GD1000HTA75P6HLT

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

750

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман CN

Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent

1000

A

Ман C

Kollektor oqimi @ T F = 125 O C

450

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

2000

A

P D

Maksimal Quvvat Yo'qotish атион @ T F =75 O C T vj = 175 O C

1282

W

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

BIT

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

750

V

Ман ФН

Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent

1000

A

Ман F

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

450

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

2000

A

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

T vjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

O C

T vjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati uzluksiz

Davri ichida 10 sekundga to'g'ri 30 sekundda yuzaga chiqishi hayot davomida eng ko'p 3000 marta

-40 dan +150 gacha +150 dan +175 gacha

O C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

O C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

D Yovuzlik

Issiqlik sinkiga terminal Terminaldan terminalga

9.0 9.0

mm

D aniq

Issiqlik sinkiga terminal Terminaldan terminalga

4.5 4.5

mm

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 450A,V GE =15V, T vj =25 O C

1.10

1.35

V

Ман C = 450A,V GE =15V, T vj = 150 O C

1.10

Ман C = 450A,V GE =15V, T vj = 175 O C

1.10

Ман C =1000A,V GE =15V, T vj =25 O C

1.40

Ман C =1000A,V GE =15V, T vj = 175 O C

1.60

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

Ман C =12.9 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C

5.5

6.4

7.0

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C

1.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

1.2

Ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V

66.7

NF

C o'qish

Chiqarish quvvati

1.50

NF

C res

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.35

NF

Q g

Darvoza zaryadi

V CE =400V,I C = 450A, V GE =-15...+15V

4.74

μC

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC =400V,I C = 450A,

R Gon = 1,2Ω, R Goff =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

L s =24nH, T vj =25 O C

244

ns

T R

O'sish vaqti

61

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

557

ns

T F

Pasayish vaqti

133

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

11.0

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

22.8

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC =400V,I C = 450A,

R Gon = 1,2Ω, R Goff =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

L s =24nH, T vj = 150 O C

260

ns

T R

O'sish vaqti

68

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

636

ns

T F

Pasayish vaqti

226

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

16.9

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

32.2

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC =400V,I C = 450A,

R Gon = 1,2Ω, R Goff =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

L s =24nH, T vj = 175 O C

264

ns

T R

O'sish vaqti

70

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

673

ns

T F

Pasayish vaqti

239

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

19.2

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

33.6

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤6μs, V GE =15V,

T vj =25 O C,V CC =400V, V MET ≤750V

4900

A

T P ≤3μs, V GE =15V,

T vj = 175 O C,V CC =400V, V MET ≤750V

3800

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

Ман F = 450A,V GE =0V,T vj = 2 5O C

1.40

1.65

V

Ман F = 450A,V GE =0V,T vj = 150 O C

1.35

Ман F = 450A,V GE =0V,T vj = 175 O C

1.30

Ман F =1000A,V GE =0V,T vj =25 O C

1.80

Ман F =1000A,V GE =0V,T vj = 175 O C

1.80

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R =400V,I F = 450A,

-di⁄dt=7809A⁄μs,V GE = 8V L s = 24 nH ,T vj =25 O C

18.5

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

303

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

3.72

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R =400V,I F = 450A,

-di⁄dt=6940A⁄μs,V GE = 8V L s = 24 nH ,T vj = 150 O C

36.1

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

376

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

8.09

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R =400V,I F = 450A,

-di⁄dt=6748A⁄μs,V GE = 8V L s = 24 nH ,T vj = 175 O C

40.1

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

383

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

9.01

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

∆R/R

Og'ish из R 100

T C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

BIT

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

8

nH

R CC+EE

Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha

0.75

mΩ

P

Sovutish davridagi maksimal bosim cuit

T asos <40 O C

T asos >40 O C

(nisbiy bosim)

2.5 2.0

ta

R thJF

Junction -ga -Тезиқлаштириш Suyuqlik (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (D bo'yicha yod) △ V/ △ t=10.0 dm 3/Min ,T F =75 O C

0.068 0.105

0.078 0.120

K/W

M

terminalga ulanish vringli kuchi, Screw M5 Montaj vringli kuch Burg'u M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

g

Og'irlik из Modul

750

g