Модуль IGBT 1200V

Символ

Опис

GD400SGK120C2S

Одиниці

В CES

Напруження колектора-еміттера

1200

В

Символ

Опис

GD400SGK120C2S

Одиниці

В ГЕС

Напруження шлюзового випромінювача

± 20V

В

Я C

Струм колектора @ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

550

A

400

Я КМ(1)

Імпульсний колекторний струм t P =1 мс

800

A

Я Ф

Діод Безперервний прямий струм нт

400

A

Я ЗМ

Діод Максимальний прямий струм нт

800

A

P Д

Максимальна потужність Вт @ т j =150 ℃

2500

W

т SC

Час витримки при короткому замиканні @ T j =1 25℃

10

μs

т j

Теплота роботи з'єднання

-40 до +150

℃

т СТГ

Діапазон температур зберігання

-40 до +125

℃

Я 2t-значення, діод

В R =0V, t=10ms, T j =125 ℃

27500

A 2с

В iso

Напруга ізоляції RMS, f=50Hz, t=1хв

2500

В

Монтаж

Крутяний момент

Термінал електроенергії Шруб:M4

Термінал електроенергії Гвинт:M6

1.1 до 2.0

2.5 до 5.0

Н.М

Монтаж Гвинт:M6

3,0 до 6.0

Н.М

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниці

BV CES

Колектор-Емітер

Напруга зламу

т j =25 ℃

1200

В

Я CES

Колекціонер Вирізано -ЗВІЛЕНО Текуче

В СЕ =V CES ,V ГЕ =0V, т j =25 ℃

5.0

mA

Я ГЕС

Витік шлюзового емітера

Текуче

В ГЕ =V ГЕС ,V СЕ =0V, т j =25 ℃

400

НА

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниці

В ГР (р)

Затвор-Емітер

Напруга порогу

Я C =5.0mA,V СЕ =V ГЕ ,

т j =25 ℃

4.5

5.1

5.5

В

В CE (Сі)

Збирач до випускача

Насичення напруги

Я C = 400 А,В ГЕ =15V,T j =25 ℃

2.2

В

Я C = 400 А,В ГЕ =15В,

т j =125 ℃

2.5

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниці

т d(on)

Час затримки включення

В CC = 600 В,I C =400A,

258

n

т R

Час підйому

R G =3.3Ω, V ГЕ = ± 15 В,

110

n

т Д (ЗВІЛЕНО )

Вимкнення Час затримки

т j = 25 ℃

285

n

т Ф

Час осені

В CC = 600 В,I C =400A,

R G =3.3Ω, V ГЕ = ± 15 В, т j = 25 ℃

70

n

E Увімкнено

Вмикнення Перемикання Потерпіла

45

mJ

E ЗВІЛЕНО

Вимкнення Потерпіла

26

mJ

т d(on)

Час затримки включення

В CC = 600 В,I C =400A,

R G =3.3Ω, V ГЕ = ± 15 В, т j = 125℃

260

n

т R

Час підйому

120

n

т Д (ЗВІЛЕНО )

Вимкнення Час затримки

300

n

т Ф

Час осені

80

n

E Увімкнено

Вмикнення Перемикання Потерпіла

60

mJ

E ЗВІЛЕНО

Вимкнення Потерпіла

40

mJ

C ies

Вхідна емкості

В СЕ =25V, f=1.0MHz,

В ГЕ =0V

74.7

НФ

C oes

Вихідна ємність

3.3

НФ

C res

Обратний перевод

Кваліфікація

0.64

НФ

Я SC

Дані SC

т с C ≤ 10μs, V ГЕ =15В,

т j =125 ℃ , V CC = 900 В,

В CEM ≤ 1200В

2400

A

L СЕ

Індуктивність відхилення

16

nH

R CC ’+ EE ’

Вивід модуля

опір, Термінал до Чіп

т C =25 ℃

0.50

м О

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниці

В Ф

Диод наперед

Напруга

Я Ф =400A

т j =25 ℃

2.0

2.3

В

т j =125 ℃

2.2

2.5

Q R

Зворотний діод

Заряд відновлення

Я Ф =400A,

В R =600V,

di/dt=-4100A/μs, В ГЕ =-15В

т j =25 ℃

31

МК

т j =125 ℃

66

Я RM

Пік діода

Обертаний відновлення Текуче

т j =25 ℃

300

A

т j =125 ℃

410

E Рекомендації

Обертаний відновлення енергія

т j =25 ℃

12

mJ

т j =125 ℃

28

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Одиниці

R θJC

З'єднання до корпусу (IGBT-частина, на 1/2 модуль)

0.05

К/В

R θJC

З'єднання до корпусу (ЧАСТИНА ДІОДА, на 1/2 модуль)

0.08

К/В

R θCS

Корпус до радіатора (кондуктивна змазка а пліка)

0.035

К/В

Вага

Вага Модуль

340

G