Модуль IGBT 1200V

Символ

Опис

GD400HFL120C2S

Одиниці

В CES

Напруження колектора-еміттера

1200

В

В ГЕС

Напруження шлюзового випромінювача

±20

В

Я C

Колекторний струм @ т C =25 ℃

@ T C =80 ℃

730

400

A

Я CM

Імпульсний колекторний струм t P =1 мс

800

A

Я Ф

Диодний безперервний прохідний крив оренда

400

A

Я ЗМ

Максимальний прямий струм діода t P =1 мс

800

A

P Д

Максимальна потужність розсіювання @ T j =1 75℃

2778

W

т jmax

Максимальна температура перетину

175

℃

т джоп

Теплота роботи з'єднання

-40 до +150

℃

т СТГ

Діапазон температур зберігання

-40 до +125

℃

В iso

Ізоляційний напруга RMS,f=50Hz,t=1 мін

4000

В

Монтаж Крутяний момент

Гвинт силового терміналу:M6

Монограф: М6

2.5 до 5.0

3,0 до 5.0

Н.М

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниці

В (BR )CES

Колектор-Емітер

Напруга зламу

т j =25 ℃

1200

В

Я CES

Колекціонер Вирізано -ЗВІЛЕНО

Текуче

В СЕ = В CES ,В ГЕ =0V, т j =25 ℃

5.0

mA

Я ГЕС

Витік шлюзового емітера Текуче

В ГЕ = В ГЕС ,В СЕ =0V, т j =25 ℃

400

НА

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниці

В ГЕ (TH )

Порог шлюзового випромінювача Напруга

Я C = 16,0 мА, В СЕ =V ГЕ , т j =25 ℃

5.0

6.2

7.0

В

В CE (Сі)

Збирач до випускача

Насичення напруги

Я C = 400 А,В ГЕ =15В, т j =25 ℃

1.90

2.35

В

Я C = 400 А,В ГЕ =15В, т j =125 ℃

2.10

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниці

т Д (Увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 600 В,I C =400A, R G =4. 1Ω,

В ГЕ =±15В, т j =25 ℃

910

n

т R

Час підйому

200

n

т Д (ЗВІЛЕНО )

Вимкнення Час затримки

848

n

т Ф

Час осені

110

n

E Увімкнено

Вмикнення Перемикання

Потерпіла

33.5

mJ

E ЗВІЛЕНО

Вимкнення

Потерпіла

39.5

mJ

т Д (Увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 600 В,I C =400A, R G =4. 1Ω,

В ГЕ =±15В, т j =125 ℃

1047

n

т R

Час підйому

201

n

т Д (ЗВІЛЕНО )

Вимкнення Час затримки

998

n

т Ф

Час осені

150

n

E Увімкнено

Вмикнення Перемикання

Потерпіла

46.0

mJ

E ЗВІЛЕНО

Вимкнення

Потерпіла

57.6

mJ

C ies

Вхідна емкості

В СЕ =25V, f=1MHz,

В ГЕ =0V

29.7

НФ

C oes

Вихідна ємність

2.08

НФ

C res

Обратний перевод

Кваліфікація

1.36

НФ

Я SC

Дані SC

т P ≤ 10 мкм,В ГЕ =15 В,

т j =125 °C, В CC = 900 В, В CEM ≤ 1200В

1800

A

R Гінт

Внутрішня ворота опору Ґаааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааа

0.5

О

L СЕ

Індуктивність відхилення

18

nH

R CC+EE

Вивід модуля

опір,

термінал до чіпа

0.32

mΩ

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниці

В Ф

Диод наперед

Напруга

Я Ф =400A

т j =25 ℃

1.80

2.20

В

т j =125 ℃

1.85

Q R

Відновили

заряд

Я Ф =400A,

В R =600V,

R G =4. 1Ω,

В ГЕ =-15В

т j =25 ℃

26

МК

т j =125 ℃

49

Я RM

Вертикальний пік

Отримання потоку

т j =25 ℃

212

A

т j =125 ℃

281

E Рекомендації

Обертаний відновлення енергія

т j =25 ℃

23.4

mJ

т j =125 ℃

33.8

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Одиниці

R θ JC

Зв'язок до справи (на IGB) T)

0.054

К/В

R θ JC

З'єднання до корпусу (на D) йод)

0.093

К/В

R θ CS

Категорія "Санк" (провідна жирова додатка) брехня)

0.032

К/В

Вага

Вага Модуль

350

G