Модуль IGBT 1700V

GD650HFX170P1S,IGBT Модуль,STARPOWER

1700В 650А

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD650HFX170P1S

Вступ
Контур

Вступ

Короткий вступ ція

IGBT модуль , вироблений компанією STARPOWER. 1700В 650А

Особливості

Низький V СЕ (сидів ) Розкоп IGBT ТЕХНОЛОГІЯ
10 мкм Керамична здатність короткого закликання ¦ ¦ ¦ ¦
В СЕ (сидів ) З позитивний Температура коефіцієнт
Максимальний Температура перетину 175O C
Розширені диоди для регенеративних Операція
Ізольована медна підкладка з використанням технології DBC
Висока потужність і тепловий цикл це

Типовий Заявки

Конвертер високої потужності
Вітряна і сонячна енергія
Привід тягу

Абсолютно Максимальний Рейтинги т C =25 O C якщо тільки інакше Примітка

IGBT

Символ	опис	значення	одиниця
В CES	Напруження колектора-еміттера	1700	В
В ГЕС	Напруження шлюзового випромінювача	±20	В
Я C	Струм колектора @ T C =25 O C @ T C = 100O C	1073 650	A
Я CM	Імпульсний колекторний струм t P =1 мс	1300	A
P Д	Максимальна потужність розсіювання @ T j =175 O C	4.2	кВт

Диод

Символ	опис	значення	одиниця
В РРМ	Повернення пікового напруження	1700	В
Я Ф	Диодний безперервний прохідний крив оренда	650	A
Я ЗМ	Максимальний прямий струм діода t P =1 мс	1300	A

Модуль

Символ	опис	значення	одиниця
т jmax	Максимальна температура перетину	175	O C
т джоп	Теплота роботи з'єднання	-40 до +150	O C
т СТГ	Температура зберігання Діапазон	-40 до +150	O C
В iso	Напруга ізоляції RMS,f=50Гц,t= 1 хвилина	4000	В

IGBT Характеристики т C =25 O C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Умови випробування	Хв.	Тип.	Макс.	одиниця
В CE (Сі)	Збирач до випускача Насичення напруги	Я C = 650A,V ГЕ =15В, т j =25 O C		1.90	2.35	В
		Я C = 650A,V ГЕ =15В, т j =125 O C		2.35
		Я C = 650A,V ГЕ =15В, т j =150 O C		2.45
В ГЕ (TH )	Порог шлюзового випромінювача Напруга	Я C = 24,0 mA ,В СЕ = В ГЕ , т j =25 O C	5.6	6.2	6.8	В
Я CES	Колекціонер Вирізано -ЗВІЛЕНО Текуче	В СЕ = В CES ,В ГЕ =0V, т j =25 O C			5.0	mA
Я ГЕС	Витік шлюзового емітера Текуче	В ГЕ = В ГЕС ,В СЕ =0V, т j =25 O C			400	НА
R Гінт	Внутрішня ворота опору Ґаааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааа			2.3		О
C ies	Вхідна емкості	В СЕ =25V, f=1MHz, В ГЕ =0V		72.3		НФ
C res	Обратний перевод Кваліфікація	В СЕ =25V, f=1MHz, В ГЕ =0V		1.75		НФ
Q G	Зарахування за ворота	В ГЕ =- 15...+15В		5.66		МК
т Д (Увімкнено )	Час затримки включення	В CC = 900 В,I C =650A, R Гон = 1,8Ω,R Гоф =2,7Ω, В ГЕ =±15В,T j =25 O C		468		n
т R	Час підйому			86		n
т Д (ЗВІЛЕНО )	Вимкнення Час затримки			850		n
т Ф	Час осені			363		n
E Увімкнено	Вмикнення Перемикання Потерпіла			226		mJ
E ЗВІЛЕНО	Вимкнення Потерпіла			161		mJ
т Д (Увімкнено )	Час затримки включення	В CC = 900 В,I C =650A, R Гон = 1,8Ω,R Гоф =2,7Ω, В ГЕ =±15В,T j = 125O C		480		n
т R	Час підйому			110		n
т Д (ЗВІЛЕНО )	Вимкнення Час затримки			1031		n
т Ф	Час осені			600		n
E Увімкнено	Вмикнення Перемикання Потерпіла			338		mJ
E ЗВІЛЕНО	Вимкнення Потерпіла			226		mJ
т Д (Увімкнено )	Час затримки включення	В CC = 900 В,I C =650A, R Гон = 1,8Ω,R Гоф =2,7Ω, В ГЕ =±15В,T j = 150O C		480		n
т R	Час підйому			120		n
т Д (ЗВІЛЕНО )	Вимкнення Час затримки			1040		n
т Ф	Час осені			684		n
E Увімкнено	Вмикнення Перемикання Потерпіла			368		mJ
E ЗВІЛЕНО	Вимкнення Потерпіла			242		mJ
Я SC	Дані SC	т P ≤ 10 мкм,В ГЕ =15В, т j =150 O C,V CC = 1000 В, В CEM ≤ 1700В		2600		A

