MK(H)x75 MK75 ,Tez Oʻtilish Thyristor Modullari, Havo Sochqirish

Tez o'chirish tiristor modullari

MK(H)x75 MK75 ,Fast Turn-off Thyristor Modules,Air Cooling

750A,600V~1800V,216F3B

Brand:

TECHSEM

Spu:

MK(H)x75 MK75

Appurtenance:

Mahsulot haqida maʼlumot:Yozib olish

Kirish
Koʻrinish
Ekvivalent sxemasi

Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

Tez o'chirish tiristor modullari ,MK(H)x200 MK200,, 200A, Havo sovutish ,TECHSEM tomonidan ishlab chiqarilgan.

VRRM,VDRM	Tur va kontur
600V	MKx75-06-216F3B	MHx75-06-216F3B
800V	MKx75-08-216F3B	MHx75-08-216F3B
1000V	MKx75-10-216F3B	MHx75-10-216F3B
1200V	MKx75-12-216F3B	MHx75-12-216F3B
1400V	MKx75-14-216F3B	MHx75-14-216F3B
1600V	MKx75-16-216F3B	MHx75-16-216F3B
1800V	MKx75-18-216F3B	MHx75-18-216F3B
1800V	MK75-18-216F3BG

MKx har qanday turini anglatadi MKC, MKA, MKK

Xususiyatlar ：

Izolyatsiyalangan montaj asos e 2500V~
Bosimli kontakt texnologiyasi bilan Kuchaytilgan quvvat aylanish imkoniyati
Joy va vazn sa qish

Oddiy qoʻllanmalar ：

Inverter
Induktiv isitish
Chopper

Simvol	XUShMATLAR	Sinov sharoitlari	Tj( 。C)	qiymat			BIT
Simvol	XUShMATLAR	Sinov sharoitlari	Tj( 。C)	Min	Tur	Maksimal	BIT
IT(AV)	O'rtacha yoqilgan holatdagi tok	180。yarim sinus to'lqini 50 Hz Yagona tomon sovutilgan,Tc=85 。C	125			75	A
IT ((RMS)	RMS ish holatidagi tok		125			118	A
Idrm Irrm	Takroriy cho'qqi oqim	VDRM va VRRM da	125			30	mA
Ман _TSM	To'lqin yoqilgan holatdagi tok	10ms yarim sinus to'lqini VR=60%VRRM	125			1.6	kA
Ман ²T	Qayta birikish uchun I2t	10ms yarim sinus to'lqini VR=60%VRRM	125			13	10³A ²s
V _ga	Chiziqli kuchlanishni		125			1.50	V
rt	Yoqilgan holatdagi qiyshiq qarshilik		125			4.00	mΩ
V _TM	Eng yuqori yoqilgan holatdagi kuchlanish	ITM=225A	25			2.53	V
dv/dt	O'chirilgan holat voltajining tanqidiy ko'tarilish tezligi	VDM=67%VDRM	125			800	V/μs
di/dt	O'rnatilgan holatdagi oqimning o'sishining kritik darajasi	Gate manbai 1.5A tr ≤0.5μs Takroriy	125			200	A/μs
Tq	O'zaro o'zgartirilgan o'chirish vaqti	ITM=200A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs ,di/dt=-20A/μs	125	20		40	μs
Tq	O'zaro o'zgartirilgan o'chirish vaqti	ITM=200A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs ,di/dt=-20A/μs	25	6		16	μs
Ман _GT	Eshikni ishga tushirish tok	VA= 12V, IA= 1A	25	30		150	mA
V _GT	Eshikni ishga tushirish kuchlanishi			0.8		2.5	V
Ман _H	Ushlab turish toki			20		200	mA
IL	Qayta ushlab turish toki					1000	mA
V _GD	Ishga tushirilmagan eshik kuchlanishi	VDM= 67%VDRM	125			0.2	V
Rth(j-c)	Termal qarshilik kesishdan qutiga	Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan				0.20	°C /W
Rth(c-h)	Qizil qarshilik quti va issiqlik chiqaruvchi o'rtasida	Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan				0.04	°C /W
VISO	Izolyatsiya kuchlanishi	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		2500			V
Fm	Terminal ulanish momenti (M6)			4.5		6.0	N·m
Fm	O'rnatish momenti (M6)			4.5		6.0	N·m
Tvj	Junction harorati			-40		125	°C
TSTG	Saqlash harorati			-40		125	°C
Wt	Og'irlik				320		g
Koʻrinish	216F3B