Barcha toifalar

IGBT Moduli 750V

IGBT Moduli 750V

Bosh sahifa /  Mahsulotlar  /  IGBT moduli /  IGBT Moduli 750V

GD1000HTA75P6HT

750V 1000A,

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD1000HTA75P6HT
Appurtenance:

Mahsulot haqida maʼlumot:Yozib olish

  • Kirish
  • Koʻrinish
  • Ekvivalent sxemasi
Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli ,ishlab chiqarilgan STARPOWER . 750V 1000A ,P6 .

Xususiyatlar

  • Past VCE (sat) trench IGBT texnologiyasi
  • Pastki o'zgarish yo'qotishlari
  • 6μs qisqa uzilish qobiliyati
  • VCE (sat) musbat harorat koeffitsiyenti bilan
  • Eng katta junction temperaturi 175 °C
  • Past induktivlik bilan qoplangan
  • Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
  • Si3N4 AMB texnologiyasi orqali izolatsiya qilinadigan kopor finli koppir asosli ploshadka

Oddiy qoʻllanmalar

  • Avtomobil sanoatida qo'llanmalar
  • Gibrid va elektr transport vositalari
  • Motorli harakatlantiruvchi inverter

Absolyut Maksimal Baholashlar T F =25 O C agar boshqa belgilangan

IGBT

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

750

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман CN

Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent

1000

A

Ман C

Kollektor oqimi @ T F = 125 O C

450

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

2000

A

P D

Maksimal Quvvat Yo'qotish атион @ T F =75 O C T vj = 175 O C

1282

W

Diod

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

BIT

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

750

V

Ман ФН

Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent

1000

A

Ман F

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

450

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

2000

A

Modul

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

T vjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

O C

T vjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati uzluksiz

Davri ichida 10 sekundga to'g'ri 30 sekundda yuzaga chiqishi hayot davomida eng ko'p 3000 marta

-40 dan +150 gacha +150 dan +175 gacha

O C

T STG

Saqlanish harorat oraliqi

-40 dan +125 gacha

O C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

D Yovuzlik

Issiqlik sinkiga terminal Terminaldan terminalga

9.0 9.0

mm

D aniq

Issiqlik sinkiga terminal Terminaldan terminalga

4.5 4.5

mm

IGBT Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 450A,V GE =15V, T vj =25 O C

1.10

1.35

V

Ман C = 450A,V GE =15V, T vj = 150 O C

1.10

Ман C = 450A,V GE =15V, T vj = 175 O C

1.10

Ман C =1000A,V GE =15V, T vj =25 O C

1.40

Ман C =1000A,V GE =15V, T vj = 175 O C

1.60

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C =12.9 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C

5.5

6.4

7.0

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C

1.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

1.2

Ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V

66.7

NF

C o'qish

Chiqarish quvvati

1.50

NF

C res

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.35

NF

Q g

Darvoza zaryadi

V CE =400V,I C = 450A, V GE =-15...+15V

4.74

μC

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC =400V,I C = 450A,

R Gon = 1,2Ω, R Goff =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

L s =24nH, T vj =25 O C

244

ns

T R

O'sish vaqti

61

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

557

ns

T F

Pasayish vaqti

133

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

11.0

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

22.8

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC =400V,I C = 450A,

R Gon = 1,2Ω, R Goff =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

L s =24nH, T vj = 150 O C

260

ns

T R

O'sish vaqti

68

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

636

ns

T F

Pasayish vaqti

226

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

16.9

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

32.2

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC =400V,I C = 450A,

R Gon = 1,2Ω, R Goff =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

L s =24nH, T vj = 175 O C

264

ns

T R

O'sish vaqti

70

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

673

ns

T F

Pasayish vaqti

239

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

19.2

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

33.6

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤6μs, V GE =15V,

T vj =25 O C,V CC =400V, V MET ≤750V

4900

A

T P ≤3μs, V GE =15V,

T vj = 175 O C,V CC =400V, V MET ≤750V

3800

Diod Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V F

Oldinga chiquvchi diod kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F = 450A,V GE =0V,T vj = 2 5O C

1.40

1.65

V

Ман F = 450A,V GE =0V,T vj = 150 O C

1.35

Ман F = 450A,V GE =0V,T vj = 175 O C

1.30

Ман F =1000A,V GE =0V,T vj =25 O C

1.80

Ман F =1000A,V GE =0V,T vj = 175 O C

1.80

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R =400V,I F = 450A,

-di⁄dt=7809A⁄μs,V GE = 8V L s = 24 nH ,T vj =25 O C

18.5

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

303

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

3.72

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R =400V,I F = 450A,

-di⁄dt=6940A⁄μs,V GE = 8V L s = 24 nH ,T vj = 150 O C

36.1

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

376

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

8.09

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R =400V,I F = 450A,

-di⁄dt=6748A⁄μs,V GE = 8V L s = 24 nH ,T vj = 175 O C

40.1

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

383

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

9.01

mJ

NTC Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

∆R/R

Og'ish из R 100

T C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Modul Xususiyatlari T F =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

BIT

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

8

nH

R CC+EE

Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha

0.75

P

Sovutish davridagi maksimal bosim cuit

T asos <40 O C

T asos >40 O C

(nisbiy bosim)

2.5 2.0

ta

R thJF

Junction -ga -Тезиқлаштириш Suyuqlik (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (D bo'yicha yod) V/ t=10.0 dm 3/Min ,T F =75 O C

0.068 0.105

0.078 0.120

K/W

M

terminalga ulanish vringli kuchi, Screw M5 Montaj vringli kuch Burg'u M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

g

Og'irlik из Modul

750

g

Koʻrinish

Ekvivalent sxemasi

Bepul taklif oling

Bizning vakilimiz tez orada siz bilan bog'lanadi.
Email
Ism
Kompaniya nomi
Xabar
0/1000

QO'ShMA mahsuloti

Mahsulotlar haqida savollaringiz bormi?

Bizning professional savdo jamoamiz sizning maslahatlaringizni kutmoqda.
Ularning mahsulot ro'yxatini kuzatishingiz va sizni qiziqtirgan har qanday savollarni berishingiz mumkin.

Taklif oling

Bepul taklif oling

Bizning vakilimiz tez orada siz bilan bog'lanadi.
Email
Ism
Kompaniya nomi
Xabar
0/1000