GD100HFX170C1S, IGBT Moduli, STARPOWER

Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli ,ishlab chiqarilgan STARPOWER . 1700V 100A. Oʻrtacha

Xususiyatlari

Past VCE (sat) trench IGBT texnologiyasi
10 μs qisqa uzilish qobiliyati
VCE (sat) musbat harorat koeffitsiyenti bilan
Eng katta junction temperaturi 175 ℃
Past induktivlik bilan qoplangan
Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
DBC texnologiyasi yordamida izolyatsiya qilingan mis po'stlang'ich

Oddiy qoʻllanmalar

Motorli harakatlantiruvchi inverter
AC va DC servo harakatlantiruvchi kuchaytirgich
Айрмасиз куcych таminоти

Absolyut Maksimal Baholashlar T F =25 O C agar boshqa belgilangan

IGBT

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
V CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	1700	V
V GES	Chiqargichning kuchlanishi	±20	V
Ман C	Kollektor oqimi @ T C =25 O C @ T C =100 O C	173 112	A
Ман m	Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms	200	A
P D	Maksimal Quvvat Bo'shilish @ T vj = 175 O C	666	W

Diod

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
V RRM	Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi	1700	V
Ман F	Diod Davomiy Oldinga Cu rrent	100	A
Ман Fm	Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms	200	A

Modul

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
T vjmax	Maksimal bogʻlanish harorati	175	O C
T vjop	Ishlanish boʻgʻinlari harorati	-40 dan +150 gacha	O C
T STG	Saqlash temperaturasi diapazoni	-40 dan +125 gacha	O C
V ISO	Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t= 1 daqiqa	4000	V

IGBT Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C =100A,V GE =15V, T vj =25 O C		1.85	2.20	V
		Ман C =100A,V GE =15V, T vj = 125 O C		2.25
		Ман C =100A,V GE =15V, T vj = 150 O C		2.35
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi Voltaj	Ман C =4.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Ман CES	Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C			5.0	mA
Ман GES	Darvoza emittorining oqishi Jorov	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C			400	nA
R Gint	Ichki darvoza qarshiligi			7.5		Ω
C ies	Kirish sig'imi	V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V		12.0		NF
C res	Orqaga oʻtish Kalitlik	V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V		0.29		NF
Q g	Darvoza zaryadi	V GE =-15...+15V		0.94		μC
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 900V,I C =100A, R g =4.7Ω,V GE =±15V, Ls=60nH, T vj =25 O C		272		ns
T R	O'sish vaqti			55		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			369		ns
T F	Pasayish vaqti			389		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			28.2		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			16.4		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 900V,I C =100A, R g =4.7Ω,V GE =±15V, Ls=60nH, T vj = 125 O C		296		ns
T R	O'sish vaqti			66		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			448		ns
T F	Pasayish vaqti			576		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			40.1		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			24.1		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 900V,I C =100A, R g =4.7Ω,V GE =±15V, Ls=60nH, T vj = 150 O C		302		ns
T R	O'sish vaqti			69		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			463		ns
T F	Pasayish vaqti			607		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			43.9		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			25.7		mJ
Ман SC	SC ma'lumotlari	T P ≤ 10 μs, V GE =15V, T vj = 150 O C ,V CC =1000V V MET ≤ 1700V		400		A

Diod Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V F	Oldinga chiquvchi diod Voltaj	Ман F =100A,V GE =0V,T vj = 2 5O C		1.80	2.25	V
		Ман F =100A,V GE =0V,T vj = 125 O C		1.90
		Ман F =100A,V GE =0V,T vj = 150 O C		1.95
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 900V,I F =100A, -di⁄dt=1290A⁄μs,V GE = 15V Ls=60nH, T vj =25 O C		23.5		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			85		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			11.5		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 900V,I F =100A, -di/dt=1020A/μs,V GE = 15V Ls=60nH, T vj = 125 O C		36.6		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			88		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			18.1		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 900V,I F =100A, -di/dt=960A/μs,V GE = 15V Ls=60nH, T vj = 150 O C		46.2		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			91		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			24.6		mJ

Modul Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Min.	Tip.	Max.	BIT
L CE	Yolgʻizlik induktansiyasi			30	nH
R CC+EE	Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish		0.65		mΩ
R tJC	Junction -ga -vakalik (perIGBT ) Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)			0.225 0.391	K/W
R tCH	vakalik -ga -Issiqlik sinki (perIGBT )Issiqlik sinkiga boʻlgan qoʻllanma (p) er Diod) Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)		0.158 0.274 0.050		K/W
M	terminalga ulanish vringli kuchi, Screw M5 Montaj vringli kuch M6 shrub	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
g	Og'irlik из Modul		150		g