IGBT Discrete

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 O C

@ T C = 110O C

50

25

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P T tomonidan cheklangan jmax

100

A

P D

Maksimal quvvat J = 175 O C

573

W

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

BIT

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +175 gacha

O C

T STG

Saqlanish harorati Diapazon

-55 dan +150 gacha

O C

T s

Soldering Temperature,1.6mm fro m case for 10 sekundlar

260

O C

M

Montaj vringli kuch Screw M3

0.6

N.M

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C =25A, V GE =15V,

T J =25 O C

1.70

2.15

V

Ман C =25A, V GE =15V,

T J = 125 O C

1.95

Ман C =25A, V GE =15V,

T J = 150 O C

2.00

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C =0.63 mA ,V CE = V GE , T J =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V,

T J =25 O C

1.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

0

Ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

2.59

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

0.07

NF

Q g

Darvoza zaryadi

V GE =-15...+15V

0.19

μC

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =25A, R g =20Ω,V GE =±15V, T J =25 O C

28

ns

T R

O'sish vaqti

17

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

196

ns

T F

Pasayish vaqti

185

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

1.71

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

1.49

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =25A, R g =20Ω,V GE =±15V, T J = 125 O C

28

ns

T R

O'sish vaqti

21

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

288

ns

T F

Pasayish vaqti

216

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

2.57

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

2.21

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =25A, R g =20Ω,V GE =±15V, T J = 150 O C

28

ns

T R

O'sish vaqti

22

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

309

ns

T F

Pasayish vaqti

227

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

2.78

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

2.42

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs,V GE =15V,

T J = 150 O C,V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

100

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F =25A,V GE =0V,T J =25 O C

2.20

2.65

V

Ман F =25A,V GE =0V,T J = 125O C

2.30

Ман F =25A,V GE =0V,T J = 150O C

2.25

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE = 15V T J =25 O C

1.43

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

34

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

0.75

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE = 15V T J = 125O C

2.4

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

42

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

1.61

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE = 15V T J = 150O C

2.6

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

44

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

2.10

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

BIT

R tJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

0.262

0.495

K/W

R tJA

O'zaro bog'lanish

40

K/W