GD800HFL120C3S, модуль IGBT, STARPOWER

GD800HFL120C3S, IGBT модуль, STARPOWER

1200В 800А

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD800HFL120C3S

Короткий огляд

IGBT модуль , вироблений компанією STARPOWER. 1200В 800А.

Особливості

Типовий Заявки

Абсолютні максимальні рейтинги т C =25 ℃ якщо інше не є Тед

Символ	Опис	GD800HFL120C3S	Одиниці
В CES	Напруження колектора-еміттера	1200	В
В ГЕС	Напруження шлюзового випромінювача	± 20	В
Я C	@ T C =25 ℃ @ T C =80 ℃	1250	A
Я C	@ T C =25 ℃ @ T C =80 ℃	800	A
Я КМ(1)	Імпульсний колекторний струм t P = 1 мс	1600	A
Я Ф	Диодний постійний поток	800	A
Я ЗМ	Максимальний прямий струм діода	1600	A
P Д	Максимальна потужність Вт @ т j =150 ℃	4310	W
т SC	Час витримки при короткому замиканні @ T j =125 ℃	10	μs
т j	Теплота роботи з'єднання	-40 до +150	℃
т СТГ	Діапазон температур зберігання	-40 до +125	℃
Я 2t-значення, діод	В R =0V, t=10ms, T j =125 ℃	140	кА 2с
В iso	Ізоляційний напруга RMS,f=50Hz,t=1min	2500	В
Монтаж Крутяний момент	Термінал електроенергії Шруб:M4 Термінал електроенергії Шруб:M8	1.7 до 2.3 8,0 до 10	Н.М
Монтаж Крутяний момент	Монтаж Гвинт:M6	4,25 до 5.75	Н.М

Електричні характеристики IGBT т C =25 ℃ якщо не зазначено інше

Характеристики вимкнення

Символ	Параметр	Умови випробування	Хв.	Тип.	Макс.	Одиниці
BV CES	Колектор-Емітер Напруга зламу	т j =25 ℃	1200			В
Я CES	Колекціонер Вирізано -ЗВІЛЕНО Текуче	В СЕ =V CES ,V ГЕ =0V, т j =25 ℃			5.0	mA
Я ГЕС	Витік шлюзового емітера Текуче	В ГЕ =V ГЕС ,V СЕ =0V, т j =25 ℃			400	НА

Характеристики ввімкнення

Символ	Параметр	Умови випробування	Хв.	Тип.	Макс.	Одиниці
В ГР (р)	Порог шлюзового випромінювача Напруга	Я C =32mA,V СЕ =V ГЕ , т j =25 ℃	5.0	6.2	7.0	В
В CE (Сі)	Збирач до випускача Насичення напруги	Я C =800A,V ГЕ =15В, т j =25 ℃		1.8		В
В CE (Сі)	Збирач до випускача Насичення напруги	Я C =800A,V ГЕ =15В, т j =125 ℃		2.0		В

Зміна характеру етика

Символ	Параметр	Умови випробування	Хв.	Тип.	Макс.	Одиниці
Q ГЕ	Зарахування за ворота	Я C =800A,V СЕ =600V, В ГЕ =-15…+15V		11.5		МК
т d(on)	Час затримки включення	В CC = 600 В,I C =800A, R Гон =3,3Ω, R Гоф = 0,39Ω, В ГЕ =± 15V,T j =25 ℃		600		n
т R	Час підйому			230		n
т Д (ЗВІЛЕНО )	Вимкнення Час затримки			820		n
т Ф	Час осені			150		n
т d(on)	Час затримки включення	В CC = 600 В,I C =800A, R Гон =3,3Ω, R Гоф = 0,39Ω, В ГЕ =± 15V,T j =125 ℃		660		n
т R	Час підйому			220		n
т Д (ЗВІЛЕНО )	Вимкнення Час затримки			960		n
т Ф	Час осені			180		n
E Увімкнено	Вмикнення Втрати при перемиканні			160		mJ
E ЗВІЛЕНО	Вимкнення втрати перемикання			125		mJ
C ies	Вхідна емкості	В СЕ =25V, f=1MHz, В ГЕ =0V		61.8		НФ
C oes	Вихідна ємність			4.2		НФ
C res	Обратний перевод Кваліфікація			2.7		НФ
Я SC	Дані SC	т с C ≤ 10 мкм,В ГЕ =15В, т j =125 ℃ , В CC = 900 В, В CEM ≤ 1200В		3760		A
L СЕ	Індуктивність відхилення			20		nH
R CC ’+ EE ’	Модуль олівця ce, термінал до чіпа	т C =25 ℃		0.18		м О

Електричний Характеристики of Диод т C =25 ℃ якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Умови випробування		Хв.	Тип.	Макс.	Одиниці
В Ф	Диод наперед Напруга	Я Ф =800A	т j =25 ℃		2.4		В
В Ф	Диод наперед Напруга	Я Ф =800A	т j =125 ℃		2.2		В
Q R	Зворотний діод Заряд відновлення	Я Ф =800A, В R =600V, di/dt=-3600A/μs, В ГЕ =-15В	т j =25 ℃		37		МК
Q R	Зворотний діод Заряд відновлення		т j =125 ℃		90		МК
Я RM	Пік діода Обертаний відновлення Текуче		т j =25 ℃		260		A
Я RM	Пік діода Обертаний відновлення Текуче		т j =125 ℃		400		A
E Рекомендації	Обертаний відновлення енергія		т j =25 ℃		9		mJ
E Рекомендації	Обертаний відновлення енергія		т j =125 ℃		24		mJ

Теплові характеристики

Символ	Параметр	Тип.	Макс.	Одиниці
R θJC	З'єднання до корпусу (частина IGBT, на 1/2 модуль)		0.029	К/В
R θJC	З'єднання до корпусу (частина діода, на 1/2 модуль)		0.052	К/В
R θCS	Каси-до-суні (Нанесено проводяче жир, на Модуль)	0.006		К/В
Вага	Вага Модуль	1500		G