GD300SGU120C2S, IGBT Modul,STARPOWER

Simvol

Tavsif

GD300SGU120C2S

Birliklar

VCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

VGES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

To'plovchi tok @ TC=25℃

@ TC=80℃

440

300

A

ICM

Pulsli Kollektor Tok tp=1ms

600

A

IF

Diode uzluksiz oldinga oqim @ TC=80℃

300

A

MFI

Diode Maksimal Oldinga Tok tp=1ms

600

A

PD

Maksimal quvvat yo'qotilishi @ Tj=150℃

2272

W

Tjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

150

℃

TSTG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

℃

VISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

Oʻrnatish vring

Signal terminalning viski:M4

1.1 dan 2.0

Kuch terminalining viski:M6

2.5 dan 5.0

N.M

O'rnatish viski:M6

3.0 dan 5.0

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V(BR) CES

Kollektor-tarqatuvchi

Жорайвий чораларни босим

Tj = 25°C

1200

V

ICES

Kollektorning kesilishi

Jorov

VCE=VCES,VGE=0V,Tj=25°C

5.0

mA

IGES

Gate-Emitter oqim oqishi

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃

400

nA

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

VGE (oʻn)

Darvozani-emitterning chegara kuchlanishi

IC=3.0mA,VCE=VGE, Tj=25℃

4.4

5.2

6.0

V

VCE(sat)

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC=300A,VGE=15V, Tj=25℃

3.10

3.55

V

IC=300A,VGE=15V, Tj=125℃

3.45

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 300A, R G =3.3Ω,

V GE =±15V, T j =25 ℃

662

ns

t r

O'sish vaqti

142

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

633

ns

t f

Pasayish vaqti

117

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

19.7

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

22.4

mJ

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 300A, R G =3.3Ω,

V GE =±15V, T j = 125 ℃

660

ns

t r

O'sish vaqti

143

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

665

ns

t f

Pasayish vaqti

137

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

24.9

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

28.4

mJ

C ies

Kirish sig'imi

V CE =30V,f=1MHz,

V GE =0V

25.3

nF

C o'qish

Chiqarish quvvati

2.25

nF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

0.91

nF

Ман SC

SC ma'lumotlari

t P ≤ 10 μs,V GE =15 V,

T j = 125 °C, V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

2550

A

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modulning oʻrni

Qarshilik,

Chiptani terminalga oʻtkazish

0.18

mΩ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

Voltaj

Ман F =300A

T j =25 ℃

1.82

2.25

V

T j = 125 ℃

1.95

Q r

Qayta tiklangan

Muammaloq

Ман F = 300A,

V R = 600 V,

R G =3.3Ω,

V GE = 15V

T j =25 ℃

29.5

μC

T j = 125 ℃

42.3

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

T j =25 ℃

210

A

T j = 125 ℃

272

E rek

Qayta tiklanish Energiya

T j =25 ℃

16.4

mJ

T j = 125 ℃

22.7

Simvol

Parametr

Tip.

Max.

Birliklar

R θ JC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

0.055

K/W

R θ JC

Qisqasi bilan bogʻlanish (har D Yod)

0.092

K/W

R θ CS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog 'ilovasi) yolgʻonchi)

0.035

K/W

Og'irlik

Og'irlik Modul

300

g