+15V

0.39

μC

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =50A, R g =15Ω,V GE =±15V, T J =25 O C

171

ns

T R

O'sish vaqti

32

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

340

ns

T F

Pasayish vaqti

82

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

6.10

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

2.88

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =50A, R g =15Ω,V GE =±15V, T J = 125 O C

182

ns

T R

O'sish vaqti

43

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

443

ns

T F

Pasayish vaqti

155

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

8.24

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

4.43

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =50A, R g =15Ω,V GE =±15V, T J = 150 O C

182

ns

T R

O'sish vaqti

43

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

464

ns

T F

Pasayish vaqti

175

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

8.99

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

4.94

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T J = 150 O C,V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

200

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

Ман F =25A,V GE =0V,T J =25 O C

1.85

2.30

V

Ман F =25A,V GE =0V,T J = 125 O C

1.90

Ман F =25A,V GE =0V,T J = 150 O C

1.95

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =25A,

-di⁄dt=900A⁄μs,V GE = 15V T J =25 O C

2.9

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

55

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

0.93

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =25A,

-di⁄dt=900A⁄μs,V GE = 15V T J = 125 O C

5.1

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

58

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

1.72

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =25A,

-di⁄dt=900A⁄μs,V GE = 15V T J = 150 O C

5.6

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

60

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

2.01

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

∆R/R

Og'ish из R 100

T C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

BIT

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

40

nH

R CC+EE R AA + CC ’

Modulning oʻzlashtirilishi nce, Kontakt chipga

4.00 3.00

mΩ

R tJC

Junction -ga -vakalik (perIGBT -Inverter )

Ko'paytirgichga qarama-qarshi junction (har bir diod-invert er)

Junction-to-Case (har bir Diode-rectif ier)

Junction -ga -vakalik (perIGBT -Tormoz -Chopper ) Kontakt-qaqovadan (har bir Diod-brake-chop har bir)

0.293 0.505 0.503 0.487 1.233

K/W

R tCH

vakalik -ga -Issiqlik sinki (perIGBT -Inverter )

Korpus-Garmoshka (har bir Diod-in verter)

Case-to-Heatsink (har bir Diode-re ctifier)

vakalik -ga -Issiqlik sinki (perIGBT -Tormoz -Chopper )Korpus-Garmoshka (har bir Diod-tekishtiruvchi- chopper) Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

0.124 0.214 0.213 0.207 0.523 0.009

K/W

M

Montaj vringli kuch Varaq:M5

3.0

6.0

N.M

g

Og'irlik из Modul

300

g