GD100HFQ120C1SD, IGBT Modul, STARPOWER

Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli ,ishlab chiqarilgan STARPOWER . 1200V 100A. Oʻrtacha

Xususiyatlari

Past VCE (sat) trench IGBT texnologiyasi
10 μs qisqa uzilish qobiliyati
VCE (sat) musbat harorat koeffitsiyenti bilan
Eng katta junction temperaturi 175 ℃
Past induktivlik bilan qoplangan
Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
DBC texnologiyasi yordamida izolyatsiya qilingan mis po'stlang'ich

Oddiy qoʻllanmalar

Oʻzgaruvchan rejimli quvvat taʼminoti
Induktiv isitish
Elektron payvandlash

Absolyut Maksimal Baholashlar T F =25 O C agar boshqa belgilangan

IGBT

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
V CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	1200	V
V GES	Chiqargichning kuchlanishi	±20	V
Ман C	Kollektor oqimi @ T C =25 O C @ T C =100 O C	162 100	A
Ман m	Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms	200	A
P D	Maksimal quvvat vj = 175 O C	595	W

Diod

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
V RRM	Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi	1200	V
Ман F	Diod Davomiy Oldinga Cu rrent	100	A
Ман Fm	Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms	200	A

Modul

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
T vjmax	Maksimal bogʻlanish harorati	175	O C
T vjop	Ishlanish boʻgʻinlari harorati	-40 dan +150 gacha	O C
T STG	Saqlash temperaturasi diapazoni	-40 dan +125 gacha	O C
V ISO	Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C =100A,V GE =15V, T vj =25 O C		1.85	2.30	V
		Ман C =100A,V GE =15V, T vj = 125 O C		2.25
		Ман C =100A,V GE =15V, T vj = 150 O C		2.35
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi Voltaj	Ман C =4.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Ман CES	Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C			1.0	mA
Ман GES	Darvoza emittorining oqishi Jorov	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C			400	nA
R Gint	Ichki darvoza qarshiligi oʻtish			7.5		Ω
C ies	Kirish sig'imi	V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V		10.8		NF
C res	Orqaga oʻtish Kalitlik	V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V		0.30		NF
Q g	Darvoza zaryadi	V GE = - 15 …+15V		0.84		μC
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =100A, R g =5.1Ω, V GE =±15V, L s = 45 nH ,T vj =25 O C		59		ns
T R	O'sish vaqti			38		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			209		ns
T F	Pasayish vaqti			71		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			11.2		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			3.15		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =100A, R g =5.1Ω, V GE =±15V, L s = 45 nH ,T vj = 125 O C		68		ns
T R	O'sish vaqti			44		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			243		ns
T F	Pasayish vaqti			104		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			14.5		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			4.36		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =100A, R g =5.1Ω, V GE =±15V, L s = 45 nH ,T vj = 150 O C		71		ns
T R	O'sish vaqti			46		ns
T d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			251		ns
T F	Pasayish vaqti			105		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			15.9		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			4.63		mJ
Ман SC	SC ma'lumotlari	T P ≤ 10 μs, V GE =15V, T vj = 150 O C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V		400		A

Diod Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V F	Oldinga chiquvchi diod Voltaj	Ман F =100A,V GE =0V,T vj = 2 5O C		1.85	2.30	V
		Ман F =100A,V GE =0V,T vj = 125 O C		1.90
		Ман F =100A,V GE =0V,T vj = 150 O C		1.95
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 600V,I F =100A, -di/dt=961A/μs,V GE = 15V L s = 45 nH ,T vj =25 O C		7.92		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			46.4		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			2.25		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 600V,I F =100A, -di/dt=871A/μs,V GE = 15V L s = 45 nH ,T vj = 125 O C		15.0		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			54.5		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			5.08		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 600V,I F =100A, -di/dt=853A/μs,V GE = 15V L s = 45 nH ,T vj = 150 O C		18.8		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			58.9		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			6.67		mJ

Modul Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Min.	Tip.	Max.	BIT
L CE	Yolgʻizlik induktansiyasi			30	nH
R CC+EE	Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish		0.75		mΩ
R tJC	Junction -ga -vakalik (perIGBT ) Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)			0.252 0.446	K/W
R tCH	vakalik -ga -Issiqlik sinki (perIGBT )Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)		0.157 0.277 0.050		K/W
M	terminalga ulanish vringli kuchi, Screw M5 Montaj vringli kuch M6 shrub	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
g	Og'irlik из Modul		150		g