Модуль IGBT 1200V

Символ

Опис

GD400SGT120C2S

Одиниці

В CES

Напруження колектора-еміттера

1200

В

В ГЕС

Напруження шлюзового випромінювача

±20

В

Я C

Колекторний струм @ т C =25 ℃

@ T C =80 ℃

680

400

A

Я CM

Імпульсний колекторний струм t P =1 мс

800

A

Я Ф

Диодний безперервний прохідний крив оренда

@ T C =80 ℃

400

A

Я ЗМ

Максимальний прямий струм діода t P =1 мс

800

A

P Д

Максимальна потужність розсіювання @ T j =1 75℃

2419

W

т jmax

Максимальна температура перетину

175

℃

т СТГ

Температура зберігання Діапазон

-40 до +125

℃

В iso

Ізоляційний напруга RMS,f=50Hz,t=1 мін

2500

В

Монтаж Крутяний момент

Клема живлення гвинт:M4

Гвинт силового терміналу:M6

1.1 до 2.0

2.5 до 5.0

Н.М

Монограф: М6

3,0 до 5.0

Н.М

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниці

В (BR )CES

Колектор-Емітер

Напруга зламу

т j =25 ℃

1200

В

Я CES

Колекціонер Вирізано -ЗВІЛЕНО

Текуче

В СЕ = В CES ,В ГЕ =0V, т j =25 ℃

5.0

mA

Я ГЕС

Витік шлюзового емітера Текуче

В ГЕ = В ГЕС ,В СЕ =0V, т j =25 ℃

400

НА

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниці

В ГЕ (TH )

Порог шлюзового випромінювача Напруга

Я C = 16,0 мА, В СЕ =V ГЕ , т j =25 ℃

5.0

5.8

6.5

В

В CE (Сі)

Збирач до випускача

Насичення напруги

Я C = 400 А,В ГЕ =15В, т j =25 ℃

1.70

2.05

В

Я C = 400 А,В ГЕ =15В, т j =125 ℃

2.00

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниці

т Д (Увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 600 В,I C =400A, R G = 1.8Ω,

В ГЕ =±15В, т j =25 ℃

251

n

т R

Час підйому

89

n

т Д (ЗВІЛЕНО )

Вимкнення Час затримки

555

n

т Ф

Час осені

128

n

E Увімкнено

Вмикнення Перемикання

Потерпіла

23.0

mJ

E ЗВІЛЕНО

Вимкнення

Потерпіла

39.5

mJ

т Д (Увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 600 В,I C =400A, R G = 1.8Ω,

В ГЕ =±15В, т j =125 ℃

302

n

т R

Час підйому

101

n

т Д (ЗВІЛЕНО )

Вимкнення Час затримки

650

n

т Ф

Час осені

179

n

E Увімкнено

Вмикнення Перемикання

Потерпіла

33.1

mJ

E ЗВІЛЕНО

Вимкнення

Потерпіла

58.9

mJ

C ies

Вхідна емкості

В СЕ =25V, f=1MHz,

В ГЕ =0V

28.8

НФ

C oes

Вихідна ємність

1.51

НФ

C res

Обратний перевод

Кваліфікація

1.31

НФ

Я SC

Дані SC

т P ≤ 10 мкм,В ГЕ =15 В,

т j =125 °C, В CC = 900 В, В CEM ≤ 1200В

1600

A

R Гінт

Внутрішня ворота опору Ґаааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааа

1.9

О

L СЕ

Індуктивність відхилення

20

nH

R CC+EE

Вивід модуля

опір,

термінал до чіпа

0.18

mΩ

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниці

В Ф

Диод наперед

Напруга

Я Ф =400A

т j =25 ℃

1.65

2.10

В

т j =125 ℃

1.65

Q R

Відновили

заряд

Я Ф =400A,

В R =600V,

R G = 1.8Ω,

В ГЕ =-15В

т j =25 ℃

39.8

МК

т j =125 ℃

75.1

Я RM

Вертикальний пік

Отримання потоку

т j =25 ℃

275

A

т j =125 ℃

362

E Рекомендації

Обертаний відновлення енергія

т j =25 ℃

18.0

mJ

т j =125 ℃

34.1

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Одиниці

R θ JC

Зв'язок до справи (на IGB) T)

0.067

К/В

R θ JC

З'єднання до корпусу (на D) йод)

0.124

К/В

R θ CS

Категорія "Санк" (провідна жирова додатка) брехня)

0.035

К/В

Вага

Вага Модуль

300

G