Модуль IGBT 1200V

Символ

Опис

GD400SGL120C2S

Одиниці

В CES

Напруження колектора-еміттера

1200

В

В ГЕС

Напруження шлюзового випромінювача

± 20

В

Я C

Струм колектора @ T C = 25℃

@ T C = 100℃

650

A

400

Я CM (1)

Пульсуючий колекторний струм нт

800

A

Я Ф

Диодний постійний поток

400

A

Я ЗМ

Максимальна пряма напруга діода оренда

800

A

P Д

Максимальна потужність розсіювання @ T j = 175℃

3000

W

т SC

Час витримки при короткому замиканні @ T j =125 ℃

10

μs

т jmax

Максимальна температура перетину

175

℃

т j

Теплота роботи з'єднання

-40 до +150

℃

т СТГ

Діапазон температур зберігання

-40 до +125

℃

Я 2t-значення, діод

В R =0V, t=10ms, T j =125 ℃

27500

A 2с

В iso

Напруга ізоляції RMS, f=50Hz, t=1хв

2500

В

Крутний момент монтажу

Гвинт силового терміналу:M6

2.5 до 5

Н.М

Монтаж Гвинт:M6

3 до 6

Н.М

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниці

BV CES

Колектор-Емітер

Напруга зламу

т j =25 ℃

1200

В

Я CES

Колекціонер Вирізано -ЗВІЛЕНО Текуче

В СЕ = В CES ,В ГЕ =0V, т j =25 ℃

5.0

mA

Я ГЕС

Затвор-Емітер

Ток увідки

В ГЕ = В ГЕС ,В СЕ =0V, т j =25 ℃

400

НА

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниці

В ГЕ (TH )

Затвор-Емітер

Напруга порогу

Я C =8 mA ,В СЕ = В ГЕ , т j =25 ℃

5.0

6.2

7.0

В

В CE (Сі)

Колектор до

Насичення емітера

Напруга

Я C = 400 А,В ГЕ =15В, т j =25 ℃

1.9

В

Я C = 400 А,В ГЕ =15В, т j = 125℃

2.1

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниці

т Д (Увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 600 В,I C =400A,

R G =4Ω, V ГЕ = ± 15 В,

100

n

т R

Час підйому

60

n

т Д (ЗВІЛЕНО )

Вимкнення Час затримки

т j =25 ℃

420

n

т Ф

Час осені

В CC = 600 В,I C =400A,

R G =4Ω, V ГЕ = ± 15 В,

т j =25 ℃

60

n

E Увімкнено

Вмикнення

Втрати при перемиканні

33

mJ

E ЗВІЛЕНО

Включення -ЗВІЛЕНО

Втрати при перемиканні

42

mJ

т Д (Увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 600 В,I C =400A,

R G =4Ω, V ГЕ = ± 15 В,

т j = 125℃

120

n

т R

Час підйому

60

n

т Д (ЗВІЛЕНО )

Вимкнення Час затримки

490

n

т Ф

Час осені

75

n

E Увімкнено

Вмикнення

Втрати при перемиканні

35

mJ

E ЗВІЛЕНО

Включення -ЗВІЛЕНО

Втрати при перемиканні

46

mJ

C ies

Вхідна емкості

В СЕ =25V, f=1MHz,

В ГЕ =0V

30

НФ

C oes

Вихідна ємність

4

НФ

C res

Реверсивний

Передавальна ємність

3

НФ

Я SC

Дані SC

т с C ≤ 10μs, V ГЕ =15 В,

т j =125 ℃ , V CC = 900 В,

В CEM ≤ 1200В

1900

A

R Гінт

Внутрішній затвор

Опір

0.5

О

L СЕ

Індуктивність відхилення

20

nH

R CC ’+ EE ’

Вивід модуля

опір,

термінал до чіпа

т C =25 ℃

0.18

м О

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниці

В Ф

Диод наперед

Напруга

Я Ф =400A

т j =25 ℃

2.1

2.2

В

т j = 125℃

2.2

2.3

Q R

Зворотний діод

Заряд відновлення

Я Ф =400A,

В R =600V,

di/dt=-4000A/μs, В ГЕ =- 15В

т j =25 ℃

40

МК

т j = 125℃

48

Я RM

Пік діода

Обертаний відновлення Текуче

т j =25 ℃

320

A

т j = 125℃

400

E Рекомендації

Обертаний відновлення енергія

т j =25 ℃

12

mJ

т j = 125℃

20

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Одиниці

R θ JC

З'єднання з корпусом (частина IGBT, pe r Модуль)

0.05

К/В

R θ JC

З'єднання з корпусом (частина ДІОД, на модуль e)

0.09

К/В

R θ CS

Корпус до радіатора (кондуктивна змазка а пліка)

0.035

К/В

Вага

Вага of Модуль

300

G