Диод Характеристики т C =25 O C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Умови випробування	Хв.	Тип.	Макс.	одиниця
В Ф	Диод наперед Напруга	Я Ф = 650A,V ГЕ =0V,T j =25 O C		1.85	2.30	В
		Я Ф = 650A,V ГЕ =0V,T j = 125O C		1.98
		Я Ф = 650A,V ГЕ =0V,T j = 150O C		2.02
Q R	Відшкодований заряд	В R = 900 В,I Ф =650A, -di/dt=5980A/μs,V ГЕ =- 15В т j =25 O C		176		МК
Я RM	Вертикальний пік Отримання потоку			765		A
E Рекомендації	Обертаний відновлення енергія			87.4		mJ
Q R	Відшкодований заряд	В R = 900 В,I Ф =650A, -di/dt=5980A/μs,V ГЕ =- 15В т j = 125O C		292		МК
Я RM	Вертикальний пік Отримання потоку			798		A
E Рекомендації	Обертаний відновлення енергія			159		mJ
Q R	Відшкодований заряд	В R = 900 В,I Ф =650A, -di/dt=5980A/μs,V ГЕ =- 15В т j = 150O C		341		МК
Я RM	Вертикальний пік Отримання потоку			805		A
E Рекомендації	Обертаний відновлення енергія			192		mJ

НТК Характеристики т C =25 O C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Умови випробування	Хв.	Тип.	Макс.	одиниця
R 25	Намінальна опірність			5.0		kΩ
ΔR/R	Відхилення of R 100	т C = 100 O C,R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Потужність Витрати				20.0	мВт
B 25/50	Значення B	R 2=R 25екп [B 25/50 (1/T) 2- 1/(298.15K))]		3375		К
B 25/80	Значення B	R 2=R 25екп [B 25/80 (1/T) 2- 1/(298.15K))]		3411		К
B 25/100	Значення B	R 2=R 25екп [B 25/100 (1/T) 2- 1/(298.15K))]		3433		К

Модуль Характеристики т C =25 O C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Хв.	Тип.	Макс.	одиниця
Л СЕ	Індуктивність відхилення		18		nH
R CC+EE	Модуль олівцевого опору, термінал до чіпа		0.30		mΩ
R thJC	Зв'язок до справи (на IGB) T) З'єднання до корпусу (на D) йод)			35.8 71.3	К/кВт
R thCH	Категорія до теплового раковини (на IGBT) Категорія до теплового раковини (p) ер Діод) Категорія до теплового раковини (на Модуль)		13.5 26.9 4.5		К/кВт
м	Термінальний момент підключення, Шруб M4 З'єднання терміналом Крутний момент, Шруб M8 Монометричний момент; Шруб M5	1.8 8.0 3.0		2.1 10.0 6.0	Н.М
G	Вага of Модуль		810		G