Модуль IGBT 1200V

Символ

Опис

GD800HFT120C3S

Одиниці

В CES

Напруження колектора-еміттера

1200

В

В ГЕС

Напруження шлюзового випромінювача

±20

В

Я C

Колекторний струм @ т C =25 ℃

@ T C =80 ℃

1400

800

A

Я CM

Імпульсний колекторний струм t P =1 мс

1600

A

Я Ф

Диодний безперервний прохідний крив оренда

@ T C =80 ℃

800

A

Я ЗМ

Максимальний прямий струм діода t P =1 мс

1600

A

P Д

Максимальна потужність розсіювання @ T j =1 75℃

4.2

кВт

т jmax

Максимальна температура перетину

175

℃

т СТГ

Температура зберігання Діапазон

-40 до +125

℃

В iso

Ізоляційний напруга RMS,f=50Hz,t=1 мін

2500

В

Монтаж Крутяний момент

Світовий термінальний викруток:M4

1,8 до 2.1

Викрутка на терміналі потужності:M8

8,0 до 10

Н.М

Монограф: М6

4,25 - 5,75

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниці

В (BR )CES

Колектор-Емітер

Напруга зламу

т j =25 ℃

1200

В

Я CES

Колекціонер Вирізано -ЗВІЛЕНО

Текуче

В СЕ = В CES ,В ГЕ =0V, т j =25 ℃

5.0

mA

Я ГЕС

Витік шлюзового емітера Текуче

В ГЕ = В ГЕС ,В СЕ =0V, т j =25 ℃

400

НА

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниці

В ГЕ (TH )

Порог шлюзового випромінювача Напруга

Я C =32.0 mA ,В СЕ = В ГЕ , т j =25 ℃

5.0

5.8

6.5

В

В CE (Сі)

Збирач до випускача

Насичення напруги

Я C =800A,V ГЕ =15В, т j =25 ℃

1.70

2.15

В

Я C =800A,V ГЕ =15В, т j =125 ℃

2.00

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниці

т Д (Увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 600 В,I C =800A, R Гон =3,3Ω,

R Гоф = 0,39Ω,

В ГЕ =±15В,T j =25 ℃

605

n

т R

Час підйому

225

n

т Д (ЗВІЛЕНО )

Вимкнення Час затримки

830

n

т Ф

Час осені

155

n

E Увімкнено

Вмикнення Перемикання

Потерпіла

/

mJ

E ЗВІЛЕНО

Вимкнення

Потерпіла

/

mJ

т Д (Увімкнено )

Час затримки включення

В CC = 600 В,I C =800A, R Гон =3,3Ω,

R Гоф = 0,39Ω,

В ГЕ =±15В,T j =125 ℃

670

n

т R

Час підйому

220

n

т Д (ЗВІЛЕНО )

Вимкнення Час затримки

960

n

т Ф

Час осені

175

n

E Увімкнено

Вмикнення Перемикання

Потерпіла

161

mJ

E ЗВІЛЕНО

Вимкнення

Потерпіла

124

mJ

C ies

Вхідна емкості

В СЕ =25V, f=1MHz,

В ГЕ =0V

57.7

НФ

C oes

Вихідна ємність

3.02

НФ

C res

Обратний перевод

Кваліфікація

2.62

НФ

Я SC

Дані SC

т P ≤ 10 мкм,В ГЕ =15 В,

т j =125 °C, В CC = 900 В, В CEM ≤ 1200В

3200

A

R Гінт

Внутрішня ворота опору Ґаааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааа

1.25

О

L СЕ

Індуктивність відхилення

20

nH

R CC+EE

Вивід модуля

опір,

термінал до чіпа

0.18

mΩ

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниці

В Ф

Диод наперед

Напруга

Я Ф =800A

т j =25 ℃

1.65

2.10

В

т j =125 ℃

1.65

Q R

Відновили

заряд

Я Ф =800A,

В R =600V,

R Гон = 0,9Ω,

В ГЕ =-15В

т j =25 ℃

86

МК

т j =125 ℃

160

Я RM

Вертикальний пік

Отримання потоку

т j =25 ℃

560

A

т j =125 ℃

720

E Рекомендації

Обертаний відновлення енергія

т j =25 ℃

38.0

mJ

т j =125 ℃

70.0

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Одиниці

R θ JC

Зв'язок до справи (на IGB) T)

35.6

К/кВт

R θ JC

З'єднання до корпусу (на D) йод)

62.0

К/кВт

R θ CS

Категорія "Санк" (провідна жирова додатка) брехня)

6

К/кВт

Вага

Вага Модуль

1500

